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设计了一种应用于以数字微镜为核心器件的光刻系统中的紫外光刻光源。提出了设计过程中需要注意的散热、快门、位置调节等事项,并针对性的对光源进行了详细设计。 相似文献
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针对极紫外(EUV)光刻机工作过程中,多层膜反射镜表面沉积碳污染造成的反射率下降问题展开研究,讨论了多层膜反射镜表面碳污染清洗方法。首先描述了在EUV曝光过程中多层膜表面的碳污染形成过程,简单阐述了碳污染对多层膜反射镜的危害。然后从清洗机理、速率以及效果等方面详细描述了多种EUV多层膜表面碳污染清洗方法,分析对比了各清洗技术在清洗速率和效果等方面的优缺点。分析表明:离子体氧和活化氧清洗速率相差不多,可达到2nm/min,但清洗过程中容易造成表面氧化;等离子体氢和原子氢的清洗速率相对较慢,一般在0.37nm/min左右,但清洗过程中不易产生氧化。最后针对不同方法应用于在线清洗EUV多层膜反射镜过程中将遇到的问题和难点进行了讨论。 相似文献
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水蒸气(H2O)和碳氢化合物(CxHy)的放气分率是评价极紫外光刻机(EUVL)真空材料的重要参数。研究材料放气分率的传统方法一般需要2个完全相同的四极质谱计,这不仅大大增加了测试设备造价,而且会导致测试结果存在误差。为解决这一问题,本文仅采用1个四极质谱计,设计了一种EUVL真空材料评价装置。采用该装置测试了碳纤维增强树脂基复合材料层压板(CFRP板)和玻璃陶瓷板(GC板)在不同时间的放气组分、总放气率和放气分率。结果表明,CFRP板放出大量的H2O和CxHy;虽然CxHy放气分率比H2O下降快,但经10 h抽真空后,CFRP板仍可放出大量CxHy,且其总放气率高于经验阈值;GC板置于真空1 h后就不再放出CxHy,且其总放气率低于经验阈值;因此GC板比CFRP板更适用于极紫外光刻机真空系统。基于单质谱的放气分率测试方法可用于指导极紫外光刻机真空材料的选择。 相似文献
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本文介绍了日本卡农公司PLA—520FA型远紫外光刻机用各种抗蚀剂对远紫外的曝光特性和以一微米图形的LSI应用为目标所试验的结果。 相似文献
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研究了衍射效应对SU-8胶紫外光刻尺寸精度的影响。根据菲涅耳衍射理论建立了紫外曝光改进模型,预测微结构的尺寸,分析了光刻参数变化对尺寸的影响。为了更好地与数值模拟结果进行比较,以硅为基底,进行了SU-8胶紫外光刻的实验研究。实验分四组,实验中掩模的特征宽度分别取50 μm、100 μm、200 μm和400 μm,SU-8胶表面的曝光剂量取400 mJ/cm2。用扫描电镜测量了微结构的顶部线宽、底部线宽和SU-8胶的厚度,用MATLAB软件对紫外曝光过程中SU-8胶层内曝光剂量的分布情况进行了数值模拟,数值模拟结果与实验结果基本吻合。数值模拟结果为进一步的实验研究提供了光刻参数的参考值。 相似文献
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为了使曝光波长为193 nm的深紫外光刻系统能够制备曝光线宽为90 nm及以下节点的集成电路芯片,设计了采用环形照明模式且部分相干因子σ连续可调,能满足不同曝光线宽要求的光刻照明系统光束整形单元.首先,用几何光学定律和三角函数推导了轴锥镜移动距离与光束放大倍率之间的函数关系;根据对变倍凸轮的合理性和装调公差灵敏度的分析... 相似文献
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0.2秒圆刻机的基本原理 总被引:1,自引:0,他引:1
本文根据作者所搜集到的资料综述了圆刻机的发展历史,在漫长的发展过程中大体经历了抄录刻划、机械刻划和光电刻划三个阶段,中国古代曾对刻划技术的发展作出过重要贡献。列表说明了世界上圆刻机生产及研制现状。本文介绍了长春光机所近十几年来研究成功的一种光电圆刻方法,它的特点是:利用传统的机械方法进行分度粗定位,而后再用光电伺服控制对误差进行微量校正。 相似文献
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本文从动态的角度分析了圆刻机在连续刻划时轴系误差与转速的变化关系,并求得系统的固有圆频率,为圆刻机的设计改造提供了一条理论依据。 相似文献
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为满足设备小型化、便于携带的要求,设计了钢管电火花刻槽机.该刻槽机采用单片机芯片控制脉冲电源,处理键盘输入和故障报警,并实现步进电机的自动进给和冲油装置的流量调节控制.该设备适用于钢管的现场刻槽. 相似文献
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KTJ—A型精密刻图机是八十年代的最新产品,是我国第一台声表面波及长光栅刻图的专用设备,它的出现必将为我国声表面波及长光栅等特种器件的研制和发展开辟广阔的前景。一、大幅面、高精度刻图机研制的必要性宇航事业的进步,促使微细工艺设备的发展,由于大规模和超大规模集成电路的出现,特别是新型的特种器件如声表面波、光集成、磁泡等器件的出现和发展,使得原有的微细工艺设备逐步被淘汰,随之而来的一整套以电子束、离子束、光子束为核心的新型微细加工技术 相似文献