800~2500MHz宽带3dB电桥设计

文章详细描述了一种特殊结构的宽带3 dB电桥的制作过程和预算,提出了一种近似带状线的宽带3 dB电桥设计方案.该方案可使电桥方向性更好、制作工艺更加简便,其带宽可达到800~2 500 MHz,可以承受较大的功率容量,体积小,新式结构使其实现了低插损、高方向性和宽频带,并且易生产、易调试.     

3dB带状线电桥的研究与设计

首先对90°电桥进行了分析。提出一种特殊结构的宽带3dB电桥的设计方案。该方案可使电桥方向性更好、制作工艺更加简便,其带宽可达到9～11GHz,可以承受较大的功率容量,体积小,新式结构使其实现了低插损、高方向性和宽频带,并且易生产、易调试。实测结果和仿真结果基本吻合,验证了研究结果的一致性。     

一种新型宽带平面和差网络

提出了一种新型的基于环形电桥结构的宽带平面和差网络。首先提出了一种新型的宽带微带/槽线转换结构,然后将该结构引入到传统的环形电桥结构中,优化设计了一种改进型环形电桥,最后采用四个改进的环形电桥构建了双平面和差网络。测试结果表明:在4.05～7.425GHz的频率范围内,八个端口的驻波均小于2,输入端口之间的隔离度均在20dB以上,输出端口之间的隔离度大于30dB,和端口的插入损耗小于0.5dB,差端口的零值深度小于-30dB。该和差网络具有性能优良、结构简单、制作成本低等优点,在宽频带单脉冲雷达天馈系统中得到了成功的应用。     

X波段宽带圆极化微带天线的设计与仿真

设计并仿真了一种在X波段工作的宽带圆极化微带天线,其结构为双层介质与空气结合,通过宽带环形电桥和W ilkinson功分器馈电,可使天线驻波带宽达83%,3dB轴比带宽达75%。     

K波段单平衡上变频器的设计

文中介绍了一种应用于宽带无线接入系统发射机的K波段单平衡上变频器的设计方法,并给出了仿真结果和电路版图。电路选用Alpha公司的砷化镓肖特基势垒二极管,采用易于实现的环形电桥结构。通过在环形电桥的一个端口附加45。相移实现了上边带单平衡混频,变频损耗小于6dB,三阶交调系数为39dB,输入1dB压缩点为10dBm。整个电路具有低成本、低变频损耗的特点。     

宽带圆极化锥形辐射单元阵列天线的设计

基于L型探针馈电提出了一种宽带圆极化锥形辐射单元天线的设计方法。为了提高轴比带宽,馈电网络应用带L型馈电探针的宽带90°;电桥,锥台单元取代普通平面贴片作为辐射单元。4个单元组阵后可得到的峰值增益为12.7 dB。馈电网络在介质基板的底面以此来减小天线总体尺寸。测量结果与仿真结果吻合良好,天线可实现40.1%（VSWR<2）的阻抗带宽,42.7%的轴比（AR<3 dB）带宽。     

可收拢展开的宽带双圆极化柔性薄膜天线

星载相控阵雷达因其平台的特殊性要求其天线具有大型轻质、可收拢展开的特点。设计了一种可收拢展开的宽带双圆极化柔性薄膜天线。天线各层均采用柔性薄膜材料制作,相邻层间为空气,因此天线整体为柔性可收拢展开。采用两相互垂直的"H"形缝隙和双层微带贴片结构,并结合3 dB电桥实现了宽带和高隔离度的双圆极化。仿真和测试结果表明,该薄膜天线单元两馈电端口驻波小于2的相对带宽约为36%,极化隔离度大于32 dB,并给出了天线单元双圆极化波瓣方向图的测试结果,其3 dB波瓣宽度为64°,天线单元增益为6.2 dB,并设计了天线小阵。     

一种新型的毫米波功率合成电路

针对毫米波功率合成技术研究,吸取传统W ilk inson电桥的优点,提出了一种新型低损耗毫米波微带集成3dB电桥,其成本低、加工制作容易、在32GHz~37GHz,插损为0.2dB;以此3dB电桥为基础的Ka频段功率合成网络,在频率33~35GHz,合成效率达75%.     

新型3 dB电桥的设计

针对450 MHz频段通信系统中3 dB电桥体积过大的情况,基于微波网络理论提出了一种方形微带线3 dB电桥实现方案.借助Agilent公司的ADS(Advanced Design System)软件完成了仿真设计,通过其内嵌的LAYOUT工具并结合PADS LAYOUT软件,设计制作了PCB版电路.实测结果接近仿真数据,各端口回波损耗低于-20 dB,端口间隔离小于-30 dB,均满足450 MHz中频、20 MHz带宽前馈线性功放模组的要求,而其版图面积只有传统环形电桥版图面积的8%.     

L波段带状线大功率合成器的设计

主要讨论利用带状线3dB电桥设计大功率合成器,应用Ansoft Designer微波仿真软件对其仿真、优化,取得了比较好的结果.实验结果表明该带状线电桥实现了大功率容量和较高的合成效率.     

微带180°电桥小型化及宽带技术研究简

微带180°电桥用途广泛,是微波电路中的基本元件。其研究方向主要为小型化和展宽带宽两个方面。本文对小型化微带180°电桥和宽带微带180°电桥研究现状进行了分析总结,并用奇偶模法分析了理想倒相器情形180°环形电桥特性,基于分析结果,提出采用理想倒相器、环特性阻抗取值、增加匹配段等展宽180°环形电桥带宽的方法。     

微带180°电桥小型化及宽带技术研究

微带180°电桥用途广泛,是微波电路中的基本元件。其研究方向主要为小型化和展宽带宽两个方面。本文对小型化微带180°电桥和宽带微带180°电桥研究现状进行了分析总结,并用奇偶模法分析了理想倒相器情形180°环形电桥特性,基于分析结果,提出采用理想倒相器、环特性阻抗取值、增加匹配段等展宽180°环形电桥带宽的方法。     

1-18GHz微带巴伦双平衡混频器

本文介绍了一种微带巴伦多倍频程微波集成双平衡混频器。它是由宽带微带巴伦和二极管电桥组成。这种微带巴伦双平衡混频器显示了良好的噪声特性和隔离特性。在1-18GHz工作频率范围内,最大双边带噪声系数为8.7dB,平均双边带噪声系数约6dB;本振端一信号端、本振端一中频端隔离度均大于15dB。     

21~28GHz波段平衡式放大器

采用OMM IC的0.2μm PHEM T工艺设计了工作在21~28 GH z的平衡式放大器。正交耦合电桥采用兰格电桥。兰格电桥和平衡式放大器的在片测试结果和仿真结果基本吻合,平衡式放大器在21~28 GH z的增益为18~20 dB,输入和输出回波损耗小于-20 dB,在26 GH z处的输出1 dB压缩点功率为21 dBm。     

基于GaN HEMT的0.8～4 GHz宽带平衡功率放大器

基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,研制了在0.8 ～4 GHz频率下,输出功率大于50 W的宽带平衡式功率放大器.采用3 dB耦合器电桥构建平衡式功率放大器结构;采用多节阻抗匹配技术设计了输入/输出匹配网络,实现了功率放大器的宽带特性;采用高介电常数Al2O3基材实现了小型化功率放大器单元;采用热膨胀系数与SiC接近的铜-钼-铜载板作为GaN HEMT管芯共晶载体,防止功率管芯高温工作过程中因为热膨胀而烧毁.测试结果表明,在0.8～4 GHz频带内,功率放大器功率增益大于6.4 dB,增益平坦度为±1.5 dB,饱和输出功率值大于58.2W,漏极效率为41％ ～62％.     

一种宽带小型化的双圆极化天线设计

设计了一种覆盖X频段的双圆极化天线,通过1个3 dB电桥分别给2个垂直交叉放置的Vivaldi天线馈电来实现双圆极化。为了实现宽带小型化,在Vivaldi天线表面开槽并且电桥采用耦合形式实现。仿真结果表明,所设计的天线整体尺寸为0.48λ×0.48λ×0.5λ(λ对应最低频率处波长),能够在8~12 GHz的频带内实现天线驻波比(VSWR)<2,轴比为3 dB,带宽为40%的左旋和右旋圆极化。     

一款表面贴装3 dB电桥的制作

3 dB电桥在无源系统中是十分常见的器件,主要用于多信号合路、分路及功率合成,提高输出信号的利用率.本文结合我公司在4层SMD 3 dB电桥的实际制作情况,对其制程的主要控制要点进行概述,以供参考.     

Q 波段波导环形电桥的设计与实现

本文介绍了一种采用波导来实现的环形电桥的设计与实现方法。它是在基于微带环形电桥的奇偶模分析的基 础上,用矩形波导代替微带线,实现了Q 波段的环形电桥,环路电桥的输入输出端口均为BJ400 波导。其中为了改 善输入端口的反射,在输入端口的不连续性处加入了一个销钉,销钉的尺寸由HFSS 优化仿真确定。实测结果得到, 在43-46GHz 范围内,环形电桥的反射小于-20dB,输出端口的传输系数均大于-3.4dB,隔离度大于20dB。从测量结 果可以看出,与微带线的实现方式相比,波导环形电桥具有更小的传输损耗。     

8～18 GHz微波低噪声放大器的设计与实现

采用平衡式结构设计了微波宽带低噪声放大器,测试结果:在频率为8～18GHz的宽带内增益大于30dB,增益平坦度小于3dB,噪声系数小于2.0dB,输入输出驻波比小于2.5,1dB压缩点输出功率为15.8dBm。该放大器制作在氧化铝陶瓷基板上。     

一种宽频带3dB环形电桥设计

讨论并设计了一种改进的3dB宽频带环形电桥.采用在各引出臂上加四分之一波长阻抗变换器,并将环分为特性阻抗不同的6段,使其带宽增宽,理论上带宽可以达到40%左右,并给出了微带型电桥的设计、仿真及实测结果.