[Ru(CN)_6]~(4-)在溴碘化银立方体乳剂中的应用

研究了[Ru(CN)6]4-在溴碘化银立方体乳剂中的掺杂,[Ru4(CN)6]4-作为1种浅电子陷阱掺 杂剂可有效地改善乳剂的感光性能。通过实验确定了最佳掺杂位置和用量,并从理论上进行了初步探讨。     

[Ru(CN)_6]~(3-)在溴碘化银T-颗粒乳剂中的掺杂

研究了K4犤Ru(CN)6犦掺杂剂对溴碘化银T-颗粒乳剂感光性能的影响,结果表明掺杂剂的掺杂量以及掺杂位置对乳剂的感光性能都有影响。当K4犤Ru(CN)6犦的掺杂量为3.1×10-8～3.1×10-9mol/g乳剂之间时,掺杂剂掺杂在乳剂的任意位置,乳剂感光度都有提高,表明K4犤Ru(CN)6犦是浅电子陷阱掺杂剂。掺杂位置接近表面或接近内核时效果相对较好,最佳的掺杂量为3.1×10-8mol/g乳剂。当掺杂剂的掺杂量小于3.1×10-10mol/g乳剂,且掺杂位置接近富碘区时,乳剂的感光度反而下降。     

[Fe（CN）6]^4—在溴碘化银T—颗粒乳剂中的掺杂

本文研究了K4[Fe(CN)6]掺杂对溴碘化银T-颗粒乳剂感光性能的影响.结果表明,掺杂剂的掺杂量以及掺杂位置对乳剂的感光性能都有影响.K4[Fe(CN)6]的掺杂量在每克乳剂3.1×10-93.1×10-11mol之间时,乳剂感光度都有提高.最佳掺杂量为每克乳剂3.1×10-10mol.掺杂位置接近表面时效果相对较好,表明K4[Fe(CN)6]是浅电子陷阱掺杂剂.当掺杂剂的掺杂量大于每克乳剂3.1×10-8mol,且掺杂位置在乳剂颗粒较深内部时,乳剂的感光度反而下降.     

K4[Ru(CN)6]对T-颗粒溴碘化银乳剂感光性能及光电子寿命影响的研究

本文研究了K4[Ru(CN)6]掺杂剂对T-颗粒溴碘化银乳剂感光性能以及光电子寿命的影响,研究结果表明,掺杂剂的掺杂量、掺杂位置以及在乳剂颗粒內部的分布区域对乳剂的感光性能都有影响.掺杂位置接近表面或接近颗粒几何核心时效果明显,掺杂位置接近富碘区域时,乳剂的感光度变化不明显或是下降.掺杂位置决定了掺杂剂的最佳用量,在66%-92%位置掺杂时,感光度提高最为显著.与未掺杂乳剂相比,最佳掺杂位置和最佳掺杂量乳剂的自由光电子与浅束缚光电子的寿命都有所延长.     

K_4[Fe(CN)_6]掺杂剂对溴碘化银颗粒乳剂感光性能影响的研究

研究了K4[Fe(CN)6]掺杂剂对溴碘化银颗粒乳剂感光性能的影响,结果表明掺杂剂的掺杂量、掺杂位置以及在乳剂颗粒内部的分布区域对乳剂的感光性能都有影响。掺杂位置接近表面或接近内核时效果明显,掺杂位置接近富碘区域时,乳剂的感光度上升的不明显,较佳的掺杂量为1×10-6mol/molAgNO3。     

浅电子陷阱掺杂剂——Ru(Ⅱ)的应用研究

研究了浅电子陷阱掺杂剂———钌盐Ru (Ⅱ )加入纯溴立方体乳剂中 ,对感光度的影响 ,结果表明在乳剂颗粒的一定位置 ,掺杂一定量钌盐能明显提高乳剂感光度。     

钙钛矿型La_(0.7)Sr_(0.3)Co_(1-x)Ru_xO_3催化剂的NO_x储存还原性能

通过溶胶-凝胶法制备了贵金属Ru掺杂的系列钙钛矿型La_(0.7)Sr_(0.3)Co_(1-x)Ru_xO_3催化剂,进行了XRD和H_2-TPR的表征,并进行了NO_x储存和NO_x储存还原的测试。通过表征发现,催化剂在掺杂了Ru之后,钙钛矿型结构保持得更加完整,单一氧化物的偏析受到了抑制。在325℃下,催化剂具有比较宽的NO_x吸附阱,在储存还原测试中NO_x吸附能力比较强。碳酸锶物种是NO_x的主要吸附位,在Ru的掺杂下,其含量下降,以碳/氮比值为标志的对NO_x吸附的贡献量减小。     

两个组成相近,结构不同的配位聚合物(Cudpt)3[Fe(CN)6](ClO4)2·3H2O和(Cudpt)3[Fe(CN)6](ClO4)2·4H2O的合成和结构(dpt:二丙烯三胺)

(Cudpt)(ClO4)2和K4[Fe(CN)6]反应得到配位聚合物(Cudpt)3[Fe(CN)6](ClO4)2*3H2O(1),在相似条件下用Cu(ClO4)2,dpt和K4[Fe(CN)6]反应得到配位聚合物(Cudpt3[Fe(CN)6](ClO4)2*4H2O(2),解析了它们的晶体结构.这两个化合物有相同的I.R.和UV-Vis谱,但它们的结构却有显著的不同,前者是一维链状结构,后者则是二维网状结构.     

基于MIL-53(Fe)的微生物传感器在抗生素检测中的应用

通过将大肠杆菌(E.coli)、海藻酸钠(SA)和MIL-53(Fe)掺杂到聚乙烯醇(PVA)胶体中形成纳米复合材料,并与硼酸交联得到MIL-53(Fe)/E.coli/SA/PVA颗粒。以E.coli作为受试体,K_3[Fe(CN)_6]为媒介体负责转运固定化微生物呼吸作用产生的电子至电极表面,通过监测还原产物([Fe(CN)_6]~(4-))的量的变化,从而得到微生物活性变化的信息,进而衡量药物的有效性。通过筛选MIL-53(Fe)/E.coli/SA/PVA颗粒的最佳形成条件,制备了灵敏的生物探针,搭建了基于固定化微生物的传感体系,并应用于不同抗生素类药物的检测。     

铱盐对AgCl(Br,Ⅰ)乳剂微晶体离子电导率的影响

本文用介电损耗法测定了(NH_4)_2IrCl_6和(NH_4)_3IrCl_6在不同加入量(10~(-8)～10~(-3)M/MAgX)时对物理成熟后的AgCl(Br、I)乳剂的离子电导的影响。随着铱盐加入量的不断增大,介电吸收峰f_(max)不断向低频方向偏移。当掺杂量达到10~(-3)M/MAgX时,吸收峰明显变宽。(NH_4)_2IrCl_6和(NH_4)_3IrCl_6的加入量相同时,这两种铱盐所导致的f_(max)的偏移也相近。 铱盐对于调变已经物理成熟的AgCl(Br,I)乳剂的离子电导率有很大作用。     

杂原子掺杂生物质基炭材料的研究进展

生物质基炭材料具有低成本、来源广泛、导电性良好和电化学稳定性好等优点,通过杂原子掺杂,生物质基炭材料的性能得到进一步的提升。本文总结了杂原子引入生物质基炭材料的方法（原位掺杂和扩散掺杂）及其各自的优缺点,简述了杂原子掺杂的种类（氮掺杂、氧掺杂、磷掺杂、硫掺杂、卤素掺杂和多元素共掺杂）及杂原子掺杂对生物质基炭材料结构与性能的影响,综述了目前杂原子掺杂炭材料在能源存储、吸附分离、催化氧化等领域的应用状况,并对杂原子掺杂生物质基炭材料的发展方向进行了展望。     

TiO2光催化剂非金属掺杂的机理研究进展

根据国内外对TiO2光催化剂改性的研究状况,将TiO2光催化剂的改性研究分为金属离子掺杂、贵金属沉积、表面光敏化、复合半导体、非金属离子掺杂等方面。其中,非金属掺杂较其他方式的掺杂优势明显,但其机理研究不够深入。对TiO2光催化剂的各种非金属掺杂的机理研究进展进行了综述。     

TiO_2光催化剂非金属掺杂的机理研究进展

根据国内外对TiO2光催化剂改性的研究状况,将TiO2光催化剂的改性研究分为金属离子掺杂、贵金属沉积、表面光敏化、复合半导体、非金属离子掺杂等方面.其中,非金属掺杂较其他方式的掺杂优势明显,但其机理研究不够深入.对TiO2光催化剂的各种非金属掺杂的机理研究进展进行了综述.     

电子陶瓷材料最佳掺杂含量的理论研究

分析多种电子陶瓷材料的掺杂改性的实验结果，建立陶瓷材料的某一物理性能与晶体结构，烧结温度和掺杂剂含量之间的联系，归纳给出了一个掺杂最佳含量的表达式，应用此表达式定量计算了二氧化硅，三氧化二铝，氧化锌，二氧化锡，钛酸钡等部分电子陶瓷材料的最佳掺杂含量。     

对甲苯磺酸掺杂聚苯胺材料的导电性能及其机理研究

通过再掺杂法制备了对甲苯磺酸（TSA）掺杂的导电聚苯胺（PANI）,探究掺杂时间及对甲苯磺酸水溶液的浓度对PANI的电导率和结构的影响,通过四探针法和傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)分析表征了掺杂态PANI的电导率和结构,并探究掺杂时间对掺杂态PANI导电性能影响的机理,还利用热重分析仪(TG)探究TSA对PANI热稳定性的影响。结果表明,掺杂时间为12 h、TSA水溶液浓度为05 mol/L所制得的掺杂态PANI具有最好的电导率。     

溴碘化银T-颗粒晶体中的电子和空穴行为研究

利用Wagner极化法研究了掺杂K4[Fe(CN)6]浅电子陷阱掺杂剂的溴碘化银T-颗粒晶体的电子电导率和空穴电导率，并与未掺杂的晶体样品进行对比，分别考察了实验温度、掺杂剂用量、掺杂位置等因素对实验结果的影响。结果表明，随掺杂剂用量的增加，晶体的电子电导率和空穴电导率都相应增加，这说明浅电子陷阱掺杂剂的掺杂有效地抑制了电子和空穴的复合、但其抑制作用却因掺杂位置的不同而不同，当掺杂量一定，掺杂剂掺在碘区附近时，晶体的电子电导率和空穴电导率的变化较明显。随着实验温度的增加，乳剂晶体的电子电导率和空穴电导率都下降。     

掺杂壳聚糖复合材料的制备及用途

壳聚糖有着良好的吸附性、成膜性和通透性、成纤性、吸湿性和保湿性,在诸多领域广泛应用。近年来,人们为了得到更好的应用性能,广泛采用掺杂的方法对壳聚糖物理改性。本文综合概述了一些掺杂方法及掺杂后性能的改善和掺杂壳聚糖符合材料的用途。     

尖晶石型锂锰氧化物的掺杂研究及其进展

综述了不同掺杂元素对尖晶石型锂锰氧化物电化学性质的影响。将掺杂元素按其掺入后的作用可以分为改善尖晶石锂锰氧化物循环性能的掺杂元素和提高其比容量的掺杂元素,并对尖晶石型锂锰氧掺杂研究工作进行了评述。     

Radical-assisted chemical doping for chemically derived graphene

Carrier doping of graphene is one of the most challenging issues that needs to be solved to enable its use in various applications. We developed a carrier doping method using radical-assisted conjugated organic molecules in the liquid phase and demonstrated all-wet fabrication process of doped graphene films without any vacuum process. Charge transfer interaction between graphene and dopant molecules was directly investigated by spectroscopic studies. The resistivity of the doped graphene films was drastically decreased by two orders of magnitude. The resistivity was improved by not only carrier doping but the improvement in adhesion of doped graphene flakes. First-principles calculation supported the model of our doping mechanism.