Ti—B超硬薄膜的合成及其显微结构和显微硬度的研究

采用离子束增强沉积方法，在ｐ型单晶硅衬底上，通过不同能量的氙离子辅助轰击，以不同的沉积速率制备了Ｔｉ－Ｂ超硬薄膜。Ｘ射线衍射分析结果表明，Ｔｉ－Ｂ薄膜呈ＴｉＢｘ多晶结构，其晶化程度蒸发速率的不同而变化，而其缺位值ｘ随氙离子轰击能量的不同而变化。     

磁控溅射法制备纳米晶钛薄膜工艺研究

利用直流磁控溅射法在硅基底上沉积出纳米晶钛薄膜,研究了背底真空度、溅射功率和基底温度对纳米晶钛薄膜结构的影响。实验证明,当背底真空度高于8.8×10-5 Pa时,可制备出致密的纳米晶钛薄膜,当背底真空度低于2.0×10-4 Pa时,钛薄膜被氧化成一氧化钛薄膜;随着溅射功率的增大,纳米晶钛膜的晶粒尺寸呈线性增大,同时钛薄膜的取向也发生改变,表现出明显的(002)织构;随着温度的升高,钛薄膜织构取向发生改变,当温度为500℃时,钛薄膜被氧化为一氧化钛薄膜。制成平整钛薄膜的工艺条件为:背底真空度8.8×10-5 Pa,溅射功率200 W,基底温度室温。     

基片表面的磁场对磁控溅射法制备Fe—N薄膜特性的影响

利用反应磁控溅射方法制备了Fe-N薄膜,发现未退火的薄膜基本处于非晶或微晶状态,退火或在沉积时对基片施加一磁场,可使晶粒变大,并出现大对应内部存在应力的γ－Fe4N的（110）界面的择优取向,特别是外加的磁场使得Fe-N薄膜具有明显改善的磁性能,作利用磁场中带电粒子受约运动的观点解释了这一现象。     

非晶态Se薄膜晶化过程中微裂纹产生的研究

薄膜在热处理过程中存微晶结构的变化。利用光学显微镜对非晶态Ｓｅ薄膜在晶化过程中微裂纹的产生做了详细的分析和研究，利用位形坐标解释了非晶薄膜室温下的转为的原因。并对三层结构的ＳｉＯ／Ｓｅ／ＳｉＯ的晶化做了进一步研究，结果表明微裂纹产生与晶化过程中砂揶重新排序，原子迁移导致晶界的产生和体积收缩产生的应力有关，裂纹的产生还同薄膜与衬底间的热失配有关。     

Ti1—xAlxN薄膜的制备及性能研究

介绍了利用反应溅射法制备Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ薄膜的工艺过程，测量并分析了Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ薄膜的光学性能及电阻率与薄膜成分的关系。结果表明Ｔｉ１－ｘＡｌｎＸ薄膜的折射率和消光系数均随薄膜中Ａｌ含量ｘ的增加而减小，电阻率则随ｘ的增加而增大。并从薄膜的基本结构变化对实验结果作出解释。     

金属诱导晶化法制备多晶硅薄膜研究进展

本文介绍了金属诱导晶化非晶态硅制备多晶硅薄膜的新方法，综述了制备金属/非晶态硅复合薄膜的各种方法与晶化结果，着重介绍了金属低温诱导的机理及其在器件应用方面的可行性。     

纳米晶La1—xSrxFeO3薄膜的制备及表征

采用Ｓｏｌ－ｇｅｌ工艺在石英玻璃和硅衬底上成功地制备了纳米晶Ｌａ１－ｘＳｒｘＦｅＯ３（ｘ＝０￣０．４）系列薄膜，薄灰钙矿结构，平均粒度在３０ｎｍ左右。ＸＰＳ结果表明，随着Ｓｒ含量的增大薄膜表面吸附氧含量增大。     

离子束增强沉积制备TiB2薄膜及其性能研究

用离子束增强沉积法（ＩＢＥＤ）在硅及铜基体上沉积了ＴｉＢ２薄膜，研究了轰击离子束能量和束流对薄膜的微结构及力学性能的影响。用俄歇电子谱（ＡＥＳ）分析了膜的成分及其界面状况，用Ｘ射线衍（ＸＲＤ）研究了膜的微结构，并测定了膜的硬度及进行膜的高温氧化试验。结果指出：（１）离子束轰击使薄膜晶化，从而影响到膜的硬度及抗高温氧化性能；（２）离子呸增强的二硼化钛薄膜是一种耐高温氧化的高硬膜。     

Nb-Zn-Sn-O非晶薄膜的生长与性能

采用射频磁控溅射技术,成功制备出能用作薄膜晶体管(TFT)沟道层的非晶态Nb-ZnSn-O(NZTO)薄膜。研究了溅射压强、退火处理对NZTO薄膜的材料结构、电学和光学性能的影响,并在溅射功率为120W、溅射压强为0.6Pa且在400℃温度下退火2h后,制备出了电子迁移率达5.5cm2v-1s-1、载流子浓度在1017以下且可见光透射率为80%以上的薄膜。     

氧化钒薄膜的制备技术及特性研究

采用直流反应磁控溅射法，通过精确控制反应溅射电压优化了氧化钒薄膜的制备工艺。对制备的氧化钒薄膜，利用四探针测试仪检测了薄膜的方阻和方阻温度系数，用X射线光电子能谱（XPS）仪和原子力显微镜（AFM）对薄膜的钒氧原子比和薄膜的微观形貌分别进行了分析和表征。实验结果表明，利用精确控制反应溅射电压法生长出的氧化钒薄膜的性能得到了进一步的提高。     

射频磁控溅射(Ti,Al)N薄膜性能的研究

采用射频磁控溅射，用Al靶和Ti靶同时溅射沉积（Ti，Al）N薄膜。研究表明：不同Al靶功率沉积的薄膜中始终存在面心立方结构（B1型），当Al靶功率大于250W薄膜中面心立方结构（B1型）和六方结构（B4型）共存。随Al成分的增加，B1型结构晶格常数减小，薄膜择优取向由B1型（111）向B4型（002）转变。薄膜表面随Al靶功率增加分别呈岛状、纤维状和柱状增长。（Ti，Al）N薄膜的硬度随Al靶功率的增加呈上升趋势。等离子体发射光谱分析显示，在相同工艺条件下Al靶比Ti靶先进入非金属态溅射模式，导致在相同功率下Al溅射速率低于Ti溅射速率。     

射频磁控溅射法制备碲化铅薄膜的X射线衍射分析

采用射频磁控溅射法,在单面抛光的Si(111)衬底上制备了PbTe薄膜,利用X射线衍射法分析了溅射工艺参数如溅射功率、溅射时间、衬底温度以及退火温度对PbTe薄膜的结晶质量的影响。结果表明:在溅射功率为30W,溅射时间为10 min,衬底未加热时制备的薄膜具有最好的〈100〉方向的择优取向性;退火处理可以改善薄膜的结晶质量,并且退火温度越高,薄膜的结晶质量越好。     

Pt／Ti电极的扩散行为及其对铁电薄膜的影响

采用直流磁控溅射方法制备Ｐｔ／Ｔｉ电极，用ＲＢＳ、ＸＲＤ、ＳＥＭ方法研究了Ｐｔ和Ｔｉ的扩散行为，发现在氧气氛中进行热处理造成Ｔｉ层的快速氧化，Ｔｉ厚度对Ｐｔ／Ｔｉ的扩散有很大影响。Ｐｔ／Ｔｉ的扩散造成其上的铁我差的显微结构和性能。     

非平衡磁控溅射法Ti/TiO2薄膜的制备及分析

在光学玻璃衬底上利用新型非平衡磁控溅射技术沉积了Ti／TiO2薄膜。原子力显微镜分析表明，薄膜表面光滑、致密、均匀，表面粗糙度（Ra）小于10nm，组成薄膜的颗粒尺寸小于100nm。膜厚测量分析表明，TiO2薄膜的沉积速率达110nm／min。在拉曼光谱中，没有出现晶态TiO2薄膜的散射峰，表明所得TiO2薄膜为非晶结构。利用紫外-可见光全反射谱分析了薄膜的光学性能，结果发现，单纯TiO2薄膜存在微弱吸收，在波长约550nm时出现最大反射率，其后波长越大，吸收率越高；在Ti/TiO2薄膜体系中，随着沉积的Ti膜的厚度增大，Ti薄膜界面的反射率增大，薄膜吸收率提高；在玻璃衬底的正反面均沉积适当厚度的Ti／TiO2薄膜时，能够获得不同的色彩效果；根据薄膜干涉特征，计算所得TiO2薄膜的折射系数约为3．0。另外，所得TiO2薄膜不存在明显光电效应。     

金属Ti/Cu多层膜紫外光反射性能研究

采用直流磁控溅射方法制备Ti/Cu和Cu/Nb多层金属反射膜,并对膜的紫外反射性能进行研究,发现该膜的反射性能与基片的结构和温度、多层膜的周期和结构有关。选用取向为（100）的单晶Si为基片,在基片温度为470℃左右、多层膜的周期为30时,膜的结晶性较好,且多层膜的反射率随波长的减小而增加,在波长为250nm时,反射率可达到65％。     

铁电PLZT薄膜的钙钛矿型结构与性能的研究

讨论了用射频磁控溅射沉积的ＰＬＺＴ（７．５／６５／３５）陶瓷薄膜的结构和铁电性能。研究表明，在不加热的Ｐｔ／Ｔｉ／Ｓｉ衬底上沉积ＰＬＺＴ薄膜即钙钛矿型的高度取向薄膜，没有绿石相出现，同时具有很好的微观结构；增加薄膜的厚度导致ａ轴取向的增长；火处理有助于ＰＬＺＴ薄膜的钙钛矿相的增长并在薄膜中出现了蔷薇状共晶组织。这种ＰＬＺＴ薄膜的剩余极化强度、矫顽场强度分别为２２．９μ／ｃｍ＾２和６２．４ＫＶ／ｃｍ     

The Structure and Properties of Ti–B–N, Ti–Si–B–N, Ti–Si–C–N, and Ti–Al–C–N Coatings Deposited by Magnetron Sputtering Using Composite Targets Produced by Self-Propagating High-Temperature Synthesis (SHS)

The microstructures and compositions of multicomponent Ti–B–N, Ti–Si–B–N, Ti–Si–C–N, and Ti–Al–C–N films deposited by reactive magnetron sputtering using composite targets and produced by self-propagating high-temperature synthesis (SHS) have been investigated by means of transmission electron microscopy. Auger spectroscopy, and X-ray diffraction. Depending on the chemical composition of the film deposited, different single-phase crystalline films were observed. The sputtering process included sputter cleaning prior to the DC magnetron sputter deposition of Ti and TiN interlayers prior to DC magnetron sputter deposition of the multicomponent films from multicomponent targets. The films produced were characterized in terms of their microhardness, wear resistance, high-temperature oxidation conducted in air. and corrosion resistance in a solution of 5NH₂SO₄ at room temperature.     

蓝宝石和硅衬底上氮化硅薄膜的制备和性能研究

采用射频磁控反应溅射法,以高纯Si为靶材,高纯N2气为反应气体,在蓝宝石和硅衬底上制备了氮化硅薄膜.并对Si3N4薄膜的沉积速率、成分、结构及红外光学性能等进行了研究.实验结果表明,沉积薄膜中Si和N的比接近3∶4,形成了Si3N4化合物,呈非晶态结构.制备的Si3N4薄膜的硬度明显高于蓝宝石衬底的硬度,且与蓝宝石衬底结合牢固,可提供良好的保护性能.