CVDBN陶瓷与金属接合机理研究

利用ＳＥＭ／ＥＤＸ、ＸＰＳ及Ｘ射线粉末衍射手段，对ＣＶＤＢＮ陶瓷与金属（无氧铜、钛）的接全机进行了分析，并用反应自由焓函数法对ＣＶＤＢＮ陶瓷与金属的界面反应作了热力学计算。结论认为ＣＶＤＢＮ陶瓷对无氧铜、钛的气密接合主要依靠活性焊料与ＣＶＤＢＮ陶瓷表面层间的相互扩散及反应。     

陶瓷热障涂层和热循环试验研究

对利用电子束物理气相沉积（ＥＢ－ＰＶＤ）制备的Ｙ２Ｏ３稳定ＺｒＯ２（陶瓷层ＹＳＺ）热循环试验进行了初步研究。试样在高温条件下经受了冷热循环试验。通过扫描电镜和Ｘ－衍射等方法揭示了ＴＢＣ涂层在热循环试验前后涂层形貌和相结构的变化。     

Ba（Mg1／3Ta2／3）O3微波陶瓷的损耗研究

本工作用ＸＲＤ，ＥＰＭＡ，ＳＥＭ等测试技术计算和示出了用不同活性粉料制备的Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３微波陶瓷晶格中Ｂ位离子有序度和元素的面分布情况，对它们在Ｘ面下的电行为作了探讨。实验结果表明，ＢＭＴ陶瓷的微波损耗主要与其密度有序度和微观结构的均一度有关。     

激光熔覆生物陶瓷复合涂层

介绍在奥氏体型不锈钢基材上预置涂覆具有一定梯度的生物陶瓷粉末（ＨＡＰ或ＣａＨＰＯ４．２Ｈ２Ｏ＋ＣａＣＯ３）的激光熔覆，经ＳＥＭ，ＥＤＳ，ＸＲＤ分析表明，低输出功率，高扫描速率是获得激光生物陶瓷涂层的主要控制因素，预置涂覆ＣａＣＯ３与ＣａＨ（ＰＯ４）．２Ｈ２Ｏ混合粉末涂层，在于大常规方法合成ＨＡＰ所需比例下，可激光合成含Ｃａ５（ＰＯ４）３（ＯＨ）等生物活性陶瓷的复合涂层，且存在一定量非晶态的自由表面     

乙炔端基砜对聚醚醚酮转变温度的影响

用ＴＢＡ、ＤＳＣ、ＷＡＸＳ研究了乙炔端基砜（ＡＴＳ）对聚醚醚酮（ＰＥＥＫ）的玻璃化温度（Ｔｓ）、冷结晶温度（Ｔｃｃ）、降温结晶温度（Ｔｃ）、熔点（Ｔｍ）和结晶度（Ｘｃ）的影响。ＡＴＳ的加入使ＰＥＥＫ的Ｔｇ、Ｔｃｃ提高，Ｔｃ、Ｔｍ和Ｘｃ降低；退火结晶温度提高，ＰＥＥＫ的Ｔｍ提高，但共混物中ＰＥＥＫ的Ｔｍ和Ｘｃ降低。ＷＡＸＳ结果表明，多步退火结晶可形成两种结晶。     

HL—1装置中的TiC涂层辐照实验研究

利用ＨＬ－１装置的等离子体辐照研究了石墨基体上的ＴｉＣ涂层。对辐照前、后 的样品进行了俄歇电子能谱（ＡＥＳ）、扫描电镜（ＳＥＭ）和Ｘ射线衍射谱（ＸＤＳ）分析，得 出：ＴｉＣ涂层内Ｔｉ、Ｃ分布比较均匀；在高功率托卡马克放电辐照下，化学腐蚀现象 较为严重，但没有改变ＴｉＣ结构相（立方ＴｉＣ）；并有一定的择优取向。同时还发现 Ｃ的优先溅射作用及 Ｔｉ向石墨基体深层扩展现象。     

钕铁硼永磁粉对高密度聚乙烯结晶行为的影响

用偏光显微镜、广角Ｘ射线衍射（ＷＡＸＤ）、示差扫描量热分析（ＤＳＣ）等方法研究了钕铁硼（ＮｄＦｅＢ）永磁粉对高密度聚乙烯（ＨＤＰＥ）结晶行为的影响,发现ＮｄＦｅＢ磁粉具有明显的异相成核作用。     

热障陶瓷涂层的最新发展

综述了现代航空发动机用热障陶瓷涂层的最新发展，着重介绍了双陶瓷层，电子束物理气相沉积（EB－PVD）和溶液等离子喷涂（SPS）纳米热障陶瓷涂层的性能和特点。     

SBR磺酸锌盐形态结构和性能的研究

通过ＴＥＭ、ＸＰＳ、Ｒａｍａｎ、ＤＳＣ、ＳＡＸＳ、ＤＭＡ和毛细管流变以及机械性能测试对ＳＢＲ（丁苯橡胶）磺酸锌盐的形态结构、流行行为和机械性能进行了研究。实验结果表明，随磺化度增大，离子聚集更加明显，ＳＢ磺酸锌盐熔体表现粘度和机械性能显著提高，经硬脂酸锌（ＺｎＳｔ）增塑后，离子聚集状态分散，ＳＢＲ磺酸锌盐熔体表现粘度降低，加工性能得到改善。     

聚钛硅氧烷与金属界面结合机理研究

用扫描电镜ＳＥＭ和Ｘ射线能量散布分析ＥＤＡＸ技术研究了聚钛硅氧烷（ＰＴＳ）涂层与铝基材界面,结果发现了ＰＴＳ涂层与铝界面有良好的结合,这一粘接机理可认为中铝氧化物与ＰＴＳ涂层产生化学反应,形成互渗层的结果。随热处理温度互渗层厚度增加。相反,ＰＴＳ涂层与铁基材界面无明显的化学结合随热处理温度提高,界面缺陷增加。     

CuO－SnO_2纳米晶粉料的Sol－Gel制备及表征

不用金属醇盐而以无机盐为起始物质，采用Ｓｏｌ－Ｇｅｋ法得到了平均晶粒尺寸为２１～２２ｎｍ，ＣｕＯ掺杂的ＳｎＯ_２粉料；运用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、差热—失重分析（ＤＴＡ－ＴＧ）、透射电镜（ＴＥＭ）及ＢＥＴ比表面（ＳＡ）测定等分析手段对粉料进行了表征．实验表明，ＣｕＯ的掺杂抑制了ＳｎＯ_２晶粒的生长；以无机盐为原料，采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制取ＳｎＯ_２（ＣｕＯ）纳米级晶料是切实可行的，将有利于产业化．     

聚碳硅烷／二乙烯基苯的高温裂解

采用ＴＧ－ＤＴＡ、ＩＲ、ＸＲＤ、ＸＰＳ、ＳＥＭ等手段研究了聚碳硅烷（ＰＣＳ）／二乙烯基苯（ＤＶＢ）的高温裂解行为及其裂解产物的结构与性能。结果表明，ＰＣＳ／ＤＶＢ的裂解过程可分成５个阶段，其裂解产物主要由ＳｉＣ、ＳｉＯ２和Ｓｉ－Ｏ－Ｃ非晶网络及游离Ｃ组成，其中游离Ｃ的含量随ＤＶＢ的增加而增加，且对β－ＳｉＣ的结晶有一定的抑制作用，裂解产物的形貌为不发泡的致密结构。     

Ti／AlN快速退火界面反应的实验研究

在电子封装用的ＡｌＮ陶瓷多晶衬底上生长２５０ｎｍ的Ｔｉ膜，并进行快速退火。用ＲＢＳ（卢瑟福背散剂）、ＡＥＳ（俄歇有谱）、ＳＩＭＳ（干净人离子质谱）ＸＲＤ（Ｘ射线衍射）等实验技术对界面反应进行了分析研究，用划痕实验测量了退火对Ｔｉ／ＡｌＮ粘附力的影响。实验结果表明：快速退火时，Ｔｉ，Ａｌ，Ｎ以及ＡｌＮ中掺杂的Ｏ均发生明显的界面扩散和界面反应，样品表面的Ｏ和ＡｌＮ衬底中掺杂的Ｏ都向Ｔｉ膜中扩散，在较低     

CuO—SnO2纳米晶粉料的Sol—Gel制备及表征

不用金属醇盐而以无起始物质，采用Ｓｏｌ－Ｇｅｋ法得到了平均晶粒尺寸为２１－２２ｎｍＣｕＯ掺杂的ＳｎＯ２粉料；运用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），差热－失重分析（ＤＴＡ－ＴＧ），透射电镜（ＴＥＭ）及ＢＥＴ比表面（ＳＡ）测定等分析手段对粉料进行了表征，实验表明，ＣｕＯ的掺杂抑制了ＳｎＯ２晶粒的生长，以无机盐为原料，采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制取ＳｎＯ２（ＣｕＯ）纳米级晶料是切实可行的，将有利于产业化。     

三元无规全芳聚酯酰胺的热致液晶行为

由对苯二甲酰氯（ＴＰＣ）和二甲基联苯胺（ＤＭＢＤ）和双酚Ａ（ＢＰＡ）合成了三元无规全芳聚酯酰胺（ＰＥＡ）。用ＤＳＣ、Ｘ光衍射分析和偏光显微镜等手段表征了该类聚合物的热致液晶性质,确认了不同单体的比例的ＰＥＡ均为热致向列型液晶聚合物,且不出现液晶相转变温度直至聚合物分解。由于ＰＥＡ中聚酰胺链段之间的氢键作用,ＰＥＡ为熔融温度随ＤＭＢＤ的比例增加而升高,即使ＤＭＢＤ链单元为２０％（ｍｏｌ）的ＰＥＡ,其     

GdSe涂层(CdSe/Ni)的烧结工艺对半导体隔膜电极(SnO_2·P/CdSe/Ni)性能的影响

通过Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、透射电子显微镜（ＴＥＭ）和高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）等技术，研究了由蒸发冷凝法制备的ｎ型半导体材料ＧｄＳｅ超细微粒涂层（ＣｄＳｅ／Ｎｉ）的烧结工艺。实验指出，烧结后的ＧｄＳｅ粉体涂层的结晶形态、膜层的致密均匀性以及结晶粒度的尺寸等均与烧结的工艺条件密切相关。将涂在Ｎｉ箔上的ＧｄＳｅ粉体膜层置于氩气氛中，在缓慢升降温的条件下，于４５０～５００℃温度下恒温２ｈ的多次重复烧结，可以获得表面平整致密、在衬底Ｎｉ箔上附着力强的ＧｄＳｅ多晶膜层，以下称ＣｄＳｅ／Ｎｉ为烧结体。将烧结体应用于半导体隔膜电极（（ＳｎＯ２·Ｐ／ＣｄＳｅ／Ｎｉ）中，可有效地改善半导体隔膜电化学伏打电池（ＳＣ－ＳＥＰ电池）的光电化学特性。     

热致液晶共聚酯多相结构的研究

用差示扫描量热（ＤＳＣ），广角Ｘ射线衍射（ＷＡＸＤ）和偏光显微镜（ＰＬＭ）等方法对ＰＨＢ８０／ＰＥＴ热致液晶共聚酯的凝聚态结构进行了研究。结果表明，这种共聚酯的分子链序列分布并不是无规的，并具有ＰＨＢ富集相和ＰＥＴ富集相的多相性质，在这些富集相区内分别存在着由ＰＥＴ和ＰＨＢ组分所形成的晶态结构。此外，在共聚酯中还存在着由较长ＰＨＢ均聚序列所形成的不熔性晶态结构，对这种不熔性微晶产生的原因进行了分析     

Si对TiSiN膜组成结构的影响

报告了等离子化学气相沉积（ＰＣＶＤ）硬膜ＴｉＳｉＮ中Ｓｉ对膜的影响。沉积膜经过电子探针（ＥＭＰＡ）、扫描电镜（ＳＥＭ）、Ｘ射线（ＸＲＤ）和Ｘ光电子谱（ＸＰＳ）分析。实验表明,在ＴｉＮ的气相沉积中加入少量Ｓｉ可以明显改善膜的结构和组成。     

Pb（Sc1／2Ta1／2）O3铁电体的有序结构和介电性质）

通过铌铁矿预合成法制备Ｐｂ（Ｓｃ１／２Ｔａ１／２）Ｏ３（ＰＳＴ）陶瓷，经适当的热处理获得了钙钛矿化合物Ｂ位离子的高有序和高无序试样，ＰＳＴ陶瓷的介电性质研究结果表明，高有序试样（Ｓ＝０．７７）的居里温度为２９℃，并具有较低的介电常数表现出普通铁电体性质特征，而高元序试样（Ｓ＝０）具有很高的介电常数，并表现出明显的弥散性相转变和Ｔｍ的频率色散行为，即高介电常数的驰豫铁电体性质。文中还利用ＸＲＤ，ＳＥ     

几种热致液晶性纤维素衍生物的制备及性能的研究

以纤维素或羟乙基纤维素为原料，通过酯化反应制备了乙酰氧乙基纤维素（ＡＥＣ）、苯甲酰氧乙基纤维素（Ｂ２ＥＣ）和苯甲酰氧纤维素（Ｂ２Ｃ）。采用ＦＴ－ＩＲ和元素分析表征了产物结构，通过用ＤＳＣ、ＨＳＰＬＭ和ＷＡＸＤ研究了产物的致热液晶织构和性能。Ｂ２Ｃ的热致液晶性最强，其各向同性液态转变温度（ＴＬＩ＝８２℃）和转变热焓（ΔＨＬＩ＝１４．８８Ｊ／ｇ）是迄今报导的热致液晶纤维素衍生物中最高的。