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相似文献
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1.
信息科学不断发展,对半导体科学研究提出了更高要求.微电子学的实验室水平已经进入纳米电子学范畴;光电子学、光电子和光子集成也不断发展;而纳电子学、自旋电子学、分子电子学、生物电子学和量子信息学等领域的研究蓬勃开展,相关的新材料、新器件探索层出不穷.这些研究的不断深入、彼此之间的交叉融合,将会不断推动半导体科学的发展.文中简述了2002年半导体学科基金申请与资助概况及近期走向,并附2002年半导体学科批准资助的面上及重点项目,供有关科技工作者参考.  相似文献   

2.
何杰 《半导体学报》2003,24(1):109-112
信息科学不断发展 ,对半导体科学研究提出了更高要求。微电子学的实验室水平已经进入纳米电子学范畴 ;光电子学、光电子和光子集成也不断发展 ;而纳电子学、自旋电子学、分子电子学、生物电子学和量子信息学等领域的研究蓬勃开展 ,相关的新材料、新器件探索层出不穷。这些研究的不断深入、彼此之间的交叉融合 ,将会不断推动半导体科学的发展。文中简述了 2 0 0 2年半导体学科基金申请与资助概况及近期走向 ,并附 2 0 0 2年半导体学科批准资助的面上及重点项目 ,供有关科技工作者参考。  相似文献   

3.
信息科学不断发展,半导体科学学科的资助范围也随之不断进行微调.45纳米以下的微电子学器件与工艺探索为大家提供了广阔的研究空间;自下而上的纳电子学、自旋电子学、分子电子学、生物电子学和量子信息学等领域的研究更加活跃和迫切;光电子学、光子学、光电子和光子集成也不断发展;而相关的新材料、新器件探索层出不穷;微纳光机电器件与系统的应用领域不断拓展,研究也呈欣欣向荣之势.本文将简述2007年半导体科学基金申请与资助概况及近期走向,并附2007年半导体学科批准资助的面上及重点项目,供有关科技工作者参考.  相似文献   

4.
何杰 《半导体学报》2008,29(3):606-609
信息科学不断发展,半导体科学学科的资助范围也随之不断进行微调.45纳米以下的微电子学器件与工艺探索为大家提供了广阔的研究空间;自下而上的纳电子学、自旋电子学、分子电子学、生物电子学和量子信息学等领域的研究更加活跃和迫切;光电子学、光子学、光电子和光子集成也不断发展;而相关的新材料、新器件探索层出不穷;微纳光机电器件与系统的应用领域不断拓展,研究也呈欣欣向荣之势.本文将简述2007年半导体科学基金申请与资助概况及近期走向,并附2007年半导体学科批准资助的面上及重点项目,供有关科技工作者参考.  相似文献   

5.
TN4 95020613纳米半导体器件与纳米电子学/何宇亮日匕京航空航天大学)11半导体杂志一1994,19(4)一8一17 综述了微电子技术向纳米空间(=10一米)的进展所必将引起的一系列新的变化及其在半导体领域中蕴酿的一场技术革命,同时还论述了这一场技术革命所具备的思想荃础及其发展概况.图20参19(木)量测试.目前.向量测试图形的开发已成为测试的一大难题.非向量测试就没有这个要求.事实证明,非向量测试方法同向量测试方法一样,是生产工艺测试的重要手段.图1(许)TN4 95020614MOS模拟平方器的应用研究/邵牟舟,秦世才,贾香琢(南开大学)lI半导体杂志…  相似文献   

6.
1 Lsl制造与测试 2安徽大学学报(自然科学版) 3安徽工学院学报 4安徽师大学报 5半导体光电 6半导体技术 7半导体情报 8半导体学报 9’半导体杂志10北方交通大学学报11北京大学学报(自然科学版)12北京工业大学学报13北京广播学院学报(自然科学版)14北京航空航天大学学报巧北京科  相似文献   

7.
TN4 2003020689分子电子学与分子电子器件/张宏川,崔学佳,姜建壮(山东大学)!ILI-J东大学学报(自然科学版)一2 002,37(4)一339一342介绍了分子电子学与分子器件研究领域的最新进展,展望了分子电子学的发展前景,提出了一些新的想法和建议.图5表3参2(木)空间中增加设计,使得模型误差减小并得到可行空间.对FIBMOS例子的结果显示该方法是有效的.图9参18(木)TN4 2003020690利用响应表面方法的器件稳健性设计/谢晓锋,鲁勇,张文俊,杨之廉(北京大学微电子所)11半导体学报一2002,23(8)一817一824器件稳健性设计本质上是一个多目标的优化问题.将…  相似文献   

8.
1 LSI制造与测试 2安徽大学学报(自然科学版) 3安徽工学院学报 4安徽师大学报 5半导体光电 6半导体技术 7半导体情报 8半导体学报 9.半导体杂志10北方交通大学学报11北京大学学报(自然科学版)12北京工业大学学报13北京航空航天大学学报14北京科技大学学报巧北京理工大学学报16北京生物医学工程17北京师范大学学报18北京邮电大学学报19长春邮电学院学报20长沙交通学院学报21成都科技大学学报22传感技术学报23传感器技术24磁记录材料25磁性材料及器件26大连理工大学学报27低温半导体28低温工程29低温物理学报30低温与超导31地球物理学报.32…  相似文献   

9.
半导体材料     
0019792In_(0.4) Ga_(0.6)As/GaAs 自组织量子点的光伏谱温度特性[刊]/吴正云//光电子·激光.-2000,11(4).-366~369(C)0019793半导体超晶格研究与相关学科领域发展的关系[刊]/彭英才//固体电子学研究与进展.-2000,20(3).-276~280(D)  相似文献   

10.
改版前言     
《电子器件》(电子学及其应用)铅印新版和大家见面了,它是由我们电子工程系、无线电电子学研究所和南工微电子中心联合主办的、电子学科方面的学术性刊物,每年出版四期(季刊)。主要内容涉及到我系(所)几乎所有的学科范畴,也就是:真空电子学,半导体电子学以及固体电子学。具体来说,它包括微波电子学、电子(离子)束和显示技术;激光与红外、半导体物理与器件、集成电路与微电子技术、太阳能、光纤技术与集成光学、真空物理与技术、表面科学与分析技术、传感技术、电子材料和薄膜,以及电光源和照明技术等诸方面。  相似文献   

11.
SEMI标准是一项国际通用的半导体行业标准,为研究SEMI标准在半导体制造设备中的应用情况,介绍了SEMI S2半导体设备安全准则、SEMI F47半导体设备电压暂降抗扰度标准并说明了标准的实际应用。分析了SEMI S23半导体设备能源、电力和原料的使用效率标准、SECS/GEM通讯标准及其研究应用现状;提出了我国半导体产业的快速发展需要加大SEMI标准的普及应用。  相似文献   

12.
刊刊季月 期刊刊名安全与电磁兼容半导体光电半导体杂志北京大学学报(自然科学版)北京邮电大学学报变压器材料开发与应用测控技术长沙电力学院学报(自然科学版)重庆邮电学院学报传感器技术电波科学学报电测与仪表电池电路与系统学报电脑开发与应用电脑与信息技术电声技术电视技术电视字幕·特技与动画电信技术电信科学龟信快报电子产品可靠性与环境试验电子工业专用设备电子工艺技术电子机械工程电子技术应用电子计算机电子器件电子学报电子侦察干扰电子质量发光学报功能材料与器件学报工业工程固体电子学研究与进展光电子·激光光电子技术…  相似文献   

13.
为了进一步了解在金属-半导体接触势垒高度计算中采用半导体平均键能Em作为参考能级的合理性,本文在金属-半导体超晶格的LMTO-ASA能带计算中,引用"冻结势"方法,计算了(Ge2)4(2Al)6(001),(Ge2)4(2Au)6(001),(Ge2)4(2Ag)6(001),(GaAs)4(2Al)6(001),(GaAs)4(2Au)6(001)和(GaAs)4(2Ag)6(001)等超晶格金属-半导体界面两侧的金属费米能级EF(M)和半导体平均键能Em(S).研究发现,在超晶格的金属-半导体界面两侧,金属的费米能级EF(M)与半导体的平均键能Em(S)几乎处于同一能量水平线上,Em(S)≈EF(M),也就是EF(M)与Em(S)在界面两侧相互"对齐".因此,在理想金属-半导体接触的势垒高度理论计算中,采用半导体平均键能Em作为参考能级,可以获得比较可靠的计算结果.  相似文献   

14.
为了进一步了解在金属-半导体接触势垒高度计算中采用半导体平均键能Em作为参考能级的合理性,本文在金属-半导体超晶格的LMTO-ASA能带计算中,引用"冻结势"方法,计算了(Ge2)4(2Al)6(001),(Ge2)4(2Au)6(001),(Ge2)4(2Ag)6(001),(GaAs)4(2Al)6(001),(GaAs)4(2Au)6(001)和(GaAs)4(2Ag)6(001)等超晶格金属-半导体界面两侧的金属费米能级EF(M)和半导体平均键能Em(S).研究发现,在超晶格的金属-半导体界面两侧,金属的费米能级EF(M)与半导体的平均键能Em(S)几乎处于同一能量水平线上,Em(S)≈EF(M),也就是EF(M)与Em(S)在界面两侧相互"对齐".因此,在理想金属-半导体接触的势垒高度理论计算中,采用半导体平均键能Em作为参考能级,可以获得比较可靠的计算结果.  相似文献   

15.
1 LSI制造与测试 2安徽大学学报(自然科学版) 3安徽工学院学报 4安徽师大学报 5半导体光电6半导体技术7半导体情报 8半导体学报 9半导体杂志10北方交通大学学报11北京大学学报(自然科学版)12北京工业大学学报13北京航空航天大学学报14北京科技大学学报巧北京理工大学学报16北京生物医学工程17北京师范大学学报18北京邮电大学学报19长春邮电学院学报20长沙交通学院学报21成都科技大学学报22传感技术学报23传感器技术24磁记录材料25磁性材料及器件26大连理工大学学报27低温半导体28低温工程29低温物理学报30低温与超导31地球物理学报32电波…  相似文献   

16.
半导体技术     
1,N3 98010470近年世界半导体设备市场分析/翁寿松(中国华晶电子集团公司)11半导体杂志一1997,22(3)一31~34 介绍了1993~2000年世界半导体市场、世界半导体设备投资及世界半导体设备市场,后者包括光刻机、蚀刻设备、离子注人机、CMP设备和测试设备市场.表2参14(木)TN301,TN304.  相似文献   

17.
TB71 0101015()巴荃慈及其电学特性研究/侯士敏,陶成钢,刘虹雯,李建昌,赵兴难玉,刘惟敏,张灶利,彭练矛,施祖进,顾镇南(北京大学无线电电子学系)I]真空科学与技术学报.一2 00(),2()(l)一47一5。利用直流弧光放电法制备了巴基葱,高分辨透射电子显微镜分析表明这种巴基葱为空心椭球形,由11层富勒烯组成.利用超高真空原子力显微镜和扫描隧道显微镜研究了巴基葱在高定向石墨荃底上的行为和电学特性.巴基葱的扫描隧道谱结果表明,巴荃葱的电学特性介于石墨和单层富勒烯之间.图4参l()(许)0463()1()1()153低能电子诱导脱附的理论研究/张彤、毛福明(…  相似文献   

18.
《半导体技术》2007,32(1):84-84,86
(本刊讯) 2006年11月9~10日,在深圳举行了中国半导体行业协会分立器件分会第四届会员代表大会.在会上,安森美半导体亚太区标准产品部市场营销副总裁麦满权先生做了名为"分立器件信有明天"的报告.麦先生在亚洲半导体市场拥有15年的丰富经验.他也是中国四川省乐山-菲尼克斯半导体有限公司的董事会成员,该公司为安森美半导体的合资厂,位列2005年度中国十大半导体封装测试企业.麦先生现任中国半导体行业协会分立器件分会理事.  相似文献   

19.
1988年Fert与Grunberg科研小组彼此独立地在铁/铬多层膜纳米结构中发现了高达50%的磁电阻效应,从此自旋电子学诞生了.目前,自旋电子学已经发展出磁读头、磁电隔高耦合器、磁随机存储器(MRAM)、微波探测器等器件,年产值近1000亿美元.同时,通过与其它学科的结合,半导体自旋电子学、有机自旋电子学等均成为物理研究的前沿.因此,大量中外院士与专家认为自旋电子学及器件很有可能成为世界第四次产业革命的导火索.  相似文献   

20.
半导体技术     
TN301 2004030341半导体物理研究新进展/孙连亮,李树深,(2}张荣,(3〕何杰(中国科学院半导体所)11半导体学报一2。。3,24(10)一1 1 15一1119TN304一种测l外延层厚度及掺杂浓度的改进方法/刘志农,张伟,陈培毅,钱佩信(清华大学)11半导体技术一一26一28 20{)4030342熊小义,付一卜霞,2003。28(11)简要介绍了第26届国际半导体物理会议上一些受到广泛关注的课题,它们代表了半导体物理研究领域里的研究热点和前沿工作,希望能够为今后的研究工作提供一个参考方向参32(木)在双台面siGe HBT加工工艺过程中,采用RIEL艺刻蚀发射极台面时,为了避免等…  相似文献   

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