21世纪陶瓷-金属封接技术展望(下)

4 毫米波微波管用陶瓷金属化组成探讨 4.1 背景 　　毫米波真空电子器件是军用微波器件中重要的一支,而且也是"十五"乃至2010年该领域的发展方向之一.由于波长与高频结构几何尺寸之间存在共度性,因而零件加工精度要求越来越精密,并且难以保证;互作用空间体积小,功率受到限制;阴极电流密度也不能胜任.此外,陶瓷金属化层所引起的介质损耗也大大增加,因此,其配方和工艺的选择也将受到严格限制.     

当前俄罗斯陶瓷—金属封接实用技术

综述了当前俄罗斯陶瓷－金属封接实用技术,内容涉及到金属化配方,原材料的技术性能要求,金属化和电镀工艺,以及结构型式和参数等等。     

高可靠性的陶瓷—金属封接

随着新型陶瓷材料(包括结构陶瓷)的不断发展,对金属陶瓷封接的要求也在日益增长。应用最为普遍的封接方法是钼锰法,它可以在陶瓷与金属之间产生高可靠性封接。但是,钼锰法需要两个工艺步骤:先是陶瓷金属化,然后与金属进行封接。虽然,这种方法的周期长,金属化温度也很高(～1500℃),而且封接性能随工艺因素的变化十分敏感。所以,为了获得可靠的封接就必须对工艺加以严格控制,其结果又使这种方法的成本变得十分昂贵。     

不锈钢陶瓷金属封接技术的应用

通过对新材料、新工艺、新结构的摸索应用,实现了不锈钢替代瓷封合金材料。同时采用多元焊料对不电镀不锈钢进行气密性焊接,避免了电镀质量对钎焊气密性的影响,从而实现了不锈钢与陶瓷的非匹配封接,解决了气密性和应力的技术难题,提高了产品的可靠性,广泛应用到了生产实践中。     

玻璃陶瓷与金属封接的应力分析

本文主要介绍玻璃陶瓷与金属气密封接的应力分析。以高热膨胀硅酸锂玻璃陶瓷与耐热、耐蚀合金的封接为例,使其在封接过程中产生类似双金属薄带那样的弯曲。测量其变形,计算出非压束状态下反应界面的应力以及热膨胀系数。评述封接界面的特性,监测界面应力和封接件的匹配情况。     

粘合剂在陶瓷-金属封接技术中的应用

研究改进了目前丝网印刷膏用的粘合剂，运用双毛细管模型解释了封接强度增加的原因，粘合剂成分直接影响陶瓷金属封接质晕，其中溶剂对陶瓷-金属封接强度起着重要作用，起粘和作用的乙基纤维素只影响涂敷后金属化涂层的强度。     

陶瓷-金属封接技术的可靠性增长

综述了陶瓷-金属封接技术可靠性的重要性及其相关影响因素.着重指出,金属化层显微结构应均匀一致,活化剂的膨胀系数应处于Mo金属和Al2O3瓷两者之间.提出需金属化的陶瓷表面的粗糙度应综合考虑,其数值以为宜.在金属-陶瓷平封(包含夹封、立封)结构中,应充分利用配匹封接.     

电子陶瓷、陶瓷一金属封接与真空开关管用陶瓷管壳第九届技术研讨会征文通知

电子陶瓷、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳等相关技术进步十分明显。近十年来一直得到该行业的工程技术人员、专家、学者及领导大力支持和赞助,使该行业一年一度的技术研讨会已成该行业领域的盛会。为使该技术在本行业得到进一步的提高,中国电子材料行业协会,真空电子和专用金属材料分会与陕西宝光陶瓷科技有限公司联合举办第九次“2009年度陶瓷-金属封接与真空开关管用管壳的技术进步研讨会”,重点是研讨生产中的实际技术和可靠性等问题,并进行学术交流。     

近期国外陶瓷-金属封接的技术进展

本文叙述了近期国外陶瓷-金属封接技术的进展,特别是有关Mo粉的有关特性,并对国外典型产品作了分析报告。     

陶瓷-金属封接中的二次金属化工艺

叙述了二次金属化在陶瓷 金属封接质量中的重要性和二次金属化工艺。     

陶瓷纳米金属化技术

在陶瓷金属化层中加入α Al2O3等超微复合粉体,取得了金属化层致密、封接强度提高和金属化温度降低的明显效果。     

陶瓷二次金属化和封接的可靠性

研究了陶瓷二次金属化对陶瓷-金属封接可靠性的某些影响，指出用一定时间酸溶液处理或高温（干氢）烧结工艺，会使其可靠性有所增长，推荐一次与二次金属化工序连续进行，将有利于封接质量的提高。     

21世纪电子战技术发展展望

随着计算机和信号处理等技术的发展,电子战的技术水平也得到了普遍的提高。主要论述了目前国内外电子战技术的发展现状,同时对21世纪电子战技术发展趋势给予展望。     

当前陶瓷-金属封接及其相关技术的新进展

本文综述了最近十年来国内外陶瓷 -金属封接及其相关技术的新进展 ,指出了我国该技术领域存在的问题及其解决办法。     

陶瓷-金属封接技术应用的新进展

综述了最近几年来陶瓷-金属封接技术的进展,包括在固体氧化物燃料电池,惰性生物陶瓷的接合,高工作温度、高气密性、多引线芯柱以及半透明Al_2O_3瓷用于金属卤化物灯中的封接工艺等。特别强调了随着应用领域的不同,陶瓷-封接组件的多种性能都需要不同的提高。