电沉积制备铜铟硫薄膜的研究（英文）

采用电沉积的方法制备铜铟硫(Cu In S2,CIS2)薄膜,紫外可见光谱仪测试结果表明电沉积制备的CIS2薄膜的禁带宽度为1.5 e V。X射线光电子能谱(XPS)分析表明,薄膜中的铜、铟、硫元素的价态分别为+1,+3和-2。采用线性伏安扫描测试了薄膜的光电性质,在黑暗和光照的条件下,I-V曲线斜率变化率为0.6×10-3。运用DMol3和CASTEP模块计算了电沉积制备的铜铟硫薄膜的禁带宽度,其数值为1.5 e V。通过Materials Studio建立了电沉积制备出的铜铟硫薄膜的结构和XRD模拟谱图,与实验结果一致。     

电沉积制备CIS太阳能电池吸收层材料

在Cu衬底上用电沉积的方法沉积金属In,再通过硒蒸气硒化处理成功制备了CuInSe2薄膜。用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、X射线能谱（EDS）对制备的薄膜进行相组成、微观结构、表面形貌等分析,研究了制备工艺条件对薄膜性能的影响。结果表明：电沉积的In在低温热处理阶段与衬底Cu扩散形成Cu—In合金预制层,预制层在硒化阶段生成CulnSe2,合金中过量Cu生成CuSe表面层,未反应的In转变为Cu36In9,形成Cu衬底／Cu16In9／CuInSe2／CuSe结构。     

Preparation of Copper Indium Sulfide Film by Electro-Deposition Method

采用电沉积的方法制备铜铟硫（CuInS2, CIS2）薄膜,紫外可见光谱仪测试结果表明电沉积制备的CIS2薄膜的禁带宽度为1.5 eV。X射线光电子能谱（XPS）分析表明,薄膜中的铜、铟、硫元素的价态分别为+1, +3和-2。采用线性伏安扫描测试了薄膜的光电性质,在黑暗和光照的条件下,I-V曲线斜率变化率为0.6×10-3。运用DMol3和CASTEP模块计算了电沉积制备的铜铟硫薄膜的禁带宽度,其数值为1.5 eV。通过Materials Studio建立了电沉积制备出的铜铟硫薄膜的结构和XRD模拟谱图,与实验结果一致     

恒电流电沉积法制备Cu-In薄膜

以金属Ti为阳极，不锈钢薄片和镀Mo玻璃为阴极，采用恒电流电沉积的方法制备了化学计量比为1：1、厚度为1μm且致密均匀的CU—In薄膜．分析了镀液离子浓度、电流密度、络合剂含量及添加剂种类对薄膜成分及形貌的影响．在除电流密度外其它工艺条件相同的情况下，采用不同阴极材料为衬底沉积Cu—In薄膜时，薄膜形貌、成分无差别，且电流密度对薄膜的形貌和成分控制起着关键的作用．此外，在镀液离子低浓度范围内，及Cu／In离子浓度比不变的前提下，镀液中金属离子总浓度的改变不会影响镀层的成分和形貌；十二烷基硫酸钠和苯亚磺酸钠可作为理想的辅助添加剂，能改善薄膜形貌，使其表面均匀、规整．由该方法制备的CU—In预置膜可以进一步硒化得到理想的CuInSe2薄膜．     

电沉积 CuS 镀液的电化学性能及镀膜相组成

目的获得结晶好、连续均匀的CuS薄膜。方法采用电沉积方法制备CuS薄膜,研究络合剂、硫源及铜硫离子比例对镀液电化学性能的影响,分析不同沉积电位下所得薄膜的相组成。结果柠檬酸钠的络合效果最好,EDTA最差;硫代硫酸钠作为硫源时,其还原电位较硫脲为硫源时正,氧化电位较负,水平距离值较小,更容易实现共沉积;铜硫离子比例为1时,施镀最合适。沉积电位为-0.8 V时,薄膜的XRD图谱中有氧化亚铜的衍射峰;当沉积电位在-0.9 V时,生成了Cu2S相;沉积电位在-0.9~-1.2V时,生成了目标产物CuS,并且-1.2 V时的衍射峰强度比较高,结晶良好。结论最佳沉积条件如下:柠檬酸钠为络合剂,硫代硫酸钠为硫源,铜硫离子比为1,沉积电位为-1.2 V。     

溶液法制备铜钡锡硫硒和铜锶锡硫硒薄膜

目的 在玻璃基底上制备2种铜钡锡硫和铜锶锡硫薄膜,研究薄膜硒化过程中硒化时间对薄膜形貌以及晶体生长的影响。方法 采用配位能力强的二甲基亚砜作为溶剂溶解金属氯化物-氯化亚铜、氯化钡、氯化亚锡、氯化锶前体盐以及硫脲,二甲基亚砜溶剂中硫原子具有的孤对电子可以与铜离子、钡离子、锡离子、锶离子进行配位,避免了金属硫化物沉淀的产生,制备的分子前体溶液可以在空气中稳定存在。采用液相旋涂的方法在镀有钼薄膜的玻璃基底上旋涂分子前体溶液,随后在充满氮气手套箱中320 ℃加热板上退火制备铜钡锡硫和铜锶锡硫预制膜,使用高温硒化这一可以显著改善铜基薄膜晶体质量的手段进行处理,引入硒原子部分替换硫原子,制备铜钡锡硫硒和铜锶锡硫硒薄膜。使用XRD、SEM、XPS分析表征手段对制备的铜钡锡硫硒和铜锶锡硫硒薄膜进行结构、形貌、元素价态表征。结果 硒化后的铜钡锡硫硒和铜锶锡硫硒薄膜表现出良好的晶体结构,XRD显示组成铜钡锡硫硒和铜锶锡硫硒薄膜由大晶粒组成。硒化后的铜钡锡硫硒薄膜表面由大晶粒组成,形成连续薄膜,不同硒化温度下的铜钡锡硫硒薄膜表面有孔洞出现。随着硒化温度的升高,铜钡锡硫硒薄膜中的小粒子层逐渐消失。硒化后的铜锶锡硫硒薄膜表面晶体层比较稀疏,无法形成连续薄膜,因此无法用于制备薄膜太阳能电池;铜离子、钡离子、锡离子、锶离子、硫离子、硒离子的价态分别为+1、+2、+4、+2、?2、?2。结论 旋涂制备的铜钡锡硫薄膜经过高温硒化之后,铜钡锡硫硒薄膜晶体组成比较致密,组装的玻璃基底/金属钼/铜钡锡硫硒薄膜/硫化镉/氧化锌/铟锡导电玻璃/铝薄膜太阳能电池,表现出光电转换信号。制备的铜钡锡硫硒薄膜太阳能电池的短路电流密度为63 μA/cm²,开路电压为0.169 V。     

非水溶液中电化学沉积制备Sb2Te3热电薄膜

采用电化学沉积法，从非水溶液DMSO中制备了Sb2Te3热电薄膜。并采用循环伏安、SEM、XRD、EPMA等技术分别对电化学沉积过程和产物的形貌、结构、组成进行了研究。结果表明，在非水溶液二甲亚砜（DMSO）中，当电解液中Sb原子和Te原子的摩尔比为2：3，沉积电位为-2．2V时，在室温下即可得到单相的Sb2Te3热电薄膜，元素的组成接近化学计量比，组成薄膜的为大小均匀的球状颗粒，直径约为2～3岬左右。沉积电位对薄膜的组成影响明显，通过改变沉积电位，可以分别得到Te微过量的薄膜和近化学计量比的薄膜。     

1,3-二甲基-2-咪唑啉酮-AlCl3-Cu2O离子液体电沉积金属铜

为找到一种电沉积金属铜的新方法,选用1,3-二甲基-2-咪唑啉酮(DMI)、AlCl₃和Cu₂O(摩尔比为90∶10∶4)的溶剂化离子混合液体进行铜的恒电位电沉积,并分析了电解质的离子结构、电导率、黏度和密度等。拉曼光谱和核磁共振分析表明DMI-AlCl₃-Cu₂O体系中存在[AlCl₂(DMI)₄]⁺、AlCl₃(DMI)₂和[AlCl₄]^-等离子团,DMI-AlCl₃-Cu₂O体系的电导率、黏度和密度随温度在323～373 K区间内呈线性变化。循环伏安研究表明,铜的起始还原电位为-0.4 V(vs Al),还原峰电位为-1.35 V;在-1.1 V至-1.4 V条件下恒电位电沉积得到金属铜,在-1.1 V和-1.4 V电位下电沉积得到的产物表面较平整,在-1.2 V和-1.3 V电位下电沉积得到的产物...     

PCVD制备Til-xAlxN硬质薄膜的结构与硬度

用直流等离子体增强化学气相沉积(PCVD)方法获得了Ti1-xA1xN硬质薄膜,考察了A1含量x及高温退火对薄膜微观结构转变过程及其硬度的影。结果表明，制备的Ti1-xA1xN薄膜由3-10nm晶粒组成.随A1含量x增加，薄膜硬度升高，x超过0．83时，硬度开始急剧下降；结构分析证实x小于0．83，Ti1-xA1xN薄膜是固溶强化；x=0．83，薄膜中出现六方氮化铝相(h-AIN),热稳定性实验表明，Ti1-xA1xN薄膜的纳米结构和硬度在N2环境下可以维持到900℃。     

斜角沉积和热处理对射频溅射ITO薄膜光学性能的影响（英文）

运用射频溅射斜角沉积(OAD)制备铟锡氧化物(ITO)薄膜,对薄膜在250℃下进行热处理,采用基体倾斜和退火相结合的方法对材料的形貌和结构进行改性,从而改变材料的光学性能。对薄膜的形貌表征观察到倾斜的纳米柱、柱间裂纹和结构变化。沉积的薄膜具有非晶成分,结构无序;退火后薄膜被晶化,更加有序;薄膜XRD衍射图样与In2O3的立方结构相对应。随着纳米柱倾角的变化,沉积薄膜的折射率可以提高到0.3,退火薄膜的折射率可以提高到0.15。同样,由于微应变的减少,带隙能增加到0.4 eV左右。结果还发现,微应变分布与晶格畸变、缺陷和薄膜中裂纹的存在有关,因此,可以通过改变薄膜的形貌实现对其光学性质的调整。