电致冷功率放大系统

本文提出利用半导体致冷器件对功率管致冷，以改善其噪声系数及工作稳定性，并期望提高功率管的输出能力。为此，讨论了系统物模型及其设计方法。本文的直接对象是声频功率放大器，但其结论对其功率放大器也适用。     

D类音频功放过流保护电路的设计

本文设计了一种D类音频功放的过流保护电路。通过和功率管同类型,缩小尺寸的采样管监测流过功率管电流的大小,因此在高侧功率管和低侧功率管过流时,使用一个基准电压值和一个比较器就可以完成过流检测及保护功能,有效降低了过流保护电路的功耗和版图面积。栅驱动电路通过一个自举电容不仅为高侧功率管及采样管的开启提供足够的驱动电压,还为过流保护电路提供选择控制信号,交替检测高低侧功率管的过流情况。过流保护电路采用耐高压结构,保证D类音频功放大功率输出时正常工作。     

LDMOS在相控阵雷达中的可靠应用研究

为了满足新型雷达对发射系统日益提出的大功率、大工作比、长脉宽、小型化等多方面的要求,一种有效途径是将LDMOS功率晶体管引入发射机中。而将以通信应用为目的研制的LDMOS功率管可靠地应用在大型相控阵中,需要做更多的努力。文中从功率管失效机理分析入手,讨论了匹配电路设计、偏置电路设计、热设计、电磁兼容设计和接地设计对工作可靠性的重要性,针对LDMOS大功率管的低频高增益和沟道大电流的特点,着重论述了偏置电路设计中抑制震荡和冲击的方法。通过大量实验验证,文中固态功放表现出了很好的工作可靠性。该文对固态功放设计具有普遍指导作用,为新器件在雷达发射机中的应用开拓了道路。     

采用新型特大电子管4212的功率放大器

这是一台由日本佐久间骏氏推荐的用新型直热式特大功率三极电子管4212制成的功放,该功率电子管的功耗比目前号称为“一柱擎天”的直热式大功率三极管845大两倍,电子管的高度与管径均比845功率管大一倍,其灯丝电压为14V,灯丝电流为6A,屏极电压     

大功率集成功放模块工艺研究

在各类电子产品集成度越来越高的前提下,大功率集成功放模块也同样面临着集成度不断提高的要求,如何使其效率更高、体积更小、重量更轻、成本更低、更加可靠耐用已成为大功率集成功放模块工艺研究的主要方向。文章介绍了一种大功率集成功放模块的封装结构设计及组装工艺,功率半导体模块是把若干分立器件及内部电路进行组装,然后用环氧树脂灌封而成的新型器件。它具有体积小、外壳与电极绝缘、可靠性高、安装方便等优点。在研制过程中借鉴了国外知名企业产品的工艺技术,同时也充分利用了现有成熟的半导体集成电路的封装技术。     

L频段150W固态连续波放大器设计

介绍了一种L波段150 W固态连续波功放的设计与实现。由于使用频带没有经济型的大功率功率管,设计过程中采用临近频带的大功率LDMOS功率管,采用动态阻抗匹配和ADS仿真相结合的方法进行跨频带匹配。采用微带巴伦进行分/合路,提高了模块的偶次谐波抑制,同时提高了模块的一致性。设计过程中采取了一系列的控制措施,提高模块的幅度相位一致性指标。制作调试了960~1 215 MHz频段150 W放大器,测试结果表明使用该方法设计放大器满足要求。     

大功率管的再生

许多大功率管由于H_(FH)太低(≤10)而无法使用。还有些饱和压降太大,实际上也是H_(FH)太低所致。此时只要在测V_(ces)(饱和压降)时加大基极注入电流I_b,V_(ces)就迅速减小了。对于这类管子,可加接一只小功率管组成复合管,就可当作一只理想的大功率管使用,如图。加接管的BV_(ceo)应大于原大功率管,为了安全起见,最好等于取1.2～1.5倍。因小功率管BV_(ceo)高一些价格增加不多,而大功率管BV_(ceo)稍大一点则贵不少。此外,后加管的f_r、T_(off)、I_(ceo)、H_(FE)均应优于原大功率管,这在选用正品小功率管时很容易到达。当电路要求很高,即高H_(FE)、趴高反压BV_(ceo)即使用正品大功率管也难满足要求时,也可用这种方法来到达。国外某些产品如2SD961、2SD962在管壳内就做成复合     

大功率功放的过载及负载短路保护

随着音响需求的发展,大功率晶体管及集成电路功放越来越得到广泛的应用。为了保护功放,提高整机的安全可靠性,大功率功放的过载及负载短路保护尤为重要。功放的保护一般有两种方式:当过载或负载短路出现时,自动断开负载或切断功放输入信号。断开负载往往借助于继电装置,继电器触点由于通过电流较大,经常通断易于氧化而损环,形成不可靠因素。近代大功率集成电路多采取切断功放输入信号来达到保护功放的目的。下列两种简单可靠的保护电路均属于后一种保护方式。 1.重启式保护电路     

半导体致冷器浅说

<正> 致冷原理 半导体致冷,又称温差电致冷,亦称电子冷冻。它是利用半导体材料的温差电效应来实现致冷的一种新技术。 两种不同的金属材料两端相互连接构成一个回路,如果两端保持不同的温度,回路中就会产生一个电动势,称为温差电动势。反过来,如果在回路中通以电流,就会使金属材料的一端温度降低,另一端温度升高。这一现象称为温差电效应。     

胆功放的特性及应用（一）

一、国外胆功放应用概述早期的胆机功放级从三极管开始,自从出现了四极管、五极管、束射功率管以后,很长时期内几乎是五极管和束射管一统天下。因为音响界被三极管的低灵敏度折磨了几十年,对五极管、束射管的出现如获至宝。试想,当初全部用三极管的时代,用2A3组成输出3.5W的单端甲类功放,用电磁式唱头作音源,其总增益需要400倍以上,由     

用正偏二次击穿参数验证大功率器件的可靠性

大功率管在整机装配、调试及运行过程中常出现一些质量问题,诸如:电性能曲线漂移、线性不好、直流放大倍数不符要求、甚至集电极-发射极烧毁造成开路等。这些缺陷固然与器件生产过程的质量有极其重要的关系,但如果整机厂在设计过程中考虑不周,选型不当造成余量小或使用上的失误,也会造成大功率管的早期失效。为解决这一问题,我们对所使用的功率管进行了一系列试验,已摸索出一些比较简单的提高大功率器件可靠性的老化、筛选措施。     

用测量正偏二次击穿参数的方法来验证大功率器件的可靠性

大功率管在整机装配、调试及运行过程中常出现一些质量问题,诸如:电性能曲线漂移、线性不好、直流放大倍数不符合要求,甚至集电极-发射极烧毁造成开路等。这些缺陷固然与器件生产过程的质量有极其重要的关系,但如果整机厂在设计过程中考虑不周,选型不当造成余量小或使用上的失误,也会造成大功率管的早期失效。为解决这一问题,我们对所使用的功率管进行了一系列试验,已摸索出一些比较简单的提高大功率器件可靠性的老化、筛选措施。     

功放散热的打摩

甲类功放由于音色圆润、甜美,越来越被广大音乐爱好者所推崇。甲类功放耗电大,发热多,随着发烧友对功率的要求不断提高,功放的散热问题也成了令“摩机族”头疼的事。功放的大功率管发热最多,如果功放使用短时间外壳就烫手,音质劣化,需立即关机,给功放降温。功放中散热器的重量和体积占整机很大比重,其合理布局     

一种采用半导体致冷的集成大功率LED

介绍了一种采用半导体致冷技术散热的集成大功率发光二极管(LED),这种利用珀尔贴效应设计的大功率LED散热封装结构,不但可以从根本上解决大功率集成LED器件的散热问题,还可以使LED器件在高温、震荡等恶劣环境中正常工作.这样,既可拓宽LED的运用领域,又能有效延长大功率LED的寿命.采用该封装技术封装的白光LED,发光稳定,光衰小,寿命长.     

电子管放大器中的特殊电路

①功率管偏置电路 功率电子管要正常工作，必须对控制栅极进行偏置。采用固定偏压时，由于需要专门的偏压电源，电路较复杂。采用自给偏压时，需要用很大功率的阴极电阻。图1是一种不需专门偏压电源取得栅极偏压的特殊方法，栅极偏压由稳压电路提供，偏压值取决于稳压管，稳压电路中PNP功率管的VCE及IC，均不能超出额定值的50％，     

TDA2030A的用途和接线方法——答2005年第6期“高手接招”陈德问

答:首先纠正一下你所说的TDA2030A不是功率管。而是一只高保真单声道功率放大集成电路。广泛应用在组合音响及有源音箱作信号放大功率输出之间。此IC在VCC=16V、RL=4Ω、THD=0.5%时,输出功率为18W,如用该IC作激励级,互补功率管为输出级,则输出功率可达30W。TDA2030A的供电方式可以单、双电源供电工作。TDA2030A单电源工作的OTL应用电路如图1所示。此IC双电源工作的OCL功放电路如图2所示。TDA2030A作激励级工作的功放电路如图3所示。该块还可以组成BTL(需二块TDA2030A)功放电路。以上应用电路,只要按图索取原件,仔细组装,无需调试便可以正常工作。辨别TDA2030A的引脚及各脚的功能:首先把此IC的壳体的字面朝怀,引脚朝下,从左面数为第①、③、⑤脚,以上3只引脚与壳体平形而向下引出,形成与平形面90度,而后面的两只引脚垂引下,为第②、④脚,壳体上的散热片与IC第③脚相通。引脚功能:第①脚为同相输入;第②脚反相输入;第③脚接地(如用双电源供IC工作,参见图5,此脚应接负电源);第④脚输出;第⑤脚接电源的正极。     

横向微堆积大功率半导体激光器线阵的制备

提出了一种横向微堆积大功率半导体激光器线阵的新结构,在相同的注入电流下提高了器件的输出光功率,有效缓解了大电流下的器件热烧毁和光学灾变性毁坏(COD)。制备了横向微堆积三有源区半导体激光器线阵列,在50A的工作电流下,其输出光功率可达到79.3W,斜率效率可达1.81W/A,是传统单有源区bar条的两倍多。     

基于推挽式结构大功率放大器热分析

本文为了验证大功率功率放大器在强迫风冷散热方式下的散热效果，设计了一款基于推挽式结构的大功率放大器，通过理论分析计算散热方案，使用ICEPAK散热软件仿真验证理论计算结果。考虑到功放耗散功率较大，最终采用强迫风冷和热沉的散热方式对功放进行散热。本文设计基于LDMOS功率管型号为MRF13750H，仿真设计在单频点915 MHz，输入功率35dBm时，输出功率达615W，效率为74%，耗散功率约达290 W，理论计算所需风机的风量大小为2.54 m³/min。ICEPAK软件进行仿真在耗散功率在300 W时，功率管温度为71.25℃，风机工作点为3.86 m³/min,工作静压力为201 Pa。仿真验证满足设计要求。     

施乐复印机达林顿管的代换

<正> 一台施乐1027型复印机出现主电机不动,整机不能工作故障。经检查发现,故障是由于主电机数控电路板上的一只Q11功率晶体管的c-e极间击穿短路引起的。Q11管的型号为2SD1608,是一种达林顿管,其主要电参数为:Pcm=50W,Icm=8A,BV_(CBO)=80V。这种晶体管在市场上较难买到。如买不到这种管子,修理时可将该电路板上的另一只相同型号的管子Q9拆下来代换Q11,而Q9则另用一只Pcm低一些的2SD1309     

大功率半导体激光光源光束整形技术研究

光束质量是半导体激光器应用的最大瓶颈,但是可以利用光束整形技术加以改善。随着半导体激光合束技术的发展,半导体激光光束质量的提高,由于其在效率方面的优势,大功率半导体激光技术得到迅速发展。采用连续输出60 W,转换效率达到57%的880 nm大功率半导体激光bar条,组成20层的半导体激光叠阵,输出功率达到1183 W,通过快慢轴准直及光束整形提高激光器的光束质量,最终实现1 kW功率输出,电-光转换效率超过45.8%,光束质量达到79.3 mm.mrad×81.2 mm.mrad。从而使半导体激光器可直接应用于熔覆、表面硬化等领域。