电子束照射下金纳米微粒的接合

纳米微粒由于其独特的物理、化学性能而受到世界范围的广泛关注。使用金属、合金、半导体和陶瓷纳米微粒来制备功能材料,如陶瓷超塑性材料,一直是科学家们研究的焦点。为了了解这些纳米微粒不同寻常的特性,开发将这些纳米微粒制成块体功能材料的方法,必须对纳米微粒的接合行为进行研究。用电子束照射的方法在HRTEM中动态观察A1/A1纳米微粒的接合过程作者已有报道[1～3],本文研究了金纳米微粒的迁移、旋转和接合,并对其接合机理进行分析讨论。具有直径为1～6纳米的金纳米微粒是由氩离子束溅射技术制备的[3]。金纳米微粒放置在厚度大约为20…     

C离子注入对几种金属／单晶SiO2体系界面特征的影响

近年来利用离子注入技术对金属 陶瓷体系进行界面增强已逐渐受到人们的关注[1～ 3] 。本文报道了利用Ｃ离子注入改善金属 (Ｔｉ、Ａｌ或Ａｇ) ＳｉＯ2 单晶的界面结合 ,并利用纳米划痕仪结合原子力显微镜对Ｃ离子注入前后金属 ＳｉＯ2 单晶的界面失效机理进行了研究。结果与讨论利用真空蒸镀法在ＳｉＯ2 单晶 (水热法合成 )表面制备厚度为 1 80ｎｍ左右的金属 (Ｔｉ、Ａｌ或Ａｇ)薄膜。Ｃ离子注入能量为 1 1 0ｋｅＶ ,剂量为 1× 1 0 17Ｎ+ ｃｍ2 ,靶室真空度为 3～ 5× 1 0 - 3 Ｐａ。采用瑞士ＣＳＥＭ公司ＮＳＴ纳米划痕仪 (配有原子力显…     

纳米YBCO颗粒的团聚的TEM研究

纳米超导颗粒ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7 ｘ是制备第二代高温超导带材非常有用的原料。我们研究的纳米超导颗粒ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7 ｘ是采用柠檬酸盐热解法制备的[1] 。这种方法不同于传统制备大块样品的粉末冶金法 ,可以制备非常细小的颗粒。超导颗粒的颗粒度对纳米带材涂层的质量 ,以及颗粒结晶度的情况对Ｔｃ和Ｊｃ具有重要影响。自ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7 ｘ 的高分辨结构像被ＨｉｒａｇａＫ[2 ] 得到以来 ,对超导材料的ＴＥＭ研究集中在大块材料和薄膜材料[3 ] ,只有非常少的工作报道了纳米ＹＢＣＯ颗粒的ＴＥＭ研究[4] 。本文将对氧气氛退火的纳米Ｙ…     

表面无小丘Al双层栅电极结构研究

利用ＤＳＣ方法研究了纯铝薄膜中的小丘现象,同时制备了Ａｌ双层栅电极Ｔａ／Ａｌ、Ｃｒ／Ａｌ和Ｍｏ／Ａｌ薄膜,并在不同温度下进行了退火处理,研究了双层结构中上层金属Ｔａ、Ｃｒ和Ｍｏ）厚度对Ａｌ薄膜中小丘的抑制作用。实验结果表明,上层Ｔａ膜厚度在８０￣９０ｎｍ左右（在本实验条件下）时,可得到表面无小丘的Ｔａ／Ａｌ薄膜栅材料。实验制备的表面无小丘Ｔａ／Ａｌ、Ｃｒ／Ａｌ和Ｍｏ／Ａｌ等栅电极材料的电阻率均在７     

ZnO导电陶瓷的制备及其性能表征

本文利用化学共沉淀法分别制得Ｚｎ５（ＣＯ３）２（ＯＨ）６掺杂Ａｌ（ＯＨ）３、Ｍｇ（ＯＨ）２以及Ｚｎ５（ＣＯ３）２（ＯＨ）６掺杂Ｓｂ（ＯＨ）３、Ｂｉ（ＯＨ）３、Ｓｎ（ＯＨ）４、Ｃｏ（ＯＨ）３、ＭｎＯ（ＯＨ）２两种复合粉体,利用高频等离子体焙解新工艺,制得了纳米ＺｎＯ及相应的添加剂陶瓷复合粉体．ＴＥＭ分析结果表明：两种陶瓷复合粉体的粒径均小于１００ｎｍ．利用前者,通过添加适当的Ａｌ２Ｏ３和ＭｇＯ,制备出了电阻率约１０～２０００Ω·ｃｍ,Ｖ－Ｉ特性较好的ＺｎＯ线性陶瓷电阻．利用后者,通过适当的杂质配比,在１００     

分布串联横向电阻Spindt型FEA的研究

提出了一种新型的分布串联横向电阻Ｓｐｉｎｄｔ型ＦＥＡ的制作工艺。通过溅射的办法制备了各层电极、绝缘层以及ＦＥＡ电阻层。利用磁增强反应离子刻蚀设备，刻蚀出Ｍｏ薄膜电极图图案和直径１μｍ，深度１μｍ的ＳｉＯ２绝缘层圆孔，利用电子束双源蒸发设备，蒸发Ａｌ和Ｍｏ薄膜，得到Ｍｏ的微尖阵列，制成了分布串联横向电阻Ｓｐｉｎｄｔ型ＦＥＡ。最后得到了常规条件下可测量的场发射。     

以陶瓷厚膜为绝缘层的绿色薄膜电致发光器件

首次报道了采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ＺｎＳ∶Ｅｒ作发光层的绿色薄膜电致发光器件（ＣＴＦＥＬ）。器件结构为陶瓷基片／内电极／陶瓷厚膜／发光层（ＺｎＳ∶Ｅｒ）／透明电极（ＺｎＯ∶Ａｌ）。发光层是用电子束蒸发制备的,透明电极是采用溅射法制备的。器件在市电频率驱动下发出明亮的绿光,研究了器件的亮度－电压和效率－电压等特性。     

液相掺杂对ZnO压敏电阻器性能的影响

采用Ｃｏ、Ｍｎ、Ａｌ等元素液相掺杂，制得了高能和高压ＺｎＯ压敏电阻器，通过与氧化物掺杂制得的电阻进行比较，结果表明，掺同样含量Ｃｏ时，液相掺杂的高能压敏电阻器大电流区的Ｉ－Ｖ曲线上翘，将Ｃｏ的含量减半，得到了性能全面优于氧化物掺杂的高能压敏电阻器。在高压ＺｎＯ压敏电阻器配方中，采用Ａｌ液相掺杂，能有效地改善大电流区的非线性。     

硅基GaAs／GaAlAs平面光波导的研究

分析了金属有机化合物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ／Ｓｉ材料结构的性能，用ＭＯＣＶＤ法地硅衬底上生长了ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ材料，并用这种材料制备了平面光波导样品，测定了１．３μｍ，单模激光的传输损耗小于０．６５ｄＢ／ｃｍ。     

第二相对MoSi2磨损形貌的影响

ＭｏＳｉ2 作为重要的高温结构材料 ,其室温增韧和高温增强是当前材料科学研究的热门方向之一[1] ,第二相 (如ＳｉＣ、ＺｒＯ2 和ＴｉＢ2 等 )的引入为ＭｏＳｉ2 的室温增韧和高温增强提供了途径[2 ,3 ] 。同时 ,ＭｏＳｉ2 具有潜在的高温摩擦学应用价值 ,但第二相对其摩擦磨损性能的影响机制尚不清楚。因此 ,本文利用热压烧结工艺制备了ＭｏＳｉ2 、ＭｏＳｉ2 Ｂ4Ｃ、ＭｏＳｉ2 ＳｉＣ和ＭｏＳｉ2 ＺｒＯ2 (均为 2 0 %体积比 ) ,利用瑞士ＣＳＥＭ球 盘接触形式的摩擦磨损试验机对ＭｏＳｉ2 及其复合材料的摩擦学性能进行了评价 ,对偶材…