中芯国际12英寸厂获奇梦达80纳米制程技转 并可延伸至75纳米制程

据《半导体国际》网2007年8月22日报导:德国DRAM大厂奇梦达(Qi-monda)与中芯国际(SMIC)共同宣布签署协议,奇梦达将移转80纳米制程沟槽式技术予中芯位于北京12英寸晶圆厂,中芯将运用此技术为奇梦达制造各种专属DRAM内存,双方合作协议还包括未来将奇梦达75纳米制程技术移转给中芯     

TSMC启动中国台湾南科晶圆十四厂扩建工程

TSMC4月9日在中国台南科学工业园区举行晶圆十四厂12英寸超大型晶圆厂第五期动土典礼，继竹科晶圆十二厂第六期之后，为TSMC先进的20纳米制程技术再次扩展重要生产据点，打造TSMC充沛的先进产能。     

NetLogic采用TSMC技术生产40纳米网络处理器

NetLogic Microsystems公司与台湾积体电路制造股份有限公司目前宣布，在领先业界的40纳米泛用型制程技术领域合作，推出NetLogic Microsystems下一代先进的knowledge—based网络处理器及10／40／100 Gigabii实体层解决方案。     

英特尔开始研发7纳米和5纳米制程工艺

英特尔首席执行官保罗·欧德宁（PaulOtellini）日前表示，英特尔已开始对7纳米和5纳米制程技术的研究。此外，英特尔目前计划在美国俄勒冈、亚利桑那和爱尔兰的工厂中部署14纳米制程生产线。欧德宁表示：“我们的研发已非常深入，面向未来10年。”他透露，英特尔对7纳米和5纳米制程技术的研究仍在按原定时间和目标稳步推进。     

Cadence推出22纳米客制化显影光源优化软件

Cadence新推出客制化显影光源最佳化的软件，这是Cadence22纳米以下整合式显影光源最佳化技术系列中的全新功能。最佳化客制化显影光源技术强化了制程容许度，并提供22纳米半导体制造更佳的二维影像。Cadence与Tessera Technologies公司合作，将客制化显影光源技术的制造概念融人SMO软件技术系列中。     

应用材料公司推出UVision 3系统

近日，应用材料公司推出具有业界最高生产力的DUV（深紫外）亮场硅片检测工具UVision3系统，它能满足45纳米前端制程和浸没式光刻对于关键缺陷检测灵敏度的要求。这个新一代的系统为应用材料公司突破性的UVision技术带来了重要的进步，它将扫描硅片的激光束数量提升至3倍，使其生产速度比任何竞争对手的系统快40％。两个新的成像模式将灵敏度扩展至20纳米，全新灵活的自动缺陷分类引擎能够迅速标定出有害缺陷从而达到更快的成品率学习进程。     

半导体制程微细化技术再突破从65nm到45nm的微观神话

半导体微细化制程从65纳米迈向45纳米、甚至芯片结构尺寸将朝向32或22纳米之际,我们将会面临什么未知的物理性质变化?为了追寻更微小体积、切割更多芯片的商业成本效益,我们的制程技术如何再进一步地去突破,会有什么样的材料正等待着我们去发掘?     

罗门哈斯与IBM合作开发32和22纳米CMP技术

罗门哈斯公司继与IBM公司签署协议共同开发为32纳米以下制程的注入提供支持的电路图案成形材料和工艺后。近日又宣布与IBM签署了另一项联合开发协定。此项合作将专注于开发用于32纳米和22纳米技术节点的铜线和低绝缘介质集成的CMP工艺技术。根据该协议，两家公司将制定出一个完整的CMP耗材方案来支持32纳米和22纳米制程半导体器件的大规模生产。     

Tensilica力倡IP标准化

英特尔公司就日前正致力开发其高性能65纳米（nm）逻辑制程的超低功耗版，以支持面向移动平台和小型设备的超低功耗芯片的生产。这种超低功耗制程将会是英特尔第二代基于65纳米制造技术的芯片制程。     

落水山鸡变凤凰——193nm浸没式光刻技术之回顾与展望

随着芯片特征尺寸的持续缩小．IC制程的革新上演着一幕幕改朝换代的传奇故事。轻松的如铜互连PK铝互连，艰难的有LowK、HighK材料部分替代SiO2。其中最富戏剧性的莫过于193nm光刻技术对157nm光刻的绝地大反击。2002年以前．业界普遍认为193nm无法延伸到65nm制程．而157nm将成为主流技术。而如今浸没式光刻不但帮助193nm重拾信心并成功延伸至65nm制程，且193nm浸没式光刻迅速成为45nm制程的主流技术．并极可能继续向下延伸。     

DRAM及NAND是中国12英寸芯片线的出路

台积电赴大陆投资0.18微米制程（8英寸晶圆）申请案获批准：台积电早于2005年1月即向台湾当局提出赴大陆投资0．18微米制程申请．不过迟迟未能获得放行，让竞争对手中芯国际有充裕的时间奋起直追：期间大陆晶圆代工龙头中芯国际积极发展先进制程．第一批90纳米逻辑产品已于2006年第三季正式量产．其中第三季90纳米产品比重已达4．9％65纳米工艺技术也有望于明年下半年出台。     

中芯国际今年芯片产能目标减至每月15．5万片

晶圆代工大厂台积电对外宣布，该公司90纳米Nexsys制程技术为多家客户量产芯片，在2004年第四季中每个月的90纳米12口晶圆出货量已达数千片，2005年将扩大产能以因应客户对此先进制程技术的需求；这些客户包括Altera及Qualcomm等公司，也包括一些整合组件制造商(IDM)。     

各大半导体巨头制程工艺发展近况解读

目前全球主要集成电路的制造厂家的制程已经发展到纳米(nm)级别,全球各大半导体巨头制程工艺在竞争中发展。毫无疑问,Intel是半导体工业的技术霸主,是先进制程技术的带头人。AMD是曾经的追随者,与格罗方德合作后又转向三星。台积电在GPU领域有崇高地位,能否再创辉煌,业界拭目以待。三星14nm Fin FET的规模化量产,使得三星成为全球半导体领域的新霸主。制程工艺的极限将推动集成电路制造技术产生革命性创新。     

计算设备进入无线互联新纪元

未来,凡计算,必互连。从最简单的嵌入式传感器到最先进的云数据中心,业界正在致力于开发让所有设备实现无线连接的技术。2012年9月13日,英特尔CTO贾斯汀首次展示了一款可正常工作的全数字Wi-Fi无线电装置,并称之为"摩尔定律无线电"。贾斯汀介绍,利用英特尔最新的22纳米三栅极制程技术,这款全数字无线电遵循摩尔定律的预期,实现了更小的尺寸和更高的能效。     

半导体制程微缩至28纳米封测厂加码布局先进封装技术

随着半导体制程微缩到28纳米，封测技术也跟着向先进制程演进，日月光、矽品、京元电、力成、颀邦等一线大厂，都加码布局3DIC及相对应的系统级封装（SiP）产能，包括硅通孔TSV）、铜柱凸块（CopperPillarBump）等。封测业者预估，最快2011年第4季可以接单量产。     

DRAM及NAND是中国12英寸芯片线的出路

台积电赴大陆投资0.18微米制程(8英寸晶圆)申请案获批准。台积电早于2005年1月即向台湾当局提出赴大陆投资0.18微米制程申请,不过迟迟未能获得放行,让竞争对手中芯国际有充裕的时间奋起直追;期间大陆晶圆代工龙头中芯国际积极发展先进制程,第一批90纳米逻辑产品已于2006年第三季正式量产,其中第三季90纳米产品比重已达4.9%,65纳米工艺技术也有望于明年下半年出台。     

22nm节点制程=断手取玉？

Alchimer公司是用于三维硅通孔（TSV）、半导体互连和其他电子应用的纳米沉积技术提供商。从某些方面上看,22nm节点制程也许并不算是什么技术上的突破,相反,在人们的眼中这可能是一种吃力而不讨好的活儿。     

台积电率先量产40纳米制程

台积电近日表示,40纳米泛用型（40G）及40纳米低耗电（40LP）制程正式进入量产,成为专业集成电路制造服务领域第一个量产40纳米逻辑制程的公司。40纳米制程是目前半导体产业最先进的量产制程,在全球消费性电子、行动通讯以及计算机市场下一世代产品的开发上将扮演关键角色。台积电40纳米泛用型及40纳米低耗电制程都已经通过制程验证,也按原订计划产出首批芯片,     

富士通与台积电将合作延伸至28nm高效能制程

日本富士通微电子与台积电宣布，双方将以台积电技术平台为基础，针对富士通微电子的28纳米逻辑IC产品进行生产、共同开发并强化28纳米高效能制程。     

中国芯片技术未来发展趋势

正英特尔CEO保罗·欧德宁(PaulOtellini)表示,英特尔已开始对7纳米和5纳米制程技术的研究。此外,英特尔目前计划在美国俄勒冈、亚利桑那和爱尔兰的工厂中部署14纳米制程生产线。英特尔还开展了7-5纳米的芯片研发,韩国三星也由20纳米向15纳米进军,成为芯片一霸,台湾的台积电也开始20纳米芯片量产。反观中国大陆中芯国际,芯片还停留在40纳米,还并没有量产。