铜双晶断口的反射电子显微术观察

铜加入微量的铋,将引起明显的沿晶断裂。在400-700℃范围内时效后,断口由发展得很好的小面组成。扫描电子显微镜虽能很好地显示断口形貌,却不能给出结晶学上的参数。反射电子显微术已成功地揭示了铂、金、半导体等晶体表面的微观结构,但尚未用来观察断口表面。本文利用反射电子显微术能同时给出表面形貌和电子衍射图的优点,观察渗铋的铜双晶沿晶断裂表面的结晶学上的特征。     

用透射电子显微镜观察铜双晶断口的反射电子显微方法

铜双晶沿晶断口在普通透射电子显微镜中进行了反射电子显微术观察。实验结果表明,经渗铋脆化处理的∑33a铜双晶断口为小面结构,主要由(001)、(?)、及(210)小面组成;晶体生长中发生波动时,晶界由(001)面附近偏离到(010)面附近,然后又恢复到(001)面附近,如此往复使晶界成阶梯状。在透射电子显微镜中用背散射电子成像,不仅可以观察断口表面的形貌,也可得到有关小面取向的信息,使反射电子显微术成为观察断口的有效方法之一。     

磁约束铜蒸气放电中基态铜原子密度的测量

利用吸收方法测量了磁约束铜蒸气放电中的基态铜原子密度,近室温的气体放电条件下得到铜原子密度达1014cm-3 量级.结果表明,磁约束放电能够产生激光激励过程所需密度的铜原子蒸气,这为磁约束放电铜蒸气激光器的可行性研究提供了一个重要结论.     

Bi系超导体中界面的高分辨电子显微术研究

Bi系超导体是一种类钙钛矿型体心四方结构,元胞参数为:a=b=5.41A,c=30.8A(对应于T_c～85K或c=37.1A(对应于T_c～110K),而且存在无公度调制结构,这种结构可以用两上独立的调制波矢q_1和q_2描述,本文利用高分辨电子显微术对两种界面进行了研究。图1是90°扭转界面的高分辨像。界面上侧不出现超结构调制网格,对应于a-c面,c方向周期为30.8A。界面下侧出现了二维调制网格,对应于b-c面,这种调制可用上述两个独立的调制波矢q_1和q_2     

溶胶-凝胶非硫化法制备铜锌锡硫薄膜

采用溶胶-凝胶非硫化方法制备了表面平整、致密的铜锌锡硫薄膜.XRD及Raman分析表明制备的铜锌锡硫薄膜为锌黄锡矿结构.能谱分析表明所有薄膜均贫铜富锌贫硫.场发射扫描电子显微镜测得薄膜的厚度在0.7 μm左右.透射光谱表明随后退火温度的提高薄膜的光学带隙从2.13 eV减小到1.52 eV.     

透射电镜原子像的数值分析

高分辨电子显微术（HRTEM）已广泛应用于材料结构的测定，且分辨率已达到原子尺度。特别是近年来球差校正电子显微术的发展大大增加了获取各种材料结构原子像的可行性。然而，球差校正的高分辨电子显微像并未像人们期望的那样以信息分辨极限的分辨率直接反映材料结构，它们仍需要配以计算像模拟或图像处理技术才可给出可靠的结构信息。     

测量铜原子亚稳态密度的饱和吸收法

提出了测量连续脉冲放电余辉期激活粒子亚稳态密度的饱和吸收方法,在两台分别作为探测光源和吸收池的溴化亚铜激光器测量系统中得到证实。观察和讨论了D_(5/2)亚稳态能级布居在脉冲间隔的弛豫特性。     

钙离子和溴化亚铜共振亚稳跃迁激光脉冲的研究

铜蒸汽激光器是一种典型的共振亚稳跃迁激光，通常认为其激光脉冲出现于电流脉冲的前沿。实验研究表明，钙离子激光冲在各种上始终在电流脉冲的前沿,而对于CuBr激光，其脉冲的延时时间与工作温度有关。由于工作物质铜原子是通过分解CuBr成为铜离子，再由铜离子复合成铜原子，故工作温度较低时，复合系数较大，造成激光脉冲的延时时间变长，而当工作温度较高时，复合系数变小，使激光脉冲提前。     

磁约束铜蒸气放电中亚稳态铜原子密度的测量

利用自吸收方法测量了磁约束铜蒸气放电余辉初期的铜２Ｄ５／２亚稳态原子密度。对亚稳态原子的弛豫情况，同普通铜蒸气激光器进行了对比，分析了磁约束放电条件下亚稳态原子的弛豫机制。为建立重复频率运转的磁约束铜蒸气激光器提供了基础     

溴化亚铜激光器在Blumlein线路中等离子体动态阻抗特性研究

给出了Blumlein放电线路中CuBr激光管放电电路各参数表达式,与CuBr激光器动力学模型相结合,讨论了放电管等离子体阻抗动态变化过程。     

封离式溴化亚铜激光器的研究

分析了溴化亚钢在封离式激光器中的循环再生过程，采用温度控制和在电极处放置铜粉的措施，有效地延长了封离式溴化亚铜激光器的运转寿命。     

硫双原子分子激光器脉冲快放电电源的研究

选择Blumlein电路作为硫双原子分子激光器的激发电路，为了在十几ns的时间内得到快速脉冲辉光放电，在分析该电路原理与特点的基础上，进行参数的优化设计。实验结果表明，该放电电源的输出电压上升达到5.08ns的设计指标，且工作稳定，对激光器的正常工作起了重要的作用。     

掺氢溴化亚铜激光器动态阻抗的研究

重点用固定比例的氖氢混合气体研究和比较了掺H前后激光器的光电脉冲波形和等离子体动态阻抗.实验装置采用普通倍压充电通过闸流管放电电路.放电电压用Tektronix P6015A高压探头跨接于激光放电管电极测量(阳极接地),放电电流用Pearson Model 410 脉冲电流转换器套接在激光放电管阳极引线上探测,快响应光电二极管测光脉冲波形.实验分别在纯氖气和掺H 2%、2.5%的氖氢混合气体稳定流动的情况下进行,激光器稳定工作时,测量激光管电压和电流波形,以及激光脉冲波形,同时记录采样数据.实验结果表明,掺入2%的氢使放电激励的电压幅度增加了约34%,而电流脉冲幅度却下降了约23%,激励阶段激光放电管的等离子体阻抗增加了约3倍;光脉冲宽度明显增大. 我们认为H的加入改变了放电的微观过程,使得激光放电管中等离子体阻抗增加.再深入的研究表明 H对电子有很强的可剥离吸附作用,在放电余辉期,H吸附了大量的电子,导致电子密度减少,等离子体电阻增加,使激发态原子和离子能快速地消激励.(PC1)     

亚铁氰化钾添加于次亚磷酸钠还原化学镀铜的试验优化

化学镀铜技术是印制电路中的重要部分,采用正交实验法研究了以次亚磷酸钠为还原剂添加亚铁氰化钾的化学镀铜溶液,得到了的最佳参数和条件.镀液中添加亚铁氰化钾可以显著降低沉积速度,使镀层变得均匀致密,形貌得到改善,电阻率明显降低,镀层中镍的含量也有所降低.     

横向脉冲放电硫双原子分子气体激光介质小信号增益的测量

对加反射镜测量放大自发辐射方法测量小信号增益系数的物理模型作了修正。给出了修正后小信号增益系数的计算公式。测量了横向脉冲放电Ｓ２气体激光介质的小信号增益系数，最大值为０．０８２ｃｍ－１。并对计算结果作了分析和讨论。     

铜锌锡硫带边电子结构及缺陷态的光学表征

利用吸收、光电流和光致发光等光谱表征并结合理论报道,分析了缺陷态丰富的铜锌锡硫半导体材料的光学带隙、带尾态和深浅杂质能级,揭示了Sn_Zn相关的缺陷态是影响铜锌锡硫带边电子结构的关键因素,其中高浓度的中性缺陷簇[2Cu_Zn+Sn_Zn]能导致带隙明显窄化,而离子性缺陷簇[Cu_Zn+Sn_Zn]是主要的深施主缺陷态,同时存在的大量带尾态引起带边相关的光致发光峰明显红移。贫铜富锌条件下,适当减少锡含量,可有效抑制与Sn_Zn相关的缺陷簇,并避免带隙的窄化。     

真空法制备铜锌锡硫硒薄膜太阳电池的研究进展

真空法具有沉积速率快、重复性高以及成膜质量高等优势,有望成为大规模生产铜锌锡硫硒(Cu₂ZnSn(S,Se)₄,CZTSSe)薄膜太阳电池的制备方法。主要介绍了热蒸发法、磁控溅射法和脉冲激光沉积法等三种沉积CZTSSe薄膜的方法,阐述了采用真空法制备CZTSSe薄膜太阳电池的研究进展,同时对各种方法的优化途径(如退火条件优化、掺杂、背接触改善等)进行对比分析。最后,阐明了真空法的潜在优势以及存在的问题,并对未来发展进行展望。     

金属材料中铜的最佳分析条件的选择

介绍了利用GGX-9型原子吸收分光光度计测定金属材料中铜的含量，并确定了最佳分析条件。研究了灯电流、乙炔气流量与空气流量比(以下简称燃助比)、标准曲线对测量结果的影响。经筛选确定的测铜分析方法稳定性好，重现性强，操作简便、快捷，尤其是测量范围宽，可达到ppm～ppb级。