Preparation and Dielectric Properties of Nonstoichiometric β-SiC Powder by Combustion Synthesis

The nonstoichiometric β-SiC powders were synthesized via combustion reaction of Si and C system in a 0.1 MPa nitrogen atmosphere, using Teflon as the chemical activator. The prepared powders were invistigated by XRD and Raman spectra. The results indicates that the cell parameters of all the prepared β-SiC powder are smaller than the standard value of β-SiC because of generation of CSi defects. The complex permittivity of prepared products was carried out in the frequency range of 8.2-12.4 GHz. It shows tha...     

A Method to Adjust Dielectric Property of SiC Powder in the GHz Range

The SiC powders by Al or N doping have been synthesized by combustion synthesis, using Al powder and NH4Cl powder as the dopants and polytetra?uoroethylene as the chemical activator. Characterization by X-ray diffraction, Raman spectrometer, scanning electron microscopy and energy dispersive spectrometer demonstrates the formation of Al doped SiC, N doped SiC and the Al and N co-doped SiC solid solution powders, respectively. The electric permittivities of prepared powders have been determined in the frequency range of 8.2-12.4 GHz. It indicates that the electric permittivities of the prepared SiC powders have been improved by the pure Al or N doping and decrease by the Al and N co-doping. The paper presents a method to adjust dielectric property of SiC powders in the GHz range.     

Preparation and Properties of Macroporous Silicon Nitride Ceramics by Gelcasting and Carbonthermal Reaction

1. IntroductionIn recent years, porous Si3N4 ceramics have re-ceived increasing attention for their extensive applicationin many high-tech areas such as bio ceramics[1], cata-lyst supports[2], hot gases filter[3], liquid purification[4],sensors[5], and membrane reactors[6]. Their appeal ismainly because of their unique and inherent proper-ties. Si3N4 ceramics are materials with excellent me-chanical properties, good corrosion resistance and oxida-tion resistance[7]. Since better performance …     

稀土铈改性二氧化钛微粉的制备及其介电性质

用Sol-gel法制备了掺杂稀土元素铈的二氧化钛微粉,测试了它的介电常数和电导率,由该材料作分散相与甲基硅油配制了无水电流变液,对其电常数和电导率增加,材料的电流变性能也发生很大的改变,存在一个稀土含是珠最佳浓度范围,在此区域介电常数取得最大值,电流变液的剪切强度也取得极大值,比纯二氧化钛电流变液的流变性能提高5倍以上。     

Preparation of aligned silicon carbide whiskers from porous carbon foam by silicon thermal evaporation

Aligned silicon carbide whiskers were prepared from porous carbon foams by thermal evaporation of silicon. High-density silicon carbide whiskers were vertically deposited on the surface of siliconizing carbon foam. The whiskers were straight and hexagon-shaped with diameter of 1-2 μm and length of about 40 μm. They consisted of a single-crystalline zinc blende structure crystal in the [111] growth direction. The pore structure of carbon foam played an important role in determining distribution of the whiskers on the surface of siliconizing carbon foam. When carbon foam with higher porosity and larger pore size was employed, distributions of the whiskers were more ordered and more intensive. The whiskers were grown by the vapor-solid (VS) mechanism.     

SrTiO3为基的介质陶瓷的结构与介电性质

本文主要研究0.91(Sr_(0.84)Pb_(0.16))TiO_(?) 0.09(Bi_2O_3·3.5TiO_2)介质陶瓷的结构与介电性质。用扫描电镜和 X 射线衍射分析表明,此种材料在室温下为顺电立方相,具有晶粒小且均匀、致密度高等特点。介电测量表明,在10kHz～90MHz 范围内样品的介电常数ε′基本上保持不变,而介电常数ε″随频率的增加而平坦地增大。     

Sol-Gel法制备纳米碳化硅粉体的研究

彩和两种有机金属化合物为起始原料，用溶胶－凝胶法通过合理控制反应条件，制备出β－ＳｉＣ凝胶粉体，然后在Ａｒ气氛、９００～１３００℃下热处理，制备出了纯度非常高、颗粒尺寸在１０ｎｍ左右的β－ＳｉＣ纳米粉体，产物纯度达到９９．９２％。利用Ｘ－ｒａｙ粉晶衍才透射电镜（ＴＥＭ）结合Ｒａｍａｎ光谱对制得的粉体进行了形貌、结构及颗粒尺寸系统研究。讨论了反应温度对β－ＳｉＣ纳米粉体颗粒生长机制的影响。     

SiC纤维表面C涂层的制备及介电性能研究

采用化学气相沉积(CVD)法,在SiC纤维表面沉积了100nm厚的C涂层,研究了制备温度对C涂层微观结构、单丝纤维体电导率及纤维编制体介电性能的影响.采用SEM和RAM显微技术(Raman microscopy)对C涂层的表面形貌和微观结构进行分析.结果表明:保持C涂层厚度一致,当沉积温度由800℃升到900℃后,C涂层的石墨化程度提高,晶粒变大,SiC纤维单丝体电导率由0.745Ω~(-1)·cm~(-1)升到6.289Ω~(-1)·cm~(-1);SiC纤维编制体的复介电常数实部由90升到132,介电损耗由0.95升到1.14,其中虚部由87升到150.实部增大与载流子浓度增大有关,虚部增大与材料漏导电有关.认为这是SiC纤维表面沉积的C层使纤维电导率增大所致.直流电导损耗足其主要损耗机制.     

有机包覆改性SiC粉体表面结构与性质的表征

本研究中的有机包覆改性SiC微粉通过硅烷偶联剂处理以及有机单体在其表面上的接枝聚合而获得。通过X-射线衍射分析改性前后粉体的主要物相成分;以粉体悬浮液离心清液的离子电导率和粉体胶粒的Zeta电位曲线来表征粉体表面的吸附离子浓度及表面电性;通过TEM、FTIR等测试手段表征粉体有机包覆层的形貌和化学组成结构。研究表明:以提高SiC粉体水基分散固含量为目的的有机包覆改性工艺在未改变粉体基本成分的基础上,有效降低了粉体表面吸附离子的浓度,提高了表面电荷;其完整的表面有机包覆层体现包覆物质的结构和性质,有效地掩蔽了SiC粉体原有的表面,使有机包覆改性成为SiC粉体水基分散性能提高的有效方法。     

金属钴超细粉的化学镀合成及其微波性能研究

以CoSO_4·7H_2O、NaH_2PO_2 H_2O等为原料,在[Co~(2+)]=0．30 mol/L,[Co~(2+)]：[NaH_2PO_2·H_2O]=1：8(摩尔比),pH=9．8,T=90℃,[Co~(2+)]：[Na_3Cit]=2：1(摩尔比),DBS用量为0．5%(质量分数)的条件下,采用化学镀工艺制备了金属钴超细粉体。采用XRD、SEM对其相成分、显微结构进行了研究。采用波导法,对超细钴粉的复介电常数、复磁导率在8．2～12．4GHz下的变化规律进行了研究。结果表明,金属钴超细粉体的粒径在0．5～1．0μm左右,呈片状和圆球状。所制备金属钴粉的介电损耗值较小,在0左右波动,其磁损耗在1．3左右变化。     

RF磁控溅射制备Al_2O_3薄膜及其介电性能研究

以-αAl2O3为靶材,采用射频磁控溅射法制备了非晶Al2O3薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电镜、划痕仪、表面粗糙轮廓仪和阻抗仪研究了不同溅射功率和不同溅射气压对薄膜制备的影响,探索了不同溅射功率下制备的Al2O3薄膜的介电常数和介电损耗与频率的关系。试验结果表明,制备的非晶Al2O3薄膜表面平滑致密;随着工作气压的增加,薄膜沉积速率增加;随着溅射功率的增加,Al2O3薄膜的沉积速率和介电常数逐渐增加、介电损耗逐渐减小;随着频率的增加,Al2O3薄膜的介电常数逐渐减小,高频阶段趋于稳定。     

Sr掺杂BaTi2O5单晶的制备与介电性能研究

采用悬浮区熔技术制备了一种Sr掺杂的二钛酸钡（BaTi2O5）单晶（Ba1-xSrxTi2O5,x=O-0．03）,重点研究了Sr掺杂量对其结构和介电性能的影响。结果表明：成功制备出物相单一、沿b轴方向生长的Ba1-xSkTi2O5单晶;适量Sr掺杂能有效改善Ba1-xSkTi2O5单晶的介电性能,其居里温度随Sr掺杂量的增加稍有降低,而介电常数极大值则呈现先增大后减小的趋势,在Sr掺杂量X=0．01时达到最大值42190。     

砂磨粉碎制备SiC超细粉体

砂磨粉碎是制备超细陶瓷粉体的有效途径之一 ,避免了传统球磨、酸洗工艺对环境的污染。本文采用砂磨粉碎工艺制备 Si C超细粉体 ,研究了砂磨粉碎制备过程中料浆固含量、球料比和砂磨时间等工艺条件对粉体尺寸和尺寸分布的影响 ,在一定工艺条件下 ,将中位粒径为 7.3μm的高纯 Si C粗粉砂磨粉碎 1 8hr,得到了中位粒径为 0 .4 7μm、粉体尺寸分布范围窄、氧含量小于1 .5wt%的超细 Si C粉体。     

低温燃烧合成法制备纳米NiFe_2O_4

以九水硝酸铁、六水硝酸镍、水溶性肼类燃料为原料,添加金属离子络合剂、分散剂等为辅助剂,利用溶液燃烧合成法制备了纳米NiFe2O4粉体。利用XRD、TEM、SEM等测试方法对产物进行了表征,并研究了不同燃料、络合剂用量、分散剂用量、煅烧温度对粉体粒径和形貌的影响。实验结果表明,在以水溶性肼为燃料、络合剂2g、分散剂2g、煅烧温度800℃、煅烧时间2h时,可获得粒径均匀的纳米NiFe2O4粉体。所得产物的粒径范围为40～80nm,结构膨松,分散性良好。     

聚甲基苯基二苯乙炔基硅烷树脂的热稳定性与介电性能

为研究聚甲基苯基二苯乙炔基硅烷树脂的热稳定性与介电性能,以甲基苯基二氯硅烷、苯乙炔、镁条为原料,通过Grignard反应制备甲基苯基二苯乙炔基硅烷(MPDPES),再通过热聚合法制备聚甲基苯基二苯乙炔基硅烷树脂(PMPDPES).采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和核磁共振波谱(1 H-NMR、13 C-NMR和29 ...     

介质谐振器介电参数频响特性及频率温度系数的测量

本文讨论了微波介质谐振器介电参数频响特性和频率温度系数的测试方法、测试装置和测试系统。用Q值较高的TE0mn模作为测试介电参数的工作模式 ,取不同下标m和n的TE0mn模式进行测量 ,以获得介电参数的频响特性。为克服常规测试方法因耦合方式不当激励起杂模干扰高次TE0mn 模测试的问题 ,提出了新的耦合方式 ,研制了测试装置。同时 ,还研制了结构巧妙的频率温度系数测试装置。实测表明 ,该测试方法、测试装置和测试系统能对介电参数频响特性及频率温度系数进行快速、准确、可靠、无损伤和批量的自动测试。     

ZnS:Mn荧光粉的溶剂热法制备及其发光性能

采用溶剂热法合成了ZnS∶Mn荧光粉,讨论了锰掺杂量对硫化锌发光性能的影响。通过扫描电镜(SEM)、X射线粉末衍射仪(XRD)、紫外可见分光光度计(UV-Vis)和荧光分光光度计(PL)对合成的ZnS∶Mn荧光粉的结构和光学性能进行了表征。结果表明:ZnS∶Mn荧光粉的平均粒径为13.5nm,在波长340nm~200nm处有强吸收,Mn离子浓度在所研究范围内,锰掺杂量对硫化锌的晶型、结晶度、粒径无影响,但对其能级结构影响显著,且随着Mn离子掺杂量的增加,发光强度先增加后减小,掺杂量为5%时达到最大值。     

纳米金红石相TiO2的制备及其介电性能实验研究

在等离子体增强多弧镀膜装置上通过反应离子镀方法制备出了较纯净的纳米金红石相TiO2 ,其平均晶粒尺寸为8 5nm。通过对在 2 0MPa下压制成形的纳米金红石相TiO2 块材进行介电频谱测试 ,发现在f<0 1kHz的低频区 ,纳米金红石相TiO2 的相对介电常数异常大 ,比传统粗晶材料提高了 1～ 2个数量级 ;其介电损耗随频率的增加而先减小后增大 ,在 1kHz左右出现最小值