台积电投资6．9亿美元抢进40nm制程

据DigiTimes网站报道,台积电日前董事会决议,将投资6．9亿美元,扩充12英寸晶圆厂的45nm和40nm制程产能。同时,也核准资本预算1．74亿美元购买8英寸晶圆厂设备,用以将部分0．18μm逻辑制程产能升级为0．11μm CMOS图像传感器制程、0．11μm逻辑制程、0．13μm高压制程及0．18μm射频制程产能。此外,并将部分0．35μm逻辑制程产能升级为MEMS制程产能。     

台积电28nm扩产受惠业者

为冲刺28 nm先进制程,补上产能缺口,台积电大幅调升2012年资本支出,更将28 nm产能视为2012年营运重点,台积电大刀阔斧,上游材料设备商也雨露均霑。     

台积电为提升45nm以下制程产能进行采购

台积电近日表示：虽然尚未公布今年的资本支出计划,但仍将持续进行设备采购,并以提升45、40nm的先进制程产能为主。     

65nm以下制程产能仍短缺 晶圆双雄仍扩产

<正>虽然绘图芯片、网通及手机芯片等市场已进入库存修正阶段,除了65/55nm以下先进制程产能仍短缺,40nm及28nm产能更是供不应求,晶圆双雄台积电及联电仍然扩产不停歇。设备业者表     

台积电2010年资本支出48亿美元创新高市场震惊

晶圆代工在龙头台积电带领下再掀投资热潮,台积电日前宣布2010年资本支出将创下历史新高达48亿美元,较2000年次高纪录的33亿美元大增45％,亦较2009年暴增70％,令市场咋舌!同时据统计,目前台积电在45／40nm制程高达9成市占,制程愈先进市占率愈高。     

台积电松江厂产能将快速扩充

台积电松江厂于2004年10月实现量产，当前产能已从2004年底的15000片／月跃升到了31000片／月。随着今年年初中国台湾对大陆开放0．18μm工艺制程后，台积电松江厂现已导入0．18μm工艺，并实现了量产。     

台积28nm产能超目标

<正>台积电导入28 nm制程速度加快,中科传出,台积电中科晶圆15厂第1、2期,28 nm制程月产能已提前在本月突破5.2万片,28 nm下月的总产能将达7.5万至8万片规模,较原本6.8万片的目标明显提前,显示公司淡季不淡,接单畅旺。展望明年,台积电全年28 nm占营收比重将来到30%,28 nm毛利率也将提升至40%以上,坐稳全球28 nm龙头厂宝座。     

全球半导体厂资本支出大幅增加

正2014年半导体产业看好,各厂纷纷调升资本支出,半导体三巨头台积电、三星电子(SamsungElectronics)、英特尔(Intel)资本支出维持高位,GlobalFoundr-ies、SK海力士(SKHynix)、中芯国际、东芝(Toshiba)、华亚科、华邦等也都调升资本支出,晶圆代工厂产能满载,DRAM和NANDFlash产业未来一年内也是供需健康,芯片价格走扬。晶圆代工厂2013年资本支出即明显攀升,2014年眼见先进制程的战局越来越激烈,28纳米产能吃紧,20纳米制程加入战场,16/14纳米制程也将拉开战场,各大半导体厂资本支出战争更是不手软。     

中国大陆一次流片成功率高

今年TSMC资本支出将达60亿美元,其中8亿美元集中在研发,50多亿美元的支出主要用于扩充先进工艺和成熟工艺的产能。因先进工艺设备比较贵,所以支出占比较大。TSMC(台积电)中国区业务发展副总经理罗镇球在IC-CAD2010年会上对《中国电子报》记者表示,台积电已占全球代工市场的半壁江山,在先进工艺方面,65 nm工艺的市场占有率达70%,40 nm工艺占有率则     

中芯国际今年芯片产能目标减至每月15．5万片

晶圆代工大厂台积电对外宣布，该公司90纳米Nexsys制程技术为多家客户量产芯片，在2004年第四季中每个月的90纳米12口晶圆出货量已达数千片，2005年将扩大产能以因应客户对此先进制程技术的需求；这些客户包括Altera及Qualcomm等公司，也包括一些整合组件制造商(IDM)。     

2007中国晶原代工市场群雄逐鹿，战况将极为激烈

台积电对当局的此项决定表示欢迎，并表示此举将有助于该公司在大陆地区的市场竞争。台积电何丽梅副总经理表示，未来台积电在大陆除了既有的0．35及0．25μm制程能力外，将加入0．18μm制程，更有利于为客户在大陆地区提供符合其需要的制造服务，相信此举可以争取到更多的订单，并且扩大台积电在大陆地区的市场占有率。     

芯片代工新贵峥嵘毕露台积电左右开弓捍卫导地位

只要是在摩尔定律行之有效的地方,企业就必须跟上它的步伐,为此才能在市场上占有一席之地. 8月11日,台积电董事会宣布.决定投资11.17亿美元,以扩充旗下12英寸晶圆厂的45/40nm制程产能,并新上马32/28nm相关制程.据此间观察人士分析,台积电如此大兴土木,完全是因应欧洲新竞争对手表现出来的咄咄逼人之势.     

先进制程导入SOI晶圆代工厂布局暗潮汹涌

随着微处理器（CPU）、游戏机芯片（GPU）制程对SOI技术需求愈来愈强，SOI已成各大晶圆代工角逐核心客户青睐的武器。台积电、联电都不敢轻忽先进制程以下导入SOI技术大量生产的重要性，新加坡特许半导体（Chartered Semiconductor）则抢先在90nm制程中采用IBM授权，赢得微软（Microsoft）XBOX 360 GPU订单。据传，台积电正评估未来45nm制程，争取代工CPU的可能性，未来更积极取得SOI技术势在必行。     

封测大厂布建3DIC产能

为应对台积电明年积极布建20nm制程产能并跨及3DIC封测，封测大厂日月光、矽品及记忆体封测龙头力成，下半年起也积极抢进3DIc封测，布建3DIC封测产能。     

DRAM及NAND是中国12英寸芯片线的出路

台积电赴大陆投资0.18微米制程(8英寸晶圆)申请案获批准。台积电早于2005年1月即向台湾当局提出赴大陆投资0.18微米制程申请,不过迟迟未能获得放行,让竞争对手中芯国际有充裕的时间奋起直追;期间大陆晶圆代工龙头中芯国际积极发展先进制程,第一批90纳米逻辑产品已于2006年第三季正式量产,其中第三季90纳米产品比重已达4.9%,65纳米工艺技术也有望于明年下半年出台。     

90nm技术进程

联电90nm铜制程技术顺利产出2003年3月联电宣布客户采用联电90nm铜制程技术的产品顺利产出,此举让联电成为第一家以业界最先进的90nm制程为客户成功推出产品的晶圆专工公司。联电是首家达成此重要里程碑的晶圆专工公司,这完全归功于近几个月来联电在先进制程的重大进展。联电预期客户即将于今年量产此产品。由于具备丰富的0.13μm产品量产经验,联电在转进90nm制程的试产进展顺利。许多首次在0.13μm制程采用的新材料及新技术,皆可应用于90nm制程技术上,包含铜制程及低介电系数材料等。联电的90nm技术将使用9层铜导金属层、三闸氧化层(triple…     

SMIC年内投产65nm制程 明年转向32nm

据DigiTimes网站报道,尽管在65nm制程上落后于竞争对手,中芯国际（SMIC）并不想放弃向先进制程转移。公司某高管表示,今年年底公司将完成向65nm的转移,此外2009年公司将进一步转向32nm制程。SMIC微制版技术部主管Eric Guo表示,公司将在2008年内投产65nm制程。     

DRAM及NAND是中国12英寸芯片线的出路

台积电赴大陆投资0.18微米制程（8英寸晶圆）申请案获批准：台积电早于2005年1月即向台湾当局提出赴大陆投资0．18微米制程申请．不过迟迟未能获得放行，让竞争对手中芯国际有充裕的时间奋起直追：期间大陆晶圆代工龙头中芯国际积极发展先进制程．第一批90纳米逻辑产品已于2006年第三季正式量产．其中第三季90纳米产品比重已达4．9％65纳米工艺技术也有望于明年下半年出台。     

NetLogic Microsystems与台积电就40nm技术展开合作

NetLogic Microsystems公司与台湾积体电路制造股份有限公司日前宣布,在领先业界的40nm泛用型制程技术领域合作,推出NetLogic Microsys-tems下一世代先进的knowledge-based网络处理器及10／40／100Gigabit实体层（PhysicalLayer）解决方案。NetLogicMicrosystems是knowledge—based网络处理器及整合高速芯片设计发展的领导者,也是最先在台积电公司先进40nm制程流片与验证多项产品的客户之一。     

SpringSoft LAKER系统支持TSMC 40纳米技术可相互操作的制程设计套件

SpringSoft近日宣布,支持台积电的40纳米可相互操作制程设计套件（iPDK）。这是以SpringSoft所支持TSMC 65纳米RF制程iPDK为基础,预计在2010年第二季结束,