晶体管放大器三种组态的En—In噪声分析与比较

准确评价晶体管三种组态的噪声性能是低噪声放大器电路组态优化设计的关键。本文在晶体管三种组态Ｅｎ－Ｉｎ噪声分析等方面给出了若干新结果。     

晶体管放大器偏置电路的噪声计算

本文首次给出了晶体管放大器三种电路组态各管脚偏置噪声的计算方法。该方法能够定量模拟晶体管放大器不同工作状态下的偏置噪声，从而为晶体管放大器偏置电路的噪声分析和低噪声优化设计提供了有利的工具。     

选极F型封装功率晶体管

选极F型封装功率晶体管,简称选极晶体管,是一种具有F型封装外型,制造时可根据整机电路组态需要选择芯片电极与管座电连通状态的功率晶体管。以双极型晶体管为例,对于同一型号,具有发射极接壳、基极接壳、集电极接壳、电极均不接壳四种接壳方式,可分别与共射、共基、共集电极三种电路组态匹     

场效应晶体管输入电容低频振荡与沟道掺杂分布的关系

场效应晶体管输入电容低频振荡与沟道掺杂分布的关系＝［刊．俄］／－１９９３．２２（２）．－１５～１９肖特基势垒场效应晶体管广泛地用于一系列较高强度低频振荡设备之中。基本上有如下三种主要途径来改善肖特基势垒场效应晶体管器件的超高频噪声特性；１）使这些器件...     

微波功率晶体管的金属气密封装

提出了晶体管自身组态与电路组态匹配的思想,介绍了一种微波功率晶体管的金属气密封装--选极F型封装技术.还介绍了1.5GHz和2.0GHz选极F型封装微波功率晶体管的技术指标和功能特征.     

双极晶体管g－r噪声模型与深能级分析

本文根据发射结空间电荷区深能级缺陷诱生ｇ－ｒ噪声机构，建立了双极晶体管ｇ－ｒ噪声定量分析模型，从而对实验上观察到的双极晶体管ｇ－ｒ噪声的偏置特性作出了合理的解释．基于该模型，提出了一种利用ｇ－ｒ噪声测量确定双极型器件深能级参数的新方法．     

采用场效应晶体管的低噪声光电探测电路

光电二极管后接结型场效应晶体管的光电探测电路,可提供低频散粒噪声限性能。采用现有的微波场效应晶体管,散粒噪声限性能的频带宽可扩展到兆赫范围。低噪声光电探测器用光电二极管可探测的最小信号功率通常受放大器噪声,而不是光电二极管噪声的限制。不过,在光电二极管后接一个场效应晶体管放大器,可大大改进信噪比。对于临界频率f_c以下的频率,可获得散粒噪声限性能,所以,光电二极管与场效应晶体管组合就成了光电参量上变频器、光电倍增管及低频雪崩光电二极管的劲敌。在下面的讨论中,假定光电二极管接到共源组态的场效应晶体管的栅极上。参照图1,信噪比很容易计算。此图中,反向偏置光电二极管由结电容C_d与串联电阻R_s表     

选极F型封装功率晶体管

选极F型封装功率晶体管,简称选极晶体管,是一种具有F型封装外型,制造时可根据整机电路组态需要选择芯片电极与管座电连通状态的功率晶体管。以双极型晶体管为例,对于同一型号,具有发射极接壳、基极接壳、集电极接壳、电极均不接壳四种接壳方式,可分别与共射、共基、共集电极三种电路组态匹配使用。其电路符号如图1所示。图中大圆圈代表金属管壳,小圆点指示与金属管壳电连接的电极,从左至右依次为E壳、B壳、C壳、壳悬浮(F壳)四种接壳方式。     

晶体管爆裂噪声的积分双谱检测方法研究

本文根据对积分双谱分布特性分析，论证了晶体管爆裂噪声是服从非高斯且非对称分布的，并提出可利用积分双谱方法来检测晶体管爆裂噪声．     

多晶硅发射极晶体管的低频噪声特性

本文报导在2～2kHz的频率范围内测得的多晶硅发射极晶体管的低频噪声频谱,并论述低频噪声的产生机理。多晶硅发射极晶体管具有较常规晶体管优异的低频噪声特性而可望成为一种合适的低频低噪声器件。     

结型场效应晶体管的负阻理论

本文提出了一种场效应晶体管中电压控制的负阻的一般理论。按照源-栅电压、源-漏电压及夹断电压之间的关系,用数学的方法确定了负阻的必要条件。这里给出了对于场效应晶体管的栅具有正反馈作用的各种电路组态。还给出了理论实际应用的三个基本例子。     

驻极体传声器的稳定性分析

１引言目前各领域对半导体器件的稳定性和可靠性要求愈来愈高，促使器件的质量不断改进提高。在电声领域，对传声器专用管的质量，提出了更高要求，在这种情况下，更不能忽视传声器的稳定性问题。多年的生产经验证明，两者是密不可分的。２结型场效应晶体管的２种组态电路通常，场效应管在小信号交流放大电路应用时，可分为共源组态和共漏组态２种电路形式。众所周知，共源组态的漏极输出电路就没有共漏组态的源极跟随器那样稳定。下面对２种电路及其等效电路进行分析和比较。２．１共源组态共源组态的交流放大器电路图如图１（a）所示，其…     

工作在液氮温度下的低频低噪声双极晶体管的研究

对双极晶体管的低温物理模型和低频噪声模型进行了研究，认为低温下硅双极晶体管电流增益下降的主要原因是低温下非理想基极电流的增加。同时指出，低温下硅双极晶体管１／ｆ噪声的增大，是由于低温下电流增益的减小和载流子在体内和表面的复合增加。通过优化设计，做出了一种低温、低频、低噪声硅双极晶体管。测试表明，在室温（３００Ｋ）下，电流增益、低频转折频率、１ｋＨｚ点的噪声电压分别为β≥８００，ｆ＿Ｌ≤３０Ｈｚ，Ｅｎ（１ｋＨｚ）≤１．５ｎＶ／　　；低温（７７Ｋ）下，电流增益、低频转折频率、１ｋＨｚ点的噪声电压分别为β≥３０，ｆ＿Ｌ≤３００Ｈｚ，Ｅｎ（１ｋＨｚ）≤１．２ｎＶ／。     

短沟道砷化镓场效应晶体管的噪声性能

砷化镓肖特基势垒场效应晶体管的噪声性能已在理论和实验上作了研究。已经发现,当偏置加于夹断区时,砷化镓场效应晶体管还有另外一种噪声源——谷间散射噪声。研究了这种噪声源并提出了一种新的晶体管噪声模型。在2～10千兆赫频率范围内,测量和计算的噪声系数很好地一致。可以看出,减薄沟道厚度可减小谷间散射噪声的影响。该器件在 X 波段下具有极好的增益和噪声特性。     

基于SiGe HBT 的射频有源电感的设计

基于回转器原理,提出利用两个SiGe异质结晶体管,通过采用不同组态构成四种射频有源电感,其中包括两种正电感和两种负电感,并对它们的性能进行了比较.结果表明,共射组态与共集组态构成的有源电感的性能最优异,并就此做了详细讨论.在带宽为1～15.8 GHz的范围内,其电感值可以达到1 nH以上,电感的品质因数最大值达到75.4.通过调节晶体管的偏置电压,有源电感的电感峰值在1.268 nH-1.914 nH范围内变化.电感值的可调谐性对增强电路设计的可复用性及灵活性具有现实意义.     

简易自动晶体管特性图示仪

该简易自动晶体管特性图示仪以AT89S52单片机为控制核心,由D／A来输出扫描电压和阶梯电流,可以自动识别晶体管的管脚与极性,并测量共射组态下三极管的特性曲线与主要参数以及稳压二极管的反向伏安特性。系统采用示波器作为图形显示终端．可直接从示波器上观察到稳压二极管、三极管的特性曲线．并可同时测量晶体管的主要参数：交／直流电流放大倍数、反向饱和电流Iceo和H参数。     

一种低功耗低噪声相关双取样电路的研究

为了尽量在前级消除CMOS图像传感器读出电路中的主要噪声源，本文提出一种低功耗低噪声的相关双取样电路，开关晶体管采用PMOS晶体管代替传统的NMOS晶体管，避免了NMOS管的阈值损失，有效地降低功耗而不减小信号摆幅，降低了1/f噪声。与传统CDS电路相比较，所提出的CDS电路的输出采用对称列选通开关和源跟随晶体管，减少了两个电流源晶体管和一个偏置电源，有效地降低了功耗：同时，现有工艺能制造出性能匹配很好的对称晶体管，有效地消除器件本身由于阈值偏差带来的固定平面噪声。模拟结果表明，在电源电压为3．3V的情况下，像素单元响应动态范围(输出幅值接近电源电压)较宽，像素单元及CDS正常工作时消耗的能量是1．73μW。     

低温、低频双极晶体管的噪声分析

建立了低温双极晶体管的低频噪声模型，对低温、低频双极晶体管的噪声进行了分析，并给出了噪声电压随工作温度、工作电流以及频率的三维变化曲线，指出了双极晶体管获得最小噪声的最佳工作温度和最佳工作电流。通过对低温双极晶体管的ＣＡＴ噪声测试，证明了我们的噪声分析结果。     

硅低温低频低噪声双极晶体管的分析与设计

对硅双极晶体管低频噪声的本征与非本征两种分量进行了系统的理论分析，并研究了各自的温度特性，在此基础上，设计并研制出一种多晶硅发射极低温低频低噪声晶体管，其等效输入噪声电压。     

低温低频低噪声双极晶体管

对双极晶体管的低温效应和低温低频噪声特性进行了研究。明确了双极晶体管的电流增益和低频噪声随温度的变化规律。指出低温双极晶体管获得最小噪声电压的途径。