包SiC的硅外延基座材料

生产大规模集成电路用的硅外延片,易被直接接触的石墨基座沾污,造成“自渗杂”。本文试用LPCVD法在硅片外延用的石墨基座表面包复SiC,获得厚～20微米,致密均匀,纯度很高的α-SiC涂层,在硅片外延时有效地防止了石墨基坯中的碳和其它杂质对硅片的沾污。在生产应用试验中制得了高质量的硅外延片。     

生产4英寸硅片的分子束外延设备

据日本电报电话公用公司报道,由该公司设计,经Anelva公司制造的硅分子束外延设备能大量生产4英寸的硅外延片。生产一片外延片需20分钟,最高的生长速率为20(?)/s。硅片沉积室50cm~3。硅片可以旋转,整个片子上的厚度均匀性变化<±5％。掺杂剂为锑,掺杂均匀度变化<±10％。均匀度的变化反应整个硅片上温度变化±5℃。加     

硅外延及其应用

介绍了硅外延生长技术,综述了应用于硅外延的分子束外延（MBE）、化学气相沉积（CVD）、液相沉积（LPE）三种工艺,并介绍了Si基外延材料器件的应用。     

硅外延片中的杂质控制

有5类掺杂源影响硅的外延片中的杂质分布。主掺杂质控制外延层的杂质浓度，决定外延层的电阻率。固态外扩散、气相自掺杂和系统自掺杂影响衬底界面附近的外延层杂质浓度的深度分布。该文介绍了此3类掺杂源的掺杂过程和抑制方法。金属杂质在外延层中对器件有害，防止沾污和使用吸杂技术能降低金属杂质在外延层中的浓度。     

MBE法生长硅薄膜

以乙硅烷(Si_2H_6)为气体源,在Si(001)基底上均质外延生长了不掺杂硅薄膜。基底温度为533～1000℃,在此温区内均可获得单晶外延层。文章探讨了外延层生长速率、结晶度和杂质在晶体生长过程中的再分配问题。700℃制成的试样为 n     

硅外延生长设备的最新进展

在 MOS 电路(特别是 CMOS 电路)迫切地要求采用外延材料的促进下,硅外延生长设备得到了飞速的发展。本文综述了几种工业上大量采用的常规外延反应器和最近新发展的几种新型外延反应器的性能。     

间歇精馏法生产硅外延用的高纯SiCl_4

按本文所述的方法可以生产供硅外延使用的高纯SiCl_4,其化学纯度可达8个“9”以上;生产不掺杂n/n~+硅外延层(厚度为40～50微米)的电阻率在100欧姆-厘米以上。最高可达300欧姆-厘米;生产不掺杂n/n~-硅外延层(厚度500～1500微米)的电阻率在300欧姆-厘米以上,最高可达700欧姆-厘米,其平均霍耳迁移率为1735厘米~2/伏·秒,接近本征硅的霍耳迁移率(～1900厘米~2/伏·秒)     

等离子体增强化学气相淀积硅外延新技术

本文评述了等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)硅外延技术的发展。叙述了PECVD外延的基本原理、设备与工艺以及目前取得的最新实验结果。同时也指出了PECVD外延在用于工业生产时所必须克服的困难。     

异戊醇萃取分离钼酸钠溶液中微量硅的研究

对钼酸钠溶液中的微量杂质硅的萃取分离进行了研究。结果表明,在一定条件下,溶液中的硅能够被异戊醇非常高效地去除。试验研究了最佳的反应条件以及影响萃取分离的主要因素。在硅钼杂多酸形成阶段,当初始反应的pH为0.7~1.0,低浓度和高浓度的钼酸钠与硅酸反应都比较完全;用异戊醇对硅钼杂多酸进行萃取分离时,溶液中氢离子、硅、钼酸钠的浓度等对萃取率均有影响;当水相的起始pH为0.5左右,硅和钼酸钠质量浓度分别为40 mg/L和50 g/L时,经过三级逆流萃取,硅的萃取率可达98%以上。     

关于电硅热法生产硅钙铁炉内主导反应的探讨

电硅热法生产硅钙铁,使用硅铁、石灰,外加部分萤石为原料。其原理就是用硅铁中的自由硅还原石灰中的钙,生成硅钙铁合金。该还原反应沿用苏联P.C,里雅夫提出的反应式。     

硅电阻率与杂质浓度之间关系换算程序

上冶二厂技监科硅检验站,最近引进一台美国MDC公司的RM-1600型自动C-V测试仪。该仪配有IBM-PC个人计算机,能自动测试硅外延片,砷化镓和MOS器件等四十多种参数。偏压能从0加到100V,并能克服漏电流对测试的影响。目前主要用于外延片C-V特性曲线和杂质浓度取向分布的测试。     

SOI材料的制备技术

SOI材料被誉为“二十一世纪硅集成电路技术”的基础。它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等 ,在超大规模集成电路、光电子等领域有广阔的应用前景。介绍了注氧隔离、智能剥离、硅片剥离及外延层转移等几种主要的制备SOI材料的方法及近期相关的研究成果。降低制造成本、提高材料质量以及获得足够薄的顶部硅层是近年来SOI材料制备技术改进的目标     

集成电路用硅基材料分离纯化技术的应用研究进展

硅基材料是集成电路制程中的关键材料之一，广泛应用于外延、化学气相沉积、离子注入、掺杂、刻蚀、清洗、掩蔽膜生成等工艺。硅基材料的纯度直接影响着集成电路的性能、集成度、成品率。文章阐述了在集成电路用硅基材料中应用较多的分离纯化技术的原理与应用进展，包括吸附精馏、络合精馏、亚沸精馏、减压精馏、光氯化、循环过滤等，比对了各种分离纯化技术的优缺点，并对硅基材料提纯的前景进行了分析和展望。     

综合吸除对硅外延片（N／N^＋）性能的影响

本文介绍了使用扫描电镜（ＳＥＭ）、扩展电阻（ＳＲ）、瞬态电容（ｃ－ｔ）和化学腐蚀等技术，对采用不同吸除工艺的重掺Ｓｂ衬底的硅外延片（Ｎ／Ｎ＋）性能进行了研究。结果表明，综合吸除技术不仅能有效地改善Ｗ／Ｎ＋硅外延片的电性能（τｇ）和明显地降低外延层上的表面缺陷密度，而且对硅片剖面的电阻率分布也无影响。文中还对综合吸除的机理作了初步探讨。     

含硅矿物在预脱硅和溶出过程中的行为初探

介绍了铝土矿含硅矿物的种类及其晶体结构,分析了主要含硅矿物在拜耳法生产氧化铝预脱硅和溶出过程中的行为,分别得出了含硅矿物在拜耳法预脱硅和溶出过程中的反应条件,为今后的设计和生产提供建议。     

访问美国“硅谷”观感——发展硅材料工业刻不容缓

今年六月初,上海有色金属研究所副所长兼总工程师曹国琛赴美国“硅谷”进行考察,参观了有关工厂的生产车间、部件、组装调试和检验车间,应用实验室、测试检验室,设计室,超净试验室,酸洗间以及劳动防护等设施;参观了红外辐射加热外延炉、等离子刻蚀设备、高频等离子沉积设备、减压化学气相沉积系统、高压硅连续氧化系统、光刻机、单晶炉、无腊抛光机等新型先进设备;还参观了世界闻名的斯坦福大学的电子加速器试验车间,并应邀参加了AMI外延设备工艺技术讨论会;曹国琛高级工程师还就半导体材料、设备的发展前景,多晶硅、单晶硅、太阳能级硅、硅的外延生长、减压CVD等工艺技术和经济效益问题,     

LF炉冶炼SPHD控制硅含量生产实践

为有效控制低碳低硅钢冶炼过程增硅,对低碳低硅铝镇静钢SPHD各工序生产实践增硅因素进行了分析.结果表明:转炉过吹及出钢过程下渣是钢水增硅的重要原因;LF精炼过程钢水增硅主要发生在较强的还原气氛下,钢中的铝与精炼渣中的SiO2反应,以及钙处理工艺也是钢水增硅的重要因素.     

硅外延的新工艺——低温液相外延

据报道,最近西德马克斯——布朗克固体研究所,已研究了一种在Ga溶液中液相外延硅的新方法,与汽相外延及一般液相外延法比较,此法具有更低的沉积温度,较高的沉积速率,品格缺陷密度低和少子寿命较高等优点。该工艺简述如下:采用浸溃法,最大的衬底尺寸     

高速电子器件MOCVD材料的研究动态

阐述了ＭＥＳＦＥＴ、ＨＥＭＴ和ＨＢＴ等高速电子器件的ＭＯＣＶＤ材料的研制现状，对可能存在的问题进行了讨论。同时介绍了硅上异质外延ＧａＡｓ的新工艺及其在高速电子器件中的应用前景。     

工业硅生产过程的配碳率与硅回收率关系的理论分析

根据工业硅炉熔池的结构,确立了高硅合金生产中的内、外反应区,简化并确定了工业硅生产过程的化学反应及传质与内、外反应区的特征,分析了在原料理想条件下的理论配碳率与硅回收率的对应关系。