一种基于电流输出DAC的逐次逼近A/D转换器

设计了一种12位逐次逼近A/D转换器.该A/D转换器具有四种信号输入范围,利用电阻网络使不同量程的模拟输入与内部DAC输出范围保持一致,从而使用相同的比较器和基准实现对不同范围输入信号的A/D转换;采用一种新型分段电流源结构,利用电流信号实现内部DAC及逐次比较功能.该电路采用2 μm LC2MOS工艺实现,其积分线性误差(INL)和微分线性误差(DNL)均为±1/2 LSB,最大转换时间为12 μs.     

逐次逼近A/D转换器综述

从逐次逼近A／D转换器（SA-A／D）的工作原理出发，分别对其核心模块D／A转换器和比较器进行了讨论。SA-A／D转换器中的D／A转换器可分为电压定标、电流定标和电荷定标三种，重点分析了三种目前应用较多的并行电容、分段电容和RC混合结构。SA-A／D转换器中的比较器可分为运放结构比较器和锁存（latch）比较器，实际常常使用这两种结构级联的高速高精度比较器，并配合失调校准技术，达到较高精度。最后，简要总结了SA-A／D转换器的研究现状，阐述了其在精度、速度和功耗三个方面的发展状况。     

一种用于SAR A/D转换器的高速移位寄存器

基于65 nm标准 CMOS工艺,提出了一种单次触发的动态D型触发器。基于这种D型触发器,设计了一种用于逐次逼近型(SAR)A/D转换器的高速移位寄存器。在传统的SAR A/D转换器转换过程中,比较器每比较1次,逻辑模块就进行1次移位和1次锁存,每1次移位延迟约为2个D触发器的工作时间,因此,限制了整个系统的转换速度。相比于传统的移位寄存器,本文设计的高速移位寄存器兼具移位和锁存的特点,仅需要传统结构一半数量的D触发器就能实现输出移位和锁存功能。这种寄存器结构能够将A/D转换器的转换速度提升45%,且功耗更小。     

一种2.5 V 1-MS/s 12位逐次逼近A/D转换器

设计了一种低功耗、中速中精度的单端输入逐次逼近A/D转换器,用于微处理器外围接口。其D/A转换器采用分段电容阵列结构,有利于版图匹配,节省了芯片面积;比较器使用三级前置放大器加锁存器的多级结构,应用了失调校准技术;控制电路协调模拟电路完成逐次逼近的工作过程,并且可以控制整个芯片进入下电模式。整个芯片使用UMC 0.18μm混合模式CMOS工艺设计制造,芯片面积1 400μm×1 030μm。仿真结果显示,设计的逐次逼近A/D转换器可以在2.5 V电压下达到12位精度和1 MS/s采样速率,模拟部分功耗仅为1 mW。     

用于A／D转换器的无冗余逐次逼近寄存器

本文介绍了一种用于Ｎ比特Ａ／Ｄ转换器逐次逼近寄存器，这种寄存器对Ｎ比特Ａ／Ｄ转换吕的２＾Ｎ个输出值进行编码，由于采用了最少数量的触发器（ｌｏｇ２Ｎ个）因此没有冗余码，且结构非常简单，这种技术还实现了区域最优和较小的误码率。     

一种8通道12位逐次逼近式A/D转换器的设计

设计实现了一个8通道12位逐次逼近式A/D转换器。A/D转换器内部集成了多路复用器和并行到串行转换寄存器、复合型D/A转换器,实现数字位的串行输出。整体电路采用HSPICE进行仿真,转换速率为133 ksps(千次采样每秒),转换时间为7.5μs。通过低功耗设计,工作电流降低为2.8 mA。芯片基于0.6μm BiCMOS工艺完成版图设计,版图面积为2.5 mm×2.2 mm。     

采用两种转换模式的14位逐次逼近型A/D转换器

本文介绍了一种用 CMOS 工艺制作的14位逐次逼近型模数转换器。其高六位是用电阻分压来获得,低八位用电容电荷分配来实现,精度达到14位分辨率,转换器用于码声转换和语音信号处理。     

一个8位110kSPS逐次逼近型A／D转换器

探讨和研究逐次逼近型A/D转换器(ADC).理论分析了它的原理和一般结构,给出了一个具体结构的ADC框图和多个具体的子模块电路图;并通过实验仿真,构造了一个分辨率为8位、采样速率达110 kSPS的逐次逼近型ADC,给出了具体的实验仿真结果,以此验证该电路结构的可行性.     

一种串行逐次逼近10位 D/A转换器

首先对几种形式的D/A转换器进行了比较,设计了一种电容型D/A转换器。这些电容在逐次逼近结构中构成二进制权阵列。这种结构的D/A转换器动态范围大、建立时间短,精度易于保证;且它的温度系数、电压系数、功耗及面积均优于电阻型D/A转换器。在Cadence SpectreS环境下进行仿真验证,该转换器信噪比为49 dB,积分非线性为±0.5 LSB。     

一种单片12位逐次逼近型A／D转换器研究

本文介绍了一种单片１２位逐次逼近型Ａ／Ｄ转换器。它能在小于６μｓ的转换时间内净０－１０Ｖ或－５－５Ｖ输入的范围的模拟电压转换成相对应的１２位数字输出在码。电路采用ｐ－ｎ结隔离标准３μｍ双极工艺制作，在－４５－＋８５℃温度范围，电路的线性误差和微分线性误差皆小于０．０１２％ＦＳＲ。     

16位逐次逼近A/D转换器熔丝误差修调技术

提出了一种提高16位逐次逼近(SAR)A/D转换器精度的熔丝误差修调技术。该技术用于提高A/D转换器内部核心模块—16位DAC的精度,从而达到提高整个A/D转换器精度的目的。电路采用标准CMOS工艺流片。测试结果显示,熔丝误差修调后,常温下,电路的INL为2.5 LSB,SNR为88.8 dB,零点误差EZ为1.1 LSB;修调后,A/D转换器有效位数ENOB从12.56位提高到14.46位。     

一种用于14 bit SAR ADC的DAC设计

本文设计了用于14bit逐次逼近型模数转换器（SAR ADC）的DAC电路。针对该DAC,介绍一种全差分分段电容阵列结构以缩小DAC的版图面积;高二位权电容采用热码控制,用以改善高位电容在转换时跳变的尖峰以及DAC的单调性;对电容阵列采用数字校准技术,减小电容阵列存在的失配,以提高SAR ADC精度。校准前,SAR ADC的INL达到10LSB,DNL达到4LSB;与校准前相比,校准后,INL〈0.5LSB,DNL〈0.6LSB。仿真结果表明,本DAC设计极大改善SAR ADC的性能,已达到设计要求。     

一种10位120 MS/s逐次逼近A/D转换器

基于SMIC 65 nm CMOS工艺,设计了一种10位120 MS/s逐次逼近A/D转换器。电路为1.2 V电源供电,采用基于单调转换方式的改进型低功耗D/A电容阵列,相比于传统电容阵列,功耗降低了91%。采用一级动态预放大加一级动态锁存器的动态比较器,以降低功耗和提高速度。设计了与电容阵列工作方式相结合的异步逻辑控制电路,以降低外部时钟设计难度,并在控制功耗的前提下提高速度。Spectre仿真验证结果表明,在采样频率为120 MHz,输入信号频率为60 MHz时,SFDR达到81.07 dB,有效位数大于9位,具有良好的动态性能。电路整体功耗约为600 μW。     

用ispPAC20和isp1032实现可编程逐次逼近式A/D转换器的研究

ispPAC20在系统可编程模拟器件集放大器、比较器、D／A转换器为一体、方便地完成放大器、有源滤波器、方波发生器等模拟电路单元的设计。还可将其与isp1032结合实现可编程的逐次逼近式A／D转换。本文给出了一个设计,它具有控制灵活,可8方便地嵌入到电子系统设计中的优点。     

Σ-Δ模拟/数字转换器综述

Σ-ΔA/D转换器是利用速度换取精度的高精度模拟/数字转换器。文章分析了Σ-ΔA/D转换器的产生、组成和优势,重点介绍了Σ-Δ调制器结构及其性能指标,简要介绍了数字抽取滤波器。对Σ-ΔA/D转换器国内外发展状况进行了全面的分析。在此基础上,论述了Σ-ΔA/D转换器未来的发展趋势。     

逐次逼近型模数转换器中的失配校准技术

设计了一种用于逐次逼近型模数转换器中的比较器失调和电容失配自校准电路.通过增加校准周期,该电容自校准结构即可与原电路并行工作,实现高精度与低功耗.校准精度可达14bit.采用该电路设计了一个用于逐次逼近型结构的10bit 3Msps模数转换器单元,该芯片在SMIC 0.18μm 1.8V工艺上实现,总的芯片面积为0.25mm2.芯片实测,在采样频率为1.8MHz,输入320kHz正弦波时,信号噪声失真比为55.9068dB,无杂散动态范围为64.5767dB,总谐波失真为-74.8889dB,功耗为3.1mW.