铜的亚氧化物Cu_(64)O的HREM研究

前已报导,用HREM研究铜的初期氧化时,发现在生成Cu_2O之前,还存在比Cu_2O含氧量低的Cu_4O、Cu_8O。本文报导的是比Cu_8O含氧量更低的又一种铜的亚氧化物Cu_(64)O。它存在于储存多年的铜粉中,也能在空气中加热铜粉生成。用JEM—200CX进行观察,通过电子衍射确定这种晶体为B心正交结构。通过结构模型的设计和动力衍射理论的计算,用模拟计算象和观察相比较的方法确定Cu_(64)O晶体的单胞内含有的128个Cu原子和2个氧原子的位置。图1给出Cu_(64)O的晶体结构和母体Cu的关系。粗线划出的为Cu_(64)O的单胞,晶格常数a=     

铜的亚氧化物Cu_4O_(1-0.25)的HREM研究

我们曾用HREM的方法研究铜的初期氧化物,确定了Cu_4O,Cu_8O和Cu_64O等几种初期氧化物的存在和结构。本文报导我们继续上述研究又获得的另一铜的初期氧化产物—Cu_4O_(1-0.25)。它比Cu_4O少1/4氧原子,可看作Cu_4O的缺氧结构。这种缺氧结构的氧原子排列有几种形式,它们具有相同的电子衍射谱,但HREM像的特征却不相同。本研究报导其中的三种,称其为α、β和γ型。Cu_4O_(1-0.25)是在与生成Cu_4O相同的氧化条件下生成的,常常可以观察到Cu_4O与Cu_4O(1-0.25)相毗邻存在。图1a是Cu_4O[100]取向的晶体结构投影,黑点表示Cu原子,圈表示氧原子的分布,圈中的数字表示氧原子的高度,小方框是Cu_4O单胞的投影。从图可知,处于O高度和1/2高度的氧原子列密度是相同     

用SEM研究Y系超导单晶的生长习性

本文报道用SEM观察研究R-Ba-Cu-O(R为Y、Gd、Tm)超导单晶的形貌、生长习性、生长台阶,并讨论了单晶生长过程。这些结果对超导单晶生长研究具有重要意义。高温氧化物超导单晶RBa_2Cu_3O_x是用自助溶剂法生长的,Tc(zero)为91K。图1为充分发育的超导单晶的形貌照片。(a)为YBa_2Cu_3Ox(b)为GdBa_2Cu_3O_x,(c)为TmBa_2Cu_3O_x。可见,发育良好的Y系超导单晶外形的矩形片状,具有相交为90°的方角。晶体外形反映了晶体的对称性——正交结构。显露的晶面为(100),(010),(001)等。其中(001)面最大,说明晶体沿C轴方向生长速度最慢。图2为发育初期的晶体,     

掺铜的硫化锌缺陷结构的高分辨电子显微术研究

掺铜的硫化锌为一种重要的发光材料。其发光性能与晶体缺陷有密切关系。利用高分辨电子显微术可以直接观察晶体缺陷结构。硫化锌晶体结构有立方闪锌矿(Z)与六角纤锌矿(W)两种。图1是两种结构共生的高分辨象,分别用Z及W表示相应结构。两者的区别仅在于沿密排方向的原子排列规则不同:闪锌矿结构为ABCABC……(3 R)排列;而纤锌矿结构为ABAB……(2H)排列。象中每一个亮点代表由一个硫原子及一个锌原子组成的原子团。在掺铜的硫化锌晶体中,微孪晶的密度很大.如图2及图3(T)所示。孪晶面为(111)。图3中还有典型的扩展位错(S),位错的柏氏矢量为b=1/6[112]。此外,还观察到有4H、16H、12R、36R等多种长周期     

MoS2/MoO2共形异质结构的制备、表征及其生长机理

作为典型的二维层状半导体材料,MoS₂及其异质结构在后摩尔时代的电子学和光电子学领域具有广阔的应用前景。以MoO₃为前驱体,利用化学气相沉积法(CVD)先制备了MoO₂纳米片,随后使用硫蒸气对其进行硫化合成了含2～4层MoS₂的MoS₂/MoO₂的共形异质结构。通过X射线光电子能谱(XPS)和Raman光谱对MoS₂/MoO₂共形异质结构进行表征,确定了MoS₂的层数随硫化时间的变化关系,即随着硫化时间的延长,MoS₂层数逐渐增加。利用原子力显微镜(AFM)对异质结构的厚度表征结果发现,硫化后纳米片厚度有所减薄,并且随着硫化时间的增加,MoO₂纳米片硫化前后的厚度差呈现出反常的先下降后上升的趋势。最后通过高分辨环形暗场扫描透射电子显微镜(ADF-STEM)对MoS₂/MoO₂共形异质结构截面进行表征,并揭...     

高分辨电子显微术中的图象处理

在最佳成象条件下拍摄的高分辨电子显微象可以反映出被观察晶体沿入射电子束方向的结构投影。可是,象上携带的结构信息总免不了遭受各种成象因素的影响而失真。为了从象上提取出更多的结构信息,有必要对象进行各种处理,对于完整晶体的结构象可以首先用平均法消除噪音(1,2,3),提高象的清晰度。更重要的图象     

Cu_2O晶体中激子光学非线性研究

我们研究了Cu_2O晶体在室温及液氮温度下黄系激子线在光注入载流子条件下的饱和吸收。在实验中我们采用了布儒斯特角入射反射光谱测量方法,此方法对激子谱线分辨灵敏度很高。实验中观察到了Cu_2O黄系激子线在光注入载流子条件下展宽以至达到饱和,并进行了理论上的推导,证明激子饱和吸收主要是由库仑屏蔽造成的。我们利用Kramers—Kronig变换求出△n(ω),我们还探讨了利用Cu_2O的激子光学非线性制做双稳态器件的可能性。     

Pd-Si系非晶合金的晶化行为

本文主要报导了使用透射电子显微镜观察了液相淬火的Pb-Si系合金的组织结构。并较系统的对Pd_(80)Si_(14.8)Cu_(5.2)金属玻璃的晶化过程进行了分析,用电子衍射及高分辨电子显微术确定了超点阵的相结构,进一步阐述了非晶晶化的微观机制。     

用于产生超连续谱的硫系光子晶体光纤的色散特性

光子晶体光纤具备的无截止单模、模场面积可调和色散可控的特性,使其在超连续谱的产生中具有独特的优势。超连续谱的产生条件之一,是所使用的光纤须具有高的非线性,而硫系玻璃非线性系数极高,因此利用硫系玻璃光子晶体光纤产生超连续谱的研究备受关注。采用熔融-淬冷法制备Ge23Sb12S65硫系玻璃,并以此为基质设计了用于超连续谱产生的高非线性光子晶体光纤。采用多极法分析光纤孔间距、孔径比d/等对光纤的色散零点位移、色散平坦调控、损耗及模场面积的影响,最终得到当=2m,d/=0.43时,可获得2~4m平坦色散的高非线性光子晶体光纤结构。     

聚芳醚酮晶体中缺陷的高分辨电子显微象观察

高分子材料的一个显著特点就是其分子量非常大,它的聚集态结构就由此而显示出特殊性。高分子晶体与小分子或原子晶体间的差异表现在高分子晶体的点阵基元不是完整的分子或原子,而是高分子长链中的一部分。这样高分子晶体中的缺陷也有可能存在特殊形式。虽然高分辨电子显微术已能从原子水平分析晶体的结构,但是由于高分子晶体不耐电子辐照,它应用于高分子晶体方面的研究受到了一定的限制。我们采用了最小剂量高分辨象拍摄方法对聚芳醚酮晶体进行了研究。图1是聚芳醚酮晶体[012]高分辨晶格象,分子链轴方向[001]。标有箭头区域是由晶格象(100)所表现的混合位错。通过晶体完整区域围绕缺陷作布氏回路,得到布氏矢量1(?)=7(?)+n(?) 2。此处混合位错     

多级成象方法——SAR数字成象中降低运算要求的研究

合成孔径雷达(SAR)是一种高分辨力的对地成象雷达,但它的数字成象要求大量的运算,造成了实时成象的困难。根据不同的地物对分辨力的要求不同这一特点,我们利用了多级成象以降低运算量的概念。本文阐述了多级成象的基本原理,讨论了多级成象中特有的分辨力自适应和各级图象之间灰度配准镶嵌等问题,初步估计分析了多级成象的运算要求,并介绍了一个实验系统及其结果。     

(NH4)2S硫化处理后InGaAs表面特性的研究

通过(NH4)2S湿法硫化InGaAs表面,利用微波反射光电导衰减法测量了经(NH4)2S硫化后的少数载流子寿命.结果显示,经过硫化处理后的InGaAs表面复合速度接近于理想的InP/InGaAs双异质结材料的界面复合速度.为了更好地表征钝化效果,在硫化后的InGaAs表面淀积SiNx制备了MIS结构,通过高低频C-V测试得出两者的界面态密度为8.5×1010 cm-2·eV-1.     

以直升机为平台的高分辨力SAR和ISAR成象技术

1 引言 高分辨力雷达成象模式在海上监视应用方面尤为重要,该模式有助于对由常规搜索和跟踪功能检测到的面目标进行分类和识别。 最常用的雷达成象技术是合成孔径雷达(SAR)和逆合成孔径雷达(ISAR),二者都是利用平台与目标的相对运动,且在波形、带宽和信号处理要求方面相似。横向距离上的高分辨力     

(NH4)2S硫化处理后InGaAs表面特性的研究

通过(NH4)2S湿法硫化InGaAs表面，利用微波反射光电导衰减法测量了经(NH4)2S硫化后的少数载流子寿命。结果显示，经过硫化处理后的InGaAs表面复合速度接近于理想的InP／InGaAs双异质结材料的界面复合速度。为了更好地表征钝化效果，在硫化后的InGaAs表面淀积SiNx制备了MIS结构，通过高低频C-V测试得出两者的界面态密度为8．5×1010cm-2·eV-1。     

银掺杂氧化亚铜薄膜的制备及其光电性能

采用水热法以Cu片为基底,Cu(NO_3)_2为铜源,十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为添加剂,通过调节Ag^+浓度,制备不同Ag掺杂Cu_2O(Ag/Cu_2O)薄膜。研究了样品的光电性能及电容-电压特性等,并用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)对其晶体结构、形貌及组成进行了表征。结果表明,当体系中Ag^+浓度为0.03 mmol/L时,Ag/Cu_2O薄膜的光电性能最佳,光电压和光电流密度分别为0.458 5 V和3.011 mA·cm^-2,比Cu_2O薄膜分别提高了0.205 1 V和1.359 mA·cm^-2;Ag/Cu_2O薄膜的载流子浓度达到3.10×10²⁰ cm^-3,比Cu_2O薄膜提高了2.38×10²⁰ cm^-3。XRD,SEM和EDS结果显示,Ag/Cu_2O薄膜的结晶性比Cu_2O薄膜好,但其粒径有所增大,Ag/Cu_2O薄膜中Ag元素的原子数分数为0.13%。     

高分辨电子显微像的解卷处理程序:DEC

高分辨电子显微像因离焦量和晶体厚度等因素的影响，未必能正确反映晶体结构。为此，李方华等建立并发展了高分辨像的解卷处理技术，将单张高分辨像恢复为结构像，并提高像的分辨率。DEC是为高分辨像解卷处理编写的配套计算机程序，将此程序应用于Si0.75Ge0.24晶体中缺陷的实验高分辨像，     

战术情况下用的无源毫米波成象技术

目标识别和目标引导都需要高分辨度的图象。利用(美)佐治亚州技术学会最近所研制的新系统和新技术,在35、95、140和220GHz 附近频率上研究了接近实时的成象技术。使用先进的毫米波元件,已经在各种气候条件下获得了车辆的图象。这些数据包括8个同时和宽带宽(2 GHz)及窄带宽(1 GHz)的收集。     

Al-Cu-Mg含金中S＇时效相的HREM研究

Al—Cu—Mg合金是航空航天工业广泛使用的时效强化铝含金。合金的时效强化相S′及S相(Al_2CuMg)的研究一直是材料研究者关注的课题。晶体科学家们借助X射线衍射对它们的晶体结构及其它晶体学特征做了许多有价值的工作,但仍然有一些未知的和有争论的问题。S′相和S相的晶体学异同就是讨论的焦点之一。我们用高分辨点阵像和选区电子衍射研究了这个问题,取得了下述有意义的结果:1.通过对选区电子衍射图的分析,用矩阵方法测定了S′(和S)相与基体的取向关系,得出(100)_s′∥(100)_m,(010)_s′∥(021)_m。这个结果与Silcock用x射线衍射测得的结果一致。基体[112]_m方向的s′相与基体的高分辨点阵像(图1(a))显示它们的位向关系为(001)_s′∥(0(?)2),[(?)(?)0]_s′∥[112]_m。这即是上述典型取向关系的一个具体表述和验证。     

荷叶茎衍生多孔碳的制备及其在锂硫电池中的应用

以荷叶茎为原料,通过高温退火处理和KOH活化得到多孔碳,并将其作为硫的载体材料,最终得到C/S正极材料.通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、热重法(TG)、BET分析和喇曼光谱对目标产物进行了表征,研究了C/S正极材料的结构和形貌.将C/S作为锂硫电池正极材料进行电化学测试,其...     

高JC超导材料磁通分布的电镜研究

在减压降温液氮温区(约64K),采用磁缀饰法(即高分辨Bitter图法),分别在熔融织构生长(MTG)的YBa_2Cu_3O_7超导体和射频溅射制备的单晶外延YBa_2Cu_3O_7薄膜上用KYKY-1000 B SEM观察到超导体的磁通分布图,属无序非晶态结构。在MTG超导体中得到清晰的孪晶界、层界和晶体缺陷对磁通的钉扎图象。最强的钉扎中心出现在尺寸较大的Y_2BaCuO_5(211)第二相粒子周围。