共查询到19条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
2.
OP07运算放大器的电离辐射损伤和退火特性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
对TTL双极运算放大器的OP07进行了^60Coγ和1MeV及1.5MeV电子电离辐实验,研究了OP07的电离辐射响应特性和抗总量辐射水平,并通过研究其电离辐照第三参数辐照后在室温和100℃高温条件下随时间的变化关系,分析了在电离辐射环境中双极运算放大器的损伤机制及参数失效机理,为该类器件在卫星等电离辐射环境下的可靠应用,提供实验依据。 相似文献
3.
4.
CMOS运算放大器的电子和~(60)COγ辐照效应及退火特性 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了LF7650CMOS运算放大器电路在1MeV电子和~60Coγ两种不同辐射环境中的响应特性及变化规律,并通过对其电高辐照敏感参数,辐照后在室温和100℃高温条件下,随时间变化关系的分析,探讨了引起电参数失效的机理。结果表明,由于电离辐射产生的界面态增加,引起的多数载流子迁移率的减小,导致MOSFET跨导的下降,是造成CMOS运算放大器电路失效的主要机制,也是引起1MeV电子辐照的损伤敏感度明显大于~60Coγ射线的原因所在。 相似文献
5.
CMOS运算放大器和电压比较器 总被引:1,自引:0,他引:1
CMOS运算放大器和电压比较器曾庆贵根据被处理信号的性质,集成电路有数字集成电路和模拟集成电路之分。数字集成电路又称逻辑电路,是指能够对数字信号进行算术或逻辑运算的电路,如门电路、触发器、计数器和寄存器等;而模拟集成电路是对模拟信号(即连续变化的信号... 相似文献
6.
7.
本文描述一种全差动输入、差动输出的电流型运算放大器(COA)。该放大器采用三个第二代电流转换器(CCII)作为基本单元部件。在全对称电流型反馈放大器中能提供恒定的增益-带宽乘积或者在互阻抗反馈放大器中提供恒定带宽。该放大器的增益-带宽乘积为3MHz,失调电流为0.8μA(信号范围±700μA),理论上转换速率极大。此放大器采用2.4μm标准CMOS工艺实现。 相似文献
8.
采用华虹NEC0.35μml P2M工艺,设计了一种利用比例电流镜控制的恒跨导R2R输入级及AB类控制输出级的运放结构。仿真结果表明,在2.5V共模输入电压,10pF负载电容和1M负载电阻并联时取得了56dB开环电压增益,60°相位裕度和2.4MHz的单位增益带宽。 相似文献
9.
10.
11.
12.
一种双频段CMOS低噪声放大器 总被引:1,自引:0,他引:1
描述了一个可同时处理输入信号在937.5 MHz和408 MHz频段,应用于数字对讲机射频前端的双频段CMOS低噪声放大器(LNA)。所有的输入输出都被匹配到50Ω。芯片采用0.18μmCMOS工艺制造。仿真结果显示,在1.5 V供电电压下,937.5 MHz时,LNA的噪声系数、功率增益和偏置电流分别为0.92 dB、19.0 dB和6.0 mA;408 MHz时,分别为0.72 dB、20.9 dB和3.0 mA。据笔者所知,这是首个可以处理频率低至408 MHz信号的双频段CMOS低噪声放大器。 相似文献
13.
低功耗CMOS集成运算放大器的研究与设计 总被引:2,自引:0,他引:2
基于0.35μm N阱硅栅CMOS标准工艺,设计了一个工作电压为±2.5 V的CMOS两级全差分运算放大器。通过采用密勒电容和调零电阻串联的补偿电路,有效地改善了电路的频率响应特性,提高了转换速度,使该两级运算放大器在获得较大输入共模范围和输出摆幅的同时,还获得了较高的增益及相位裕度,满足便携式电子产品的低功耗、高性能要求。Cadence SpectreBSIM3V3模型仿真结果表明,在10 GΩ负载电阻和1 pF负载电容并联的条件下,该两级运算放大器的功耗为3 mW,开环直流电压增益为73 dB,单位增益带宽达到90 MHz,相位裕度为47°。 相似文献
14.
A newly designed sample-and-hold(S/H) integrated circuit based on the 1.5 micron N-well CMOS technology for 8-bit high-speed analog to digital converter is described. It can realize the 40-MHz sampling rate and 8-bit resolution. The good performance of S/H circuit benefits from the use of a newly designed regulated cascode operator amplifier, which has a DC gain of 140-dB, unity-gain bandwidth of 407-MHz, phase margin of 53 degree and power consumption of 90mW. It is superior to the operator amplifier of 60-dB, 107-MHz, 13 degree, and 33mW respectively, which is used in the similar S/H circuit based on the 0. 8 micron technology and designed by Michio Yotsuyanagi. 相似文献
15.
16.
The sample-and-hold (S/ H) circuit is a key module for many applications[1 ] totransform a continuous time signal into discrete one. In analog to digital (A/ D)converters,the front-end of the S/ H amplifier must be of both high speed... 相似文献
17.
CMOS图像传感器(CIS)在空间辐射或核辐射环境中应用时,均会受到总剂量辐照损伤的影响,严重时甚至导致器件功能失效.文章从微米、超深亚微米到纳米尺度的不同CIS生产工艺、从3T PD(Photodiode)到4T PPD(Pinned Photodiode)的不同CIS像元结构、从局部氧化物隔离技术(LOCOS)到浅槽隔离(STI)的不同CIS隔离氧化层等方面,综述了CIS总剂量辐照效应研究进展.从CIS器件工艺结构、工作模式和读出电路加固设计等方面简要介绍了CIS抗辐射加固技术研究进展.分析总结了目前CIS总剂量辐照效应及加固技术研究中亟待解决的关键技术问题,为今后深入开展相关研究提供理论指导. 相似文献
18.