硅中氮的二次离子质谱(SIMS)定量分析

本文采用相对灵敏度因子法,对硅中氮含量的SIMS定量分析方法进行研究。通过运用改变一次束扫描面积的方法,氮的检测限可达到2.0×10~(14)atoms/cm~3,比常规测试能力提高一个量级。     

离子注入样品的二次离子质谱（SIMS）定量分析

本文分析了弧坑效应和离子轰击混合效应对SIMS深度剖析的影响,认为在采用一次离子束扫描、弧坑效应可忽略的情况下,离子轰击混合效应是影响SIMS深度分辩的重要原因。在分析了注入剂量法的主要误差来源后,结合实验发现了注入剂量法结果随溅射时间的变化规律,由此提出了设定精度、逐点逼近的方法。同时,考虑到溅射深度测量上的困难,采用了LSS理论平均射程值,使得计算更为简捷,并可与SIMS深度剖析同步进行。将该方法用于注N的GCr15轴承钢和注Zn的砷化镓样品取得了较好的结果,与AES和LSS理论分析结果相符,且具有较高的精度。由此方法还可得到稳定的、具有普遍意义的注入元素在基体中的二次离子相对灵敏度因子。     

硅中氧、碳的二次离子质谱(SIMS)分析

本文采用相对灵敏度因子法,对硅中氧、碳含量的SIMS定量分析方法进行研究。通过对样品进行预溅射的方法,氧、碳的的检测限分别可达到6.0e16atoms/cm~3、2.0e16atoms/cm~3。     

砷化镓中铜的SIMS定量分析

砷化镓中铜的SIMS定量分析是有效控制砷化镓中杂质铜的浓度的重要手段,本文介绍用相对灵敏度因子定量分析砷化镓中铜的方法。     

硅中磷的SIMS分析

本文采用相对灵敏度因子法,对硅中磷含量的SIMS定量分析方法进行研究。并通过提高质量分辨率的方法降低背景,使磷的检测限达到1.0×10~(14) atoms/cm~3,进而成为高纯硅样品中磷杂质含量的最可行的检测手段。     

硅中磷的SIMS分析

本文采用相对灵敏度因子法,对硅中磷含量的SIMS定量分析方法进行研究。并通过提高质量分辨率的方法降低背景,使磷的检测限达到1.0×10~(14) atoms/cm~3,进而成为高纯硅样品中磷杂质含量的最可行的检测手段。     

重掺砷硅单晶中痕量硼二次离子质谱定量分析的异常现象

在用二次离子质谱（SIMS）进行重掺砷硅单晶中痕量硼的定量分析时，有时会出现硅片表面局部区域硼浓度非常高，接近10~16 atom/cm³的现象。但是只要把分析区域横向移动几百微米的距离，硼浓度就降到正常范围 ＜1 ×10¹⁴ atom/cm³。按重掺砷硅单晶制备工艺过程，硼在硅单晶中的分布应该是非常均匀的，而且存在这种硼浓度分布的异常硅单晶加工生产的n/n⁺ 外延片并没有出现质量问题。这说明硼浓度分布异常的情况也许是一个假像。本文将探索这一异常情况与硅中所存在的氧的相互关系。     

SIMS中多电荷离子质谱的若干研究

二次离子质谱(SIMS)作为质谱学领域中的一个分支已经越来越占有重要的地位,国外不少学者在溅射机理、仪器及其分析方法等进行了大量研究工作,不断有SIMS的专著问世。过去虽然我们也研制过SIMS仪器,但除了对此种仪器较之电子探针、俄歇谱仪具有极高的检测灵敏度这一     

二次离子质谱无标样定量分析方法的探索

Conventional quantitative analysis of SIMS is based on the calibration with standards. In this paper, some impurities in Aluminum bulk material were quantitatively analyzed using natural abundance of the isotope and known relative secondary ion yield of the elements. The analysis results are compared with the results of other quantitative analysis techniques, such as atomic emission spectrometer and glow discharge mass spectrometer(GDMS).     

粉末样品中某些杂质元素的同位素稀释二次离子质谱定量分析方法的研究

在CAMECA IMS—300型和IMS—3F型离子探针上,探索了将稀释剂直接加入粉末样品中,对Y_2O_3中的Fe、Ni、Cu和Al_2O_3中的B进行定量分析的方法,报道了实验结果和存在问题。     

基于电喷雾离化离子迁移率谱的邻苯二甲酸酯检测方法

将电喷雾离化离子迁移率谱方法(ESI-IMS)应用于塑化剂邻苯二甲酸二(2一乙基己基)酯(DEHP)、邻苯二甲酸二正丁酯(DBP)和邻苯二甲酸二异壬酯(DINP)的检测,测得DEHP、DBP和DINP的约化迁移率分别为0.99 cm2V-1s-1、1.28 cm2V-1s-1和0.92 cm2V-1s-1。研究了漂移管温度、电喷液组分、电喷进样流量等参数的影响。ESI-IMS检测方法对DEHP、DBP和DINP的3倍噪声检测限分别为75.6μg/L、49.3μg/L和810μg/L,线性范围分别是0.25~2.5 mg/L、0.1~0.5 mg/L和4~12 mg/L,可以满足我国卫生部规定的食品、食品添加剂中的DEHP、DBP和DINP的最大残留量的检测要求。尝试了市售白酒中邻苯二甲酸酯的检测,10 min内便可完成前处理和检测过程。ESI-IMS检测方法,操作简便,在微量邻苯二甲酸酯类塑化剂的现场快速检测方面具有良好的应用前景。     

离子探针对多晶硅膜中磷含量的半定量分析

本文介绍了一种离子探针测定的新方法,利用双标样求出干扰因子以对多晶硅膜中的磷含量进行半定量分析。实验表明此方法是可靠的。     

用于美沙芬快速检测的电喷雾离化离子迁移率谱技术研究

中枢性镇咳药物美沙芬在大剂量使用情况下会出现类似毒品的迷幻效果,近年来在不少国家及地区出现滥用趋势.文中对用于美沙芬快速检测的电喷雾离化离子迁移率谱技术(ESI-IMS)进行研究,优化了ESI-IMS系统样品流量、电喷液成分和漂移管温度等工作参数,实现美沙芬的快速高灵敏检测,其约化迁移率为1.23 cm2/Va,基于三倍噪声计算的检测限为～40 μg/L.利用纯中药止咳片剂验证了ESI-IMS系统对实际样品中美沙芬检测的可行性.     

XeCl激光与铜蒸气激光诱导硅中掺硼的比较

讨论了XeCl激光和铜蒸气激光（CVL）诱导硅中掺硼的实验比较结果。CVL诱导掺硼是首次由本课题完成的。激光掺杂之P－N结结深可小于0．2μm，表面硼浓度大于1021cm-3。CVL激光掺杂制成的太阳能电池最高光电效率比XeCl激光高8％，表明CVL激光在激光诱导掺杂中具有明显优势。     

金属材料中氢的二次离子质谱研究进展

本文介绍了二次离子质谱技术对于塑性形变过程中氢释放和高真空下氢扩散率,体内氢分布和裂尖氢化物形成,晶界氢偏析和定量氢分析等方面的研究进展。文中还讨论了氢探测的最佳条件。因此,这种技术对于金属中氢的研究是一种有效手段。     

血塞通注射液与中硼硅安瓿的相容性试验中12种元素迁移量研究

目的 :建立血塞通注射液与中硼硅安瓿的相容性试验中12种元素的迁移量测定方法。方法 :采用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)。仪器射频功率1550W,蠕动泵转速40rpm,雾化室温度2.7℃,采样深度5mm,冷却气流速14L·min~(-1),辅助气流速0.8000 L·min~(-1),雾化器流速0.8814 L·min~(-1)。结果 :各元素质量浓度在0.05～100 ng·mL~(-1)范围内呈良好的线性关系,相关系数均大于0.999,加标回收率在80.7%～122%(n=9),精密度的RSD为1.5%～4.3%;重复性的RSD为1.0%～12.2%,检出限为0.0029～2.4318ng·mL~(-1)。测定三批样品,各元素迁移量均远小于分析安全阈值。结论 :该方法灵敏度高,检测迅速准确、重复性好,可用于血塞通注射液与中硼硅安瓿的相容性试验中12种元素迁移量的检测。     

球墨铸铁中球化率和石墨大小的数字评定

正一、概述球墨铸铁被广泛用来制作一些韧性要求高且形状复杂的工件。随着球墨铸铁应用范围的扩大,其金相检验也更加严格。球墨铸铁金相组织典型特征是在其基体上分布着球状石墨,其形态、大小等对球墨铸铁的性能有重要的影响。准确测定石墨的球化率及大小,是对球墨铸铁组织性能进行评定的基本要求。对于球墨铸铁的球化率和大小的评级,往往采用目测金相组织图片与国家标准图谱相对照的方式来确定其球化级别和石墨大小级别。显然这种方式不仅评判速度慢,而且评定结果易受主     

二次离子质谱中Cu-S链状结构的形成与表征

高性能静态二次离子质谱以其超高灵敏度直接分析固体表面和微区及其离子成像功能为特色。在材料科学等领域已获得了广泛的应用。另一方面,该仪器所特有的超高真空环境和通过一次束(电离)向表面提供能量的特征,使它又象一个通常难以获得的化学实验室。因此,它在表面化学和团簇结构等基本探索方面也愈来愈受到重视。