溅射薄膜压力传感器敏感元件的制作工艺研究

磁控溅射技术以其在制备薄膜中的独特优点,成为获得高性能薄膜材料的重要手段。采用掩膜法溅射的方法制作薄膜压力传感器敏感元件的电阻层,发现了掩膜法溅射在制作小间距线宽的弊端,引入了先溅射后光刻的制作工艺,实验结果表明,该方法能成功制作出所需的电阻图形。     

Cr金属薄膜温度传感器的研究

采用等离子体溅射方法制备了Cr金属薄膜式温度传感器.探讨了光刻腐蚀工艺、Cr薄膜厚度及薄膜热处理温度对Cr薄膜电阻温度系数的影响.通过选择合适的制备工艺,得到了较理想的Cr金属薄膜温度传感器.     

Ni80Cr20合金薄膜制备影响因素的试验研究

利用直流磁控溅射的方法制备Ni80Cr20合金薄膜,以氩气流量、氩气工作压强、溅射功率作为三因素进行正交试验,在溅射时间相同的条件下分别测试了薄膜厚度、表面粗糙度、电阻率并进行了极差分析。分析结果表明:在一定范围内,氩气工作压强与溅射功率对薄膜厚度的影响较大;在氩气工作压强为3.0Pa时,薄膜厚度与溅射功率近似成正比关系;随着氩气流量的增大,Ni80Cr20薄膜厚度呈现先增大后减小的趋势;在氩气流量为50cm~3/min时,薄膜厚度达到最大值;各因素对薄膜表面粗糙度及电阻率影响不明显。     

磁控溅射制备不锈钢薄膜研究

研究了磁控溅射镀膜工艺参数中溅射功率、溅射时间以及真空度等对不锈钢薄膜制备的影响，通过对获得的不锈钢薄膜层进行金相分析与其他性能测试发现：试验中溅射功率为100W、溅射时间为2h、真空度为0．08Pa、氩气压力为1．5MPa的条件下制得的薄膜性能最佳。     

X射线激光自支撑Mo滤光膜的制备及特性研究

用直流平面磁控溅射方法在抛光玻璃衬底上淀积 Mo薄膜 ,将薄膜在真空环境中进行热处理 ,用扫描探针显微镜 ( SPM)方法观察了薄膜的表面形貌 ,X-射线衍射方法分析了薄膜中应力各向异性特征及其与淀积时溅射气体压强和真空热处理的关系。发现薄膜中晶粒具有明显的择优取向 ,内应力沿径向对称分布 ,切向应力比径向应力更具有压应力特性 ,应力的各向异性特征与溅射原子的入射方向有关。真空热处理对薄膜中压应力的释放作用不明显 ,然而能有效地释放薄膜中的张应力。用 HF酸腐蚀衬底的方法制备了自支撑 Mo薄膜 ,发现脱膜前后薄膜表面微观形貌未产生大的变化。     

贵金属溅射靶材的研究进展

溅射靶材是磁控溅射制备薄膜的关键原材料,其质量决定着溅射薄膜的性能.贵金属溅射靶材因具有优异的物理和化学性能而广泛应用于高性能薄膜的制备.综述了贵金属溅射靶材制备方法、技术要求和应用情况的研究进展,指出高纯化、大尺寸、高利用率以及靶材生产与溅射镀膜一体化是贵金属靶材未来发展方向.     

脉冲激光溅射沉积技术的发展及其应用研究

薄膜材料已经在半导体材料、超导材料、生物材料等方面得到广泛应用.为了得到高质量的薄膜材料,脉冲激光溅射沉积(PLD)技术受到了广泛的关注.文中介绍了脉冲激光溅射沉积薄膜的基本原理及特点,分析了脉冲激光溅射沉积技术在制备高温超导膜、铁电薄膜、生物陶瓷薄膜等功能薄膜方面的应用研究.大量研究表明,脉冲激光溅射沉积是目前最好的...     

X射线激光自支撑Mo滤光膜的制备及特性研究

用直流平面磁控溅射方法在抛光玻璃衬底上淀积Mo薄膜,将薄膜在真空环境中进行热处理,用扫描探针显微镜(SPM)方法观察了薄膜的表面形貌,X-射线衍射方法分析了薄膜中应力各向异性特征及其与淀积时溅射气体压强和真空热处理的关系.发现薄膜中晶粒具有明显的择优取向,内应力沿径向对称分布,切向应力比径向应力更具有压应力特性,应力的各向异性特征与溅射原子的入射方向有关.真空热处理对薄膜中压应力的释放作用不明显,然而能有效地释放薄膜中的张应力.用HF酸腐蚀衬底的方法制备了自支撑Mo薄膜,发现脱膜前后薄膜表面微观形貌未产生大的变化.     

X射线激光自支撑Mo滤光膜的制备及特性研究

用直流平面磁控溅射方法在抛光玻璃衬底上淀积Mo薄膜,将薄膜在真空环境中进行热处理,用扫描探针显微镜(SPM)方法观察了薄膜的表面形貌,X-射线衍射方法分析了薄膜中应力各向异性特征及其与淀积时溅射气体压强和真空热处理的关系.发现薄膜中晶粒具有明显的择优取向,内应力沿径向对称分布,切向应力比径向应力更具有压应力特性,应力的各向异性特征与溅射原子的入射方向有关.真空热处理对薄膜中压应力的释放作用不明显,然而能有效地释放薄膜中的张应力.用HF酸腐蚀衬底的方法制备了自支撑Mo薄膜,发现脱膜前后薄膜表面微观形貌未产生大的变化.     

衬底材料和溅射方法对CNx薄膜膜基结合力的影响

分别将W18Cr4V高速钢和YG8硬质合金作为衬底材料,用直流磁控溅射和射频磁控溅射法制备了CN。薄膜,用划痕法测定了薄膜和衬底材料之间的膜基结合力。结果表明：YG8硬质合金作为衬底材料时薄膜的膜基结合力较高;对YG8硬质合金衬底材料进行适当的腐蚀处理或溅射一层TiN中间层,薄膜的膜基结合力明显提高;对于两种衬底材料,射频磁控溅射法制备的薄膜膜基结合力明显高于直流磁控溅射法制备的薄膜。