0402尺寸二极管：齐纳二极管

罗姆推出齐纳二极管0402尺寸（0．4mm×0．2mm）,这种二极管可以高密度安装在智能手机等便携设备上。本产品属于较小的半导体产品,和以往的0603尺寸（0．6mm×0．3mm）相比,成功地将尺寸减少了55％。     

元器件与组件

0402尺寸齐纳二极管罗姆开发出超小型的0402尺寸齐纳二极管(0.4mm×0.2mm),这种二极管可以高密度安装在智能手机等便携设备上,和以往的0603尺寸(0.6mm×0.3mm)相比,成功地将尺寸减少了55%。     

0402尺寸齐纳二极管

罗姆开发出超小型的0402尺寸齐纳二极管（0．4mm×0．2mm）,这种二极管可以高密度安装在智能手机等便携设备上,和以往的0603尺寸（0．6mm×0．3mm）相比,成功地将尺寸减少了55％。     

1SS361LP3：超微型二极管

Diodes公司推出采用超微型X3-DFN0603-2封装的产品。这批首次推出的6．0V基纳二极管及开关二极管以0．6mm×0．3mm×0．3mm的规格供应。     

天水天光半导体推出DSN-2封装系列肖特基势垒二极管

天水天光半导体最新推出目前世界上尺寸最小的0.4mm ~*0.2mm0.27mm超小型双硅片无引脚(DualSilicon No-Lead,DSN-2)封装的TSBA8F40型肖特基势垒二极管,产品采用了标准的01005芯片级封装技术,并推出系列产品:TSB02F30(0201)型、TSB05F20(0402)型、TSB10F40(0502)型、TSB20F40(0603)型DSN-2封装肖特基势垒二极管,产品具有:1、将二极管产品的正、负两极做在芯片的同一平面上;2、具有较低的正向开启电压;3、较低的反     

万能齐纳二极管测试仪

齐纳二极管的精确度在于击穿电压及其公差。公差可以在5—20％之间变化。这里介绍的万能齐纳二极管测试仪电路，能够检验精确的击穿电压和公差值，还能够检测齐纳二极管的动态阻抗(齐纳二极管的动态阻抗特性决定了该齐纳二极管稳定电压性能的好坏)。如果齐纳二极管用于要求较高的地方(比如数字电压表的电压参数、控制系统和精确的电源电路)，还必须检测其温度系数。但对于业余爱好者，则没有这个必要。     

天水天光半导体推出DSN-2封装系列肖特基势垒二极管

天水天光半导体最新推出目前尺寸为0.4mm×0.2 mm×D(根据用户要求加工)超小型双硅片无引脚(Dual Silicon No-Lead,DSN-2)封装的TSBA8F40型肖特基势垒二级管,产品采用了标准的01005芯片级封装技术,产品具有:1、将二极管产品的正、     

天水天光半导体推出DSN-2封装系列肖特基势垒二极管

天水天光半导体最新推出目前尺寸为0.4mm×0.2 mm×D(根据用户要求加工)超小型双硅片无引脚(Dual Silicon No-Lead,DSN-2)封装的TSBA8F40型肖特基势垒二级管,产品采用了标准的01005芯片级封装技术,产品具有:1、将二极管产品的正、     

采用SPICE评估TVS保护电路

引言SPICE是分析系统抗传导EMI浪涌电压性能的有效设计工具,它可以验证并优化采用瞬态电压抑制(TVS)雪崩二极管的浪涌保护电路的性能。TVS二极管的尺寸小、响应时间快、钳位电压小且成本低,可以为浪涌问题提供有效的解决方案。本文将SPICE仿真与基准测试进行比较,证明TVS雪崩二极管能够钳位噪声源(如感应设备和负载开关)引起的浪涌电压。电流和电压特性关系齐纳和TVS雪崩二极管有相似的电气特性,但是,两种器件也存在明显的区别。齐纳二极管为调节稳态电压而设计,而TVS二极管则为钳位瞬态浪涌电压而设计。另外,TVS二极管的结面…     

迎合穿戴装置设计 电阻/二极管迈向超微化

正电阻与二极管将朝更微型化推进。随着行动与穿戴式装置配备的功能更趋多元,其搭载的电阻、齐纳(Zener)二极管及萧特基(Schottky)二极管等离散式(Discrete)元件体积亦被要求朝更小尺寸演进,也因此,罗姆(ROHM)已透过     

VSOP383／584：解调IC

Vishay Intertechnology推出用于调制由分立光敏二极管接收的红外遥控信号的解调ICVSOP383和VSOP584。产品采用小尺寸的2mm×2mm×0.76mm QFN封装，能够处理连续的数据传输，具有宽电源电压和低供电电流的特点。     

采用△VBE电路的低电压参考

最近常常在讨论齐纳二极管电压参考的作用与优势。尽管齐纳二极管是一种既稳定又精确的电压参考，但它们也要求高偏置电压（通常最小为8V）。这种高偏压要求将大多数齐纳二极管参考排除在源电压为5V（或更低）的电路以外。尽管能使用低偏压齐纳二极管，但其温飘会使其不能用于精密应用中。所有半导体结构都具有对温度敏感的基本电路，因此任何半导体参考都必须采用某种形式的内置温度补偿。齐纳二极管参考即采用内部串联二极管来进行温度补偿。基一射极偏差电压电路也具有同样的温飘问题和相应的解决方案，但由于其不依靠齐纳结，因此能在较低电压上工作。     

ROHM开发出世界最小的0603规格的齐纳二极管、肖特基二极管

对于肖特基二极管、齐纳二极管、等系列产品,其所能达到的最小封装尺寸,一直止步于1006封装尺寸(1.0mm×0.6mm)。如今情况有了改变。ROHM全新开发的“GMD2”(0603尺寸)系列封装,采用ROHM独有的芯片结构配合超精密加工技术,既保留了过去同类产品的电气特性,     

TSBA8F40等：肖特基势垒二极管

天水天光半导体推出小尺寸的超小型双硅片无引脚封装的TSBA8F40型肖特基势垒二极管，产品采用了标准的01005芯片级封装技术，并推出系列产品：TSB02F30（0201）型、TSB05F20（0402）型、TSB10F40（0502）型、TSB20F40（0603）型DSN-2封装肖特基势垒二极管。     

NXP推出FlatPower TVS二极管产品线

恩智浦半导体(NXP Semiconductors)宣布推出35个采用2引脚FlatPowerSOD128封装(3.8 mm×2.5 mm×1 mm)的TVS新产品,进一步丰富了瞬变电压抑制(TVS,Transient Voltage Suppressor)二极管的产品组合。恩智浦是业界首个采用这种小型塑料SMD封装来提供600 W额定峰值脉冲功率(10/1000μs)TVS二极管的厂商。市场上的600 W TVS产品仅有采用例如SMA或SMB这样较大尺寸的封装。新型SOD128 FlatPower封装兼容SMB引脚,可与后者1:1替换,从而在为工程师提供最佳功率性能的同时还节省了PCB空间。     

聚合物器件与齐纳二极管协同保护电路

在传统的电路保护组件中,经常采用齐纳二极管来防止电路中的极性反转,但是齐纳二极管也同时面临被反向电压击穿的可能.     

浅析二极管在液晶模组产品中的综合应用

文章综述了液晶模组中使用的各种二极管的特性,主要通过对肖特基二极管的特性分析以及液晶模组中集成电路芯片外围电路的分析,阐述肖特基二极管在液晶模组中的使用原理、使用方式以及改善分析。文章讨论了齐纳二极管以及发光二极管的配合使用及其在液晶模组中的典型应用．最后分析讨论了不同的发光二极管封装方式对液晶模组显示效果的影响。     

NexFET:一种高可靠与高性能的低压功率DMOSFET

本文介绍一种具有高性能和高可靠性的新型低压功率MOSFET——TI公司的NexFETTM,它将一种高可靠、高性能的RF LDMOSFET与齐纳二极管组合。基于MOSFET结构的RF LDMOSFET将品质因数(Ron*Qg)改善两倍。一个纵向集成的齐纳二极管钳制峰值开关节点电压的尖峰形成,从而使MOSFET免受击穿。     

新系列热插拔电源管理芯片

STEF051NSTEF12是3mm×3mm封装的电子熔断器芯片，可替代尺寸较大的普通熔断器或其他保护器件，如Transil或二极管。     

元器件与组件

正低电容型瞬态抑制二极管阵列低电容型SP3014系列瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管)可为可能经历破坏性静电放电(ESD)的电子设备提供保护。SP3014系列集成了两个通道的低电容控向二极管与齐纳二极管,可安全地吸收超过IEC61000-4-2国际标准中最高等级的反复ESD震击而性能不会下