高T_cYBa_2Cu_3O_x中Cu离子价态的H_2~+束流光谱研究

对高T_c YBa_2Cu_3O_x及名义组成为YBa_2Ag_3O_x和YBa_2Cu_(1.5)Ag_(1.5)O_x体系进行了H_2~+束流光谱的比较研究,证实YBa_2Cu_3O_x的束流光谱主要是Cu离子的贡献。通过对谱带的指认,讨论了Cu离子可能存在的价态。     

高Tc超导GdBa_2Cu_3O_7薄膜弱连接双晶结研究

为了获得具有约瑟夫逊效应的超导弱连接结，我们在ＹＳＺ（钇稳定的氧化锆）双晶基片上，制备了高ＴｃＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７超导薄膜，晶界夹角为２４°和３２°两种，采用光刻技术的晶界上刻出不同尺寸的微桥，晶界贯穿桥区而形成双晶结，观测了结的直流１－Ｖ特性和在１０ＧＨｚ微波辐照下临界电流的压缩和Ｓｈａｐｉｒｏ台阶，实验结果证明双晶结具有约瑟夫逊弱连接行为，在实验基础上，对结的特性进行了理论分析，并将双晶结用于光探测获得成功。     

高临界温度超导材料BiSrCaCu_2O_y的电子显微镜研究

新的高Tc超导材料B:SrCaCu_2O_y具有两个主要的超导相,它们的超导转变温度分别为89k(称之为A相)和110k(称之为B相)。电子衍射分析得到A相和B相的平均结构都是正交晶胞。A相的晶胞参数为a=0.541nm。b=0.543nmc=3.07nm,B相的晶胞参数为a=0.541nm,b=0.543nm,c=3.68nm。图1 a、b分别是A相沿[001]和[110]方向的高辩象,沿b方向有无公度的调制,调制周期约为2.53nm。这种超导材料具有沿c方向的层状组织,并且A相和B相存在交生(图2)。此外也观察到沿c方向周期为2.48nm的铋锶钙铜氧化物。     

ZnO单晶薄膜光电响应特性

对采用MOCVD方法沉积的ZnO单晶薄膜的欧姆接触特性、光电特性进行了研究,并对比研究了射频溅射沉积SiO2抗反射膜对ZnO薄膜I-V、光电特性的影响.实验结果表明,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO形成了良好的欧姆接触,溅射沉积SiO2在ZnO表面引入了载流子陷阱,影响I-V特性,延长了光响应下降时间.ZnO单晶薄膜光电导也具有时间退化现象.     

ZnO单晶薄膜光电响应特性

对采用MOCVD方法沉积的ZnO单晶薄膜的欧姆接触特性、光电特性进行了研究,并对比研究了射频溅射沉积SiO2抗反射膜对ZnO薄膜I-V、光电特性的影响.实验结果表明,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO形成了良好的欧姆接触,溅射沉积SiO2在ZnO表面引入了载流子陷阱,影响I-V特性,延长了光响应下降时间.ZnO单晶薄膜光电导也具有时间退化现象.     

电子辐照导致(Bi,Pb)_2Sr_2Ca_2Cu_3O_y产生的结构变化

在2212和2223体系的超导氧化物中,普遍存在叠加在平均结构上的无公度调制波。对Bi系超导体,普遍认为Bi_2O_2双层上的O分布对调制结构的形成起着重要的作用。为进一步理解其结构调制现象的物理本质及Bi_2O_2层中O原子的作用,本文利用原位TEM实验,观察Bi_(1.85)Pb_(0.15)Sr_2Ca_2Cu_3O_y样品在电子辐照下的结构变化。TEM样品采用研磨法制备,将解理的片状晶体捞在Cu网支撑的C膜上进行TEM原位观察。所用电镜为H-800,加速电压为200kV。首先在1μm束斑下拍摄样品[001]晶带的选区电子衍射花样(EDP),然后改用5μm电子束斑,并且增加第二聚光镜C_2电流,使光束聚焦在样品上,以增加辐照强度,并按顺序拍摄同一区域在不     

薄膜光伏材料Cu_2ZnSnS_4的研究现状

铜锌锡硫(CZTS)薄膜因其良好的光学、电学特性和组成元素储量丰富成为研究的热点。本文介绍了CZTS薄膜材料的基本性质,并着重介绍了其制备工艺及研究现状。     

YBa_2Cu_3O_（7─δ）超导光电探测器件的研究

本文针对超导光电探测器件中测辐射热和光致非平衡两种机理进行了理论分析，给出了器件响应率的计算方法，实验测量了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ晶状膜和外延膜光电器件的探测特性，并将实验测量结果与所提出的理论模型进行了比较，制备出性能指标较高的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高温超导薄膜光电探测器件。     

高电阻率CdSSe光电导薄膜

采用真空热蒸发工艺,用掺杂(Cu,Cl)敏化的方法制备高电阻率的CdSSe 光电导薄膜。并测试了不同制备条件和不同热处理工艺下样品的光电导性能。最后讨论了主要的制备工艺参数对 CdSSe 光电导性能的影响。用这种工艺制备的 CdSSe 光电导薄膜,用于液晶光阀空间光调制器件上,得到了很好的效果。     

光伏新材料a-CN_x薄膜的光电响应性质

采用离子束溅射反应沉积技术,以高纯N2 为工作气体,利用在不同气压下产生的离子束轰击石墨靶,在石英基片上溅射出的碳原子与氮离子反应,沉积出a- CNx 薄膜.在室温下,研究薄膜的暗电导和在卤素光源照射下的光电导、光响应增益、响应时间等性质,以及制备工艺和掺杂、氢化对这些性质的影响及关系.实验结果表明:未掺杂的a- CNx 薄膜的光响应增益达1 8,磷掺杂薄膜的光响应增益为3.0 ,经过氢化处理的未掺杂a- CNx 薄膜的光响应增益为30 ,光响应时间大约为30 0 s.     

光伏新材料a-CNx薄膜的光电响应性质

采用离子束溅射反应沉积技术,以高纯N2为工作气体,利用在不同气压下产生的离子束轰击石墨靶,在石英基片上溅射出的碳原子与氮离子反应,沉积出a-CNx薄膜.在室温下,研究薄膜的暗电导和在卤素光源照射下的光电导、光响应增益、响应时间等性质,以及制备工艺和掺杂、氢化对这些性质的影响及关系.实验结果表明:未掺杂的a-CNx薄膜的光响应增益达18,磷掺杂薄膜的光响应增益为3.0,经过氢化处理的未掺杂a-CNx薄膜的光响应增益为30,光响应时间大约为300s.     

埋藏有Ag超微粒子的Cs_2O薄膜光电时间响应的研究

超短光脉冲技术的发展对检测材料提出了时间响应的要求．本文对超微粒子薄膜光电发射材料的时间响应进行了研究，讨论了时间传递扩展（ＴＴＳ）和峰值响应时间（ｔＭ）．超微粒子薄膜光电子的时间响应随入射光子能量的增大而增加，薄膜表面位垒的下降可使光电灵敏度提高，但光电子的时间响应因增加而会变差．本文以Ａｇ－Ｏ－ＣＳ薄膜为例，计算了不同情况下光电子从Ａｇ超微粒子穿过Ｃｓ２Ｏ半导体层跃迁到真空的时间响应，得到该薄膜在１．０６μｍ红外光作用下，光电子的时间响应约５０ｆｓ．     

大面积多壁碳纳米管薄膜光电响应实验

为了研究大面积多壁碳纳米管(MWNTs)的光电响应特性,利用剥离技术和旋涂法制备了大 面积MWNTs薄膜器件;采用532nm激光作为激励光源,当激光照射薄 膜器件不同位置时,测试其光电流和光电 压。实验结果表明,激光诱导产生的光电流/电压与光照位置有关,当光照位置在器件两端 时,光电流、光电压 最大,两端的光电流分别为0.04μA、－0.06μA和光电压分别为0.04mV、－0.06mV; 当激光照射在器件几 何中心时,光电流、光电压趋于0。分析表明,光热电效应是光电流、电压产生和变化的主 要原因。     

YBa_2Cu_3O_（7－δ）高温超导薄膜微桥结在微波辐照下的响应特性

采用偏轴宜流磁控溅射原位生长ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δａ高温超导薄膜，以Ｈ３ＰＯ４为腐蚀液，采用化学湿刻工艺制作ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高温超导薄膜微桥，微桥长１０μｍ，宽５μｍ，在８ｍｍ微波源的辐照下，除观察到整数常压台阶外，还观察到ｎ＝１／２，１／５，６／５，９／５等分数常压台阶，分数台阶的高度随微波功率的变化较整数台阶更敏感．     

YBa_2Cu_3O_（7－δ）高温超导薄膜线列探测器的研究

采用准分子激光扫描消融法淀积性能均匀的ＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_（７－δ）高温超导薄膜，用离子束刻蚀进行器件的图形制备，获得了非均匀性小于１０％的ＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_（７－δ）高温超导薄膜８元线列探测器．测试了器件在８～１４μｍ波段的性能及光响应特性，单元探测器为４０×１００μｍ２的微桥结构．器件的平均归一化探测率为１．４４×１０９ｃｍＨｚ１／２ｗ－１，平均噪声等效功率为４．４×１０－１２ＷＨｚ－１／２，Ｄ的非均匀性小于１０％．研究结果表明：该线列探测器具有良好的均匀性，证实了该工艺适用于制备均匀性良好的高温超导薄膜红外探测器阵列．     

YBa_2Cu_3O_(7-x)超导薄膜的离子束改性

本文主要研究了离子注入对YBa_7Cu_3O_(7-x)薄膜超导性质的影响.测量了Ar离子注入剂量与超导转变温度T_c之间的关系.实验结果表明,高质量的YBa_2Cu_3O_(7-x) 超导薄膜具有一定的抗辐照性.随着注入剂量的增加,临界电流密度I_c下降很快,但零电阻转变温度T_c却下降较慢.分析和讨论了离子注入对YBa_2Cu_3O_(7-x)中一维Cu-O链和二维Cu-O面的影响,探讨了离子束改性手段在YBa_2Cu_3O_(7-x)超导薄膜图形加工中应用的可能性.     

氮δ掺杂Cu_2O薄膜的生长及物性研究

采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术,以NH3为掺杂源,制备了氮δ掺杂Cu_2O薄膜,研究了N掺杂对Cu_2O薄膜表面形貌、光学及电学性质的影响。研究结果表明,N掺杂引起了晶格畸变,Cu_2O薄膜的表面粗糙度增大;掺杂后Cu_2O薄膜的带隙宽度从2.70eV增加到3.20eV,吸收边变得陡峭;掺杂后载流子浓度为6.32×1019 cm~(-3),相比于未掺杂样品(5.77×1018 cm~(-3))的提升了一个数量级。     

射频磁控溅射法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜

利用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜,薄膜在室温下生长,再在Ar气氛中快速退火。通过X射线衍射、X射线电子能谱、原子力显微镜和吸收谱研究了退火温度对薄膜结构、组分、形貌和禁带宽度的影响。结果表明,所制备样品为Cu2ZnSnS4多晶薄膜,具有较强的沿(112)晶面择优取向生长的特点,薄膜组分均为富S贫Cu,样品表面形貌比较均匀。退火温度为350,400,450和500℃的薄膜样品的禁带宽度分别是1.49,1.53,1.51和1.46 eV。     

高温超导薄膜GdBa_2Cu_3O_(7-x)的制备和分析

我们用原位直流磁控溅射的方法,在(100)SrTiO_3,(110)SrTiO_3,(100)LaAlO_3和(100)Zr(Y)O_2衬底上制备了高质量外延生长的GdBa_2Cu_3O_(7-s)高温超导薄膜,重复性非常好.在这四种衬底上生长的超导薄膜最高零电阻转变温度 Tco分别为 93.2、93.1、92.6和 92.5K,77K零场下的临界电流密度分别为 3.0 ×10~6,3 × 10~5,3.6 ×10~6和 1.4 × 10~6A/cm~2.我们用扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM),反射高能电子衍射(RHEED)和不同几何结构的X射线衍射研究了薄膜的结构,这些研究结果证明薄膜系外延生长的.     

光电变色器件用􀀂 TiO2 薄膜研究

介绍了光电变色器件的发展背景、结构原理以及应用领域。通过制备在光电变色器件中起着重要作用的TiO2薄膜，并对实验数据进行分析，研究了光电变色器件制备的可行性。