PbTe/PbSnTe异质结红外探测器

本文用液相外延方法制备异质n/p结构n-PbTe/p-PbSnTe/p~ -PbSnTe外延片。衬底为汽相法生长的PbSnTe,晶向为(100),外延生长温度为520°～550℃。在纯净氢气氛下长出平整无沾铅的外延片。用台面二极管工艺制备红外探测器,在77K下,十元线列的平均性能分别为D_(10μm)~*=1.94×10~(10)cmHz~(1/2)W~(-1),R_(bb)~*=1.2×10~3V/W,R_0A=0.25Ωcm~2,λ_0=11.6±0.1μm。小光点试验和电学测量表明:电学和光学串音可忽略不计。单元器件D_λ~*最大达2.91×10~(10)cmHz(1/2)W~(-1),R_0A最大达3.4Ωcm~2。噪声频谱测试表明:1/f拐点处的频率可低达30～40Hz。     

Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3单晶紫外可见近红外光学性质

通过温度依赖的透射和反射光谱研究了在准同型相界附近的Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.3PbTiO_3(PMN-0.3PT)单晶光学性质.这种禁带宽度随温度范围不同变化规律不同现象,揭示了PMN-PT单晶温度依赖的复杂相结构.禁带宽度Eg在303 K是3.25 e V,临界点Ea是3.93 e V,临界点Eb是4.65 e V,它们随着温度的上升而下降,在453 K禁带宽度Eg是3.05 eV,临界点Ea是3.57 eV,临界点Eb是4.56 eV.这三个跃迁能量Eg、Ea、Eb分别对应从O 2p到Ti d、Ni d、Pb 6p轨道跃迁.它们随温度上升而下降的变化规律可以用晶格热膨胀和电子声子相互作用理论来解释.通过Tauc-Lorentz色散模型拟合得到了303 K到453 K温度范围的Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O3-0.3PbTiO_3单晶光学常数及其随温度的变化规律,发现折射率n随着温度的升高而升高.     

用HCD灯作金属原子蒸气源的激光光谱研究

利用Ne-Cu HCD灯研究了金属原子蒸气源的光电流光谱和激光荧光光谱,发现了Cu 4p~2P_(3/2)能级的表观寿命随灯电流增加而增大。认为这一现象起因于“共振俘获”效应。     

激光分离铀同位素几个基本问题的初步研究与分析

本文对激光分离铀同位素分子体系(UF_6)的分离系数与产额,温度对UF_6红外吸收光谱结构的影响,建立流动低温装置的必要性与可能性,进行了研究与分析。文中以红外多光子诱导化学反应和红外双频多光子分解方法为对象,建立了分离系数与产额近似的理论公式,并作了详细的分析与讨论,指出:要获得高分离系数与高分离产额应当选择反应过程是非放热的;起始温度低于分子热激发至反应能级所需要的温度;反应特征时间τ_(re)应大于分子在激发态的寿命τ_(mn)和分子问的碰撞时间τ_(col),即τ_(re)■τ_(mn)■τ_(col);激发线宽要窄和同位素吸收光谱要分散开。在理想的情况下,分离系数等于两同位素吸收截面比。本文还研究了温度对UF_6分子振转光谱结构的影响。对不同温度下,UF_6分子振转光谱中P-R 支强峰间距离△ν_(P-R),进行了计算。指出当UF_6气体温度降到100°K 时,△ν_(P-R)值约为室     

碲化铅/碲锡铅异质结构二极管结电阻的温度关系

在28-160K温度范围内测量了液相外延制备的n-PbTe/p-PbSnTe异质结构二极管的零偏压结电阻面积乘积R_oA.采用通常的p-n结模型计算了R_oA的温度关系,并与实验曲线进行比较,结果表明:对于掺杂浓度约10~(17)cm~(-3)、77K的半峰值截止波长为11.5μm的典型二极管,在低于50K时R_oA主要受隧道电流限制.     

FTIR结合光谱反射曲线对叶绿素铜/蒙脱土中间体性能研究

通过插层技术合成了叶绿素铜/蒙脱土(chl-Cu/MMT)纳米中间体,采用傅立叶变换红外光谱(FTIR)结合光谱反射曲线对叶绿素铜/蒙脱土纳米中间体的近红外隐身性能进行研究。测试了叶绿素铜/蒙脱土纳米中间体的X射线单晶衍射图谱(XRD)和红外光谱,结果显示有机物叶绿素铜已成功进入蒙脱土层间。热重分析图谱(TGA)结果显示当有机物进入蒙脱土层间,热稳定性得到改善。结合光谱反射曲线对中间体的近红外隐身性能进行研究,发现叶绿素铜/蒙脱土纳米中间体与天然绿色植物的光谱反射率相一致,研究揭示叶绿素铜/蒙脱土纳米中间体达到近红外隐身功能,在军事作战中可以模拟背景植物的光反射特性。     

退火温度对Tb催化GaN纳米棒的影响

用稀土金属铽(Tb)作催化剂,通过磁控溅射和退火氨化法成功制备出大量单晶GaN纳米棒,并研究退火温度对GaN纳米棒表面形貌、晶体质量和发光特性的影响。扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)测试结果显示,随着退火温度的升高,纳米棒的直径和长度增大,结晶质量先变好后变差,PL测试发现了位于369nm处的强发光峰和387nm处的弱发光峰,其发光强度随退火温度的升高先增强后减弱,发光峰的位置并不改变,进而得出了制备GaN纳米棒的最佳退火温度为950℃。利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对950℃下制备的样品进行检测,结果显示样品为六方纤锌矿结构的单晶GaN纳米棒。     

快速退火温度对Ag/SrTiO_3/p~+-Si器件阻变特性的影响

采用溶胶-凝胶结合快速退火工艺在p~+-Si基片上制备了Sr Ti O_3薄膜,构建了Ag/Sr Ti O_3/p~+-Si结构的阻变器件,研究了退火温度对薄膜微观结构、阻变特性的影响。结果表明:不同退火温度下薄膜均呈结晶态,并且随退火温度升高,薄膜晶粒有增大的趋势,当退火温度为750℃时,薄膜的衍射峰不明显并且有杂峰出现。不同退火温度下Ag/Sr Ti O_3/p~+-Si器件都具有明显的双极性阻变特性,但退火温度为850℃与900℃的器件在扫描电压达到某一值时电流会出现一个极小值;经850℃退火处理的器件具有更高的高低电阻比(103～104)。当退火温度为800℃及更高时,器件在高阻态下的导电机制以肖特基势垒发射机制为主;低阻态的电荷传导机制则遵循空间电荷限制电流机制(SCLC)。器件在200次可逆循环测试下,退火温度为850℃时表现出较好的抗疲劳特性。     

掺杂Nd3+对CLST陶瓷微波介电性能的影响

用固相法制备了x(Ca0.61Nd0.26)TiO3(1-x)(Li1/2Sm1/2)TiO3(CNLST)(x=0.3～0.6)微波介质陶瓷,研究了掺杂Nd3+对CaTiO3-Li1/2Sm1/2TiO3(CLST)陶瓷介电性能的影响。结果发现,该体系在掺杂Nd3+后均形成钙钛矿结构,其介电常数εr和谐振频率温度系数τf均随x的增大而增加,品质因数与谐振频率的乘积Qf值随x的增大而降低;当x=0.48时,在1 150 ℃预合成,1 250 ℃烧结保温3 h得到材料的微波介电性能：εr=123,Qf=4 122 GHz（f=1.5 GHz）,τf=0.8 μ℃-1。     

锌在磷化铟单晶中扩散行为的研究

本文采用 Zn_3P_2作扩散源进行真空闭管扩散,对锌在 InP 单晶中的扩散行为作了研究。通过实验给出了扩散系数与温度的关系,并得到了锌在InP 单晶中的激活能。通过实验发现:在相同扩散温度下表面受主浓度随结深加大而减少。采用空位随时间变化的模型解释了这一实验结果,研究了高阻衬底片 p-n 结显示时出现双线的问题。     

硅中碳含量的低温红外光谱测量和碳带的温度特性

本文报告了硅单晶中替位碳红外吸收带温度特性和光谱分辨率对碳带特征参数影响的研究结果.在 80～310K温度范围,碳带半宽度随测量温度降低而线性减小,吸收系数和峰位分别随温度下降而线性增加和有规律地向高频方向移动;液氮温度时碳带吸收系数较室温增加一倍;低于液氮温度时碳带特征参数不随测量温度而变.不同光谱分辨率(1-4cm~(-1))测量结果表明:碳带吸收系数和半宽度分别随光谱分辨率提高增加和减小.室温和液氮温度碳含量的定量测量,光谱分辨率分别以2cm~(-1)和1cm~(-1)为宜.     

锗雪崩光电二极管(Ge-APD)

本文叙述了用全离子注入技术制作的p~+n Ge-APD。其光谱响应范围0.75—1.7μm。在1.28μm波长下,量子效率高达88%。M=10时过剩噪声因子一般为8～9,最小达到7.0dB。响应时间为:上升时间t_r=120PS、半宽τ=220PS,下降时间t_f=200PS。     

浅结欧姆接触研究

本文研究Al(Al-Si)/n~+(p~+)多晶硅/n~+(p~+)Si结构和Al-Si/n~+(p~+)Si结构的比接触电阻和反向漏电。结果表明,浅结时,Al/n~+(p~+)多晶硅/n~+(p~+)Si结构是良好的接触结构     

MBE-GaAs/Si材料应变层的调制光谱研究

本文采用光调制反射光谱(PR),双晶衍射(DCRD),光荧光激发光谱(PL)等技术研究了MBE-GaAs/Si异质结材料GaAs层的应变情况,以及从不同温度快速热退火后GaAs/Si(PR)谱的变化可看出GaAs外延层应变随退火温度增大而增大,GaAs能隙则随之下降,考虑到应力随温度变化因素后这些不同的测试方法所得的结论与(PR)谱结果基本一致。因此用室温光反射调制光谱对于检测室温下GaAs/Si材料的质量,剩余应力等是方便而有力的方法。     

脉冲准分子激光大面积扫描沉积V2O5光电薄膜及光谱分析

采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术 ,在透明导电玻璃 (ITO)及Si(1 1 1 )单晶基片上沉积了尺寸达 4× 4cm2 ,具有高c轴 (0 0 1 )取向生长的V2 O5薄膜。采用X射线衍射 (XRD)、拉曼光谱 (RS)、傅里叶红外光谱 (FT IR)对沉积及不同温度下退火处理的样品结构和光谱特性进行了研究。     

用Judd-Ofelt理论计算Nd~(3+)离子在LaMgAl_(11)0_(10)单晶中的光谱参数

本文根据Judd-Ofelt理论,利用LaMgAl_(11)O_(19)单晶中Nd~(3+)离子的7个收光谱支项和~4F_(3/2)→~4I_(9/2,11/2,13/2)的三个荧光带计算了谱线强度,振强度,强度参量Ω_(2,4,6),电偶极子跃迁几率及荧光分支比等光谱参数。     

p/p~ Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te液相外延层等离子体的红外反射光谱

本文报道了对具有高浓度衬底的P型Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te液相外延层(P-Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te/p~ -Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te),用红外光谱仪测量的实验反射光谱以及用解光导纳方程的方法所获得的计算反射光谱,然后用曲线拟合技术修改参数,使计算光谱与实验光谱一致,最后得出在这样的外延层中载流于浓度的分布具有如下形式:log P=az~2 bz c.P为载流子浓度,|z|为外延层内各截面到衬底之距离,a,b,c为常数且均大于零.     

光谱感应红外辐射手册

据《应用光学》80年11月这期介绍,本光谱感应红外辐射手册是专为从事红外系统设计人员而写的。为了设计,要能够计算探测器对红外源辐射的响应,通过大气的一段路程和由接收系统本身滤去的辐射也包括在内。这一套数据,便于对尽可能广泛的应用作出计算,这里提供出很有用的两个量的数值,就是为了这个目的。第一个量是A_λ=τλ(T)τ_(λα)φλ△λ,其中τ_λ(T)是温度 T 时绝对黑体的光谱辐射密度,τ_(λα)是大气透射系数,和φλ是探测器对波长λ的辐射的响应。对于许多实际情况,这几个量都是常用的。光学系统含有的和彼此有别的辐射源的各个具体的量,可用τ和ε_λ乘以 A_λ加以计算。τ是所有光学系统的光谱透射系数,ε_λ是辐射源的发黑度平均值。概列出有关波长范围内的结     

硅中铂能级的DLTS研究

用深能级瞬态谱(DLTS)研究了铂在N型和P型硅中引入的能级.制备了p~+nn~+深结,p~+n和n~+p浅结,Au/n-Si和Ti/p-Si肖特基等五种掺铂样品.分析各种样品的测试结果得到:过去报道在p~+nn~+深结中测得的Ec—0.34eV能级并不存在于N型硅中,该DLTS谱峰来源于p~+nn~+结P型区内的空穴发射.     

CdS单晶的激子发射与激光

本文报导材料中的杂质与缺陷对 CdS 单晶的光致发光(PL)中激子光谱的影响。发现自由激子 Ex 及其声子伴线Ex—LO,Ex—2LO 的发射强度随 CdS 的纯度提高而增加。在 N_2激光器337.1nm 线激发下 CdS 单晶的受激发射和激光起源于 P 带。用天然解理面作谐振腔制成激光器,在337.1nm 光的泵浦下可以获得波长为495.4nm 的激光输出,其半高宽(FWHM)1.3nm,阈值激发密度0.8MW/cm~2。