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零电压零电流开关PWM DC/DC全桥变换器的分析 总被引:14,自引:0,他引:14
提出了一种零电压零电流开关 PWM DC/DC全桥变换器,该变换器实现了超前桥臂的零电压开关和滞后桥臂的零电流开关。本文中分析了它的工作原理和参数设计,并给出了实验结果。 相似文献
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文章介绍了采用零电压零电流(zvzcs)软开关方式的移相全桥PWM变换器,在分析电路工作原理的基础上进行参数设计,然后利用Simetrix仿真软件对电路进行仿真,通过仿真波形验证了参数设计的合理性以及该电路实现了降低开关损耗的作用。 相似文献
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采用零极点对消和极点配置的方法分别设计了电流内环和电压外环的PI调节器参数,根据并网逆变器电流闭环系统的Bode图和零极图,分析了其电流内环闭环系统的稳定性,并对由该方法设计得到的PI参数进行了实验验证。实验结果表明,该双闭环PI调节器参数设计方法效果良好,能够满足系统设计要求。 相似文献
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《高压电器》2016,(8):120-125
湍流模型参数的合理设置是气流场仿真中的要素之一。对于电流零区湍流模型的选择及湍流参数的设置,研究者持有不同的观点。文中针对零区气流场对标准k-epsilon湍流模型参数敏感度大小的问题,基于磁流体动力学原理,以252 k V压气式结构燃弧阶段的动态仿真为基础,计算了电流过零阶段湍流模型参数C1e对气流场的影响偏差百分比。通过特定监测点处气压与温度的对比,分析讨论了引起敏感度数值差异较大的原因。研究表明,湍流模型参数C1e的改变对喷口区域内气体压力的影响较小,对于气体温度的影响相对较大。零区气流场对C1e的敏感度会受到气流场分布的制约,在激波存在的条件下,激波作用会增加湍流对气流场的影响程度,但在工程应用上,参数C1e变化所引起的气流场计算偏差是可以接受的。气流场对C1e敏感度的分析,对于湍流模型参数的设置具有一定的参考价值。 相似文献
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总体最小二乘–旋转矢量不变技术在电压闪变参数提取中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
将总体最小二乘-旋转矢量不变技术(total least squares-
estimation of signal parameters via rotational invariance technique,TLS-ESPRIT)引入到电压闪变参数的求取中,闪变参数的提取可转化为求取一系列边频分量参数的问题。对于电压信号数据形成的HANKEL矩阵,通过奇异值分解进行信号子空间和噪声子空间的划分,通过TLS的再次消噪和抗干扰处理,提高闪变参数的提取精度。仿真结果表明,对于含噪声、谐波和多调幅的电压闪变信号,该方法具有较高的精度。实例分析进一步验证了该方法的可行性和有效性。 相似文献
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根据船舶中压电力系统的特点,对中压断路器开断性能密切相关的参数进行了分析。结果表明,陆用标准中额定短路开断电流和关合电流、工频恢复电压和瞬态恢复电压、电寿命等参数经过换算、折算,基本上符合船用要求,个别参数是否合适有待进一步研究。 相似文献
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电网戴维南等值参数的快速计算 总被引:5,自引:1,他引:4
提出一种电网在基态和N-1状态下戴维南等值参数的快速计算方法,并在此基础上对负荷节点进行电压稳定分析。通过推导的非线性方程组,运用电网基态和N-1状态下的节点电压和电压灵敏度的数值,可求得2种状态下的戴维南等值参数。不同于两点潮流或其他多点潮流方法,该方法只需要给定运行点的节点电压和节点电压灵敏度数据,计算简单快速。利用求得的等值参数可求得该节点的阻抗模指标和最小奇异值来快速分析负荷节点的电压稳定性。IEEE14和IEEE118节点系统的计算仿真验证此方法的正确性和实用性。 相似文献
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为解决谐振接地配电网对地绝缘参数测量过程中电压互感器漏阻抗和中性点对地支路阻尼电阻导致的测量误差问题,提出了谐振接地配电网对地绝缘参数双端谐振测量新方法。采用双电压互感器,通过消弧线圈内部电压互感器或零序电压互感器向配电网注入变频恒流特征信号,并从另一电压互感器测量返回的特征频率电压信号,对含阻尼电阻的零序谐振回路进行等效变换,搜索准确的系统谐振频率,实现了系统对地电容和对地泄漏电导的精确测算。该测量方法的电流注入与电压测量单元共同直接作用于对地绝缘参数支路,从原理上消除了电压互感器漏阻抗和系统阻尼电阻的影响,大幅提升了对地绝缘参数测量精度。在PSCAD/EMTDC仿真环境及某变电站10 kV侧对提出的对地绝缘参数实时测量技术进行了仿真分析与现场实验验证。分析结果表明,该方法测量精度高,不影响配电网正常供电且参数测量过程安全快捷、操作简便。 相似文献
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Mukesh Kumar Jagpal Singh Ubhi 《International Journal of Circuit Theory and Applications》2019,47(11):1775-1785
The proposed 10T SRAM cell design is implemented for different CNTFET parameters like pitch, number of tubes, chirality, dielectric materials, and flatband voltage to analyze its effect on various performance parameters. The channel gate width, average read, and write power increase, but leakage power, read delay, and write delay decrease with the increase in pitch of CNTFET, whereas all these parameters are directly proportional to the number of tubes. Chirality alteration shows inverse effect on threshold voltage, read delay, and write delay although other parameters are directly related to it. The performance parameters are evaluated for various dielectric materials, and HfO2 gives the best results for low power and high-speed applications. Analysis of flatband voltage on proposed 10T SRAM is performed by keeping flatband voltage constant for n-CNTFET and varied for p-CNTFET. Extensive analysis has been done to scrutinize the sharing of powers and delay of 10T SRAM because of variations in supply voltage and temperature. The supply voltage sweeps for a range between 0.6 and 1.2 V, and range of temperature variation is considered from −27 to 127°C. The stability of the proposed SRAM cell is calculated using N-curve method to find voltage and current information. The CNTFET based 10T SRAM cell depicts that it persists supply voltage and temperature variation significantly superior than CMOS. 相似文献
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为了解决现阶段计算低压配电网负荷上实际压降、三相负荷不平衡度时忽略三相负荷不平衡与中性线阻抗同时存在的实际情况所引起的求解结果不准确问题,提出一种实时计算负荷实际大小及负荷侧虚拟中性点电压的方法,以此辅助监测低压配电网安全。首先建立与低压配电网等值阻抗网络匹配的高阶微分方程模型,再利用方程系数与等值阻抗参数之间的关系,采用暂态数据辨识模型参数,实时求取三相负荷等值阻抗,中性线阻抗及虚拟中性点电压。仿真结果验证了该方法的有效性和准确性。 相似文献