高频MOS场效应管变换器工作特性

功率 MOS—FET 的漏极、源极间,存在着反向内部二极管,用MOS—FET 组成 PWM 型变换器时,由于其内部二极管的恢复电流而引起上下支路的短路现象。若采用电感来控制电流的上升能有效地防止这种现象,本文把紧耦合电感的短路电流控制电路用于100KHZ 左右的高载波频率上工作,做成功率1KW 的PWM 变换器。而且求出各元件上的损耗以及变换器的效率。依据理论值和实验值的比较研究,给出 PWM 变换器的设计指南。     

新型低开关损耗QFET功率MOSFET及应用

快捷半导体推出称为QFET系列的新一代功率MOSFETs,具有低通导电阻(R_(DS_(on)))和低栅极电荷(Q_g),因而产生较小的开关损耗,从而提高开关电源(SMPS)的效率,改善SMPS的性能。     

20瓦简单开关正向变换器

采用ＬＭ２５７７开关ＩＣ,可开发一种正向变换器拓扑结构的２０瓦（５Ｖ,４Ａ）降压稳压器。这种正向变换器可以容易地提供输入和输出之间的电隔离。设计指标Ｖｉ范围：２０Ｖ～２４ＶＶ：５Ｖ４ＡＶ：２０ｍＶ下面分述这种变换器的变压器设计,输出滤波器设计和缓冲电路设计。基本的正向变换器示于图１。变压器设计１．采用最大开关电压、输入电压和缓冲电压来计算变压器的初级／箝位线组的匝数比：选Ｎｐ／Ｎｃ＝１．２５其中Ｖ电压是由变压器的初级漏电感所产生的电压尖峰的估计值。２．开关的占空度ｔｏｎ／Ｔ由初级线组的伙一秒（Ｖ…     

正向变换器输出的有效二次调节器

有很多方法可以得到正向变换器好的输出调节,磁性放大器是最流行的一种,特别是低电压,高电流输出情况,这是计算机电源中,正向变换器从5V获得3.3V输出的一种传统方法.这篇文章介绍了另外一种方法,它有同步FET整流器和新型控制器,代替磁性放大器的可饱和电感.     

新型矿用架线电机车用直流电源变换器

介绍了用场效应和 IGBT管作功率控制器件的矿用直流电源变换器的用途、工作原理、技术数据、使用方法 ,也介绍了脉冲宽度调制集成控制电路和半桥式变换器电路以及过流和短路保护的工作原理和电路。     

一种新颖的ZVZCS双管正激变换器

本文提出了一种新颖的、利用辅助电路实现零电压、零电流开关的双管正激变换器。其中,有源钳位辅助电路用来实现主开关管上的零电压开通,同时使该变换器的占空比拓展到50%以上;变压器副边的辅助电路用来实现主开关管以及副边二极管的零电流关断。因此,该变换器中全部开关管均工作在软开关状态下。与其他软开关双管正激变换器相比,该变换器具有结构简单、所用元器件最少等优点。最后,经过一台250W的样机检验,该变换器效率最高可达95.7%,非常适合IGBT应用的场合。     

DC—DC正激变换器次级有源箝位电路

提出一种新型DC－DC正激变换器次级有源箝位电路。它一方面将储存于变压器漏感能量无损耗地转移到负载,另一方面有效降低了次级功率二极管电压应力。本文对其一个周期内工作原理及相关理论进行分析,并给出2.8kW DC-DC变换器实验结果及波形。     

准谐振正激变换器零电压开关设计

准谐振有源箝位正激变换器的有源箝位电路与常规的有源箝位正激变换器的结构类似,但实际工作过程存在许多差异。通过分析准谐振有源箝位正激变换器的工作过程,研究了准谐振有源箝位正激变换器的开关管零电压导通的边界条件,并进行了仿真和实验验证。     

软开关谐振复位双管正激DC/DC变流器

提出了一种新额的双管正激DC—DC变流器,利用谐振复位使变流器工作在0．5以上的占空比,利用变压器副边串饱和电感的方法使变流器所有开关管实现软开关,适于宽范围输入、高效率要求的应用场合。分析了变流器的工作原理,对变流器的特性进行了详细的分析。最后以一台250V400V直流输入,54V／5A输出的样机验证了该变流器的可行性。     

一种新型正激零电压零电流转换PWM DC/DC变换器

提出一种新型的零电压零电流转换(ZCZVT)的正激拓扑。拓扑工作频率为300kHz,能实现主开关管的零电压开通(ZVS)和零电流关断(ZCS),同时辅助开关管也能实现零电流关断(ZCS),且变压器的磁通复位不需要辅助绕组。文章进行了拓扑的稳态分析,并且讨论了谐振电路的参数设计。最后,在研制一台48V输入、12V/100W输出样机的基础上,实验验证这种新型正激ZCZVT PWM DC-DC变换器的软开关特性。     

正激式开关电源输出滤波特性的分析与仿真

文中对正激式开关电源的输出LCR组合滤波特性进行了深入分析,在比较分析以往一些相关研究的基础上,从时域和频域计算仿真了LCR组合滤波器的功能性能以及关键零点频率,以指导变换器环路补偿设计。     

热载流子应力下n-MOSFET线性漏电流的退化

研究了不同沟道和栅氧化层厚度的n-M O S器件在衬底正偏压的VG=VD/2热载流子应力下,由于衬底正偏压的不同对器件线性漏电流退化的影响。实验发现衬底正偏压对沟长0.135μm,栅氧化层厚度2.5 nm器件的线性漏电流退化的影响比沟长0.25μm,栅氧化层厚度5 nm器件更强。分析结果表明,随着器件沟长继续缩短和栅氧化层减薄,由于衬底正偏置导致的阈值电压减小、增强的寄生NPN晶体管效应、沟道热电子与碰撞电离空穴复合所产生的高能光子以及热电子直接隧穿超薄栅氧化层产生的高能光子可能打断S i-S iO2界面的弱键产生界面陷阱,加速n-M O S器件线性漏电流的退化。     

光伏发电用推挽正激升压电源的研究

针对光伏发电升压电源中存在的输入输出不隔离及体积大效率低的缺点,研制了一款具有MPPT功能的新型推挽正激升压电源。以推挽正激变换器作为升压电源的核心,设计了升压电源主电路、控制电路、反馈电路。在最大功率点跟踪中提出了扰动因子,利用改进的变步长扰动观察法对传统的MPPT算法进行优化。实验结果显示了变换器良好的特性,推挽正激升压电源达到了结构简单稳定性高的设计要求并能准确迅速跟踪外部环境的变化。     

一种新型推挽正激DC/DC变换器研究

介绍了一种倍流整流推挽正激DC-DC变换器，分析了其工作原理，论述了该变换器主电路、驱动电路及脉冲变压器的设计，最后通过样机实验，验证了推挽正激变换器的优点。     

脉冲激光双管正激开关电源的软拓扑

设计了一种双正激电路的软开关和预燃电路，分析了它们的工作原理，推导了一些关键技术参数的计算公式。原边电路的主开关管和副边电路的功率二极管都实现了软开关，减小了开关过程中的能量损耗，减小了电磁污染。