一种应用于SoC的高稳定性无片外电容LDO稳压器

为了减少负载电流瞬态变化对低压差线性稳压器(LDO)输出电压稳定性的不利影响,设计了一种应用于片上系统(SoC)的高稳定性无片外电容LDO稳压器.该电路采用密勒电容倍增补偿和零点-极点跟踪补偿技术,使LDO在不同负载条件下仍具有良好的环路稳定性.同时,通过摆率增强电路来动态调节功率晶体管的栅极电压,改善了LDO的瞬态响...     

一种具有瞬态增强的无片外电容型LDO

提出了一种稳定性高、瞬态特性良好、无片外电容的低压差线性稳压器(LDO)。采用推挽式微分器检测负载瞬态变化引起的输出电压变化,加大对功率管栅极寄生电容的充放电电流,增强系统的瞬态响应能力;在误差放大器后接入缓冲级,将功率管栅极极点推向高频,并采用密勒电容进行频率补偿,使系统在全负载范围内稳定。基于TSMC 65 nm CMOS工艺进行流片,核心电路面积为0.035 mm²。测试结果表明,最低供电电压为1.1 V时,压降仅为100 mV,负载电流1 μs内在1 mA和150 mA之间跳变时,LDO的最大输出过冲电压与下冲电压分别为200 mV和180 mV。     

一种无片外电容高瞬态响应LDO设计

针对SoC中电源管理模块对高功能-面积比和高瞬态响应的需求,本文提出一种基于翻转电压跟随器（FVF）的无片外电容低压差线性稳压器（LDO）,采用电压峰值检测技术实现动态电流偏置,进而提升系统瞬态响应。基于SMIC 40nm工艺的仿真结果表明,在典型负载切换状态下,提出方案的下冲和上冲恢复时间相比传统的FVF结构LDO电路分别缩短了75%和29%。     

一种瞬态增强无片外电容LDO电路

基于CSMC 0.18 μm工艺,设计了一款瞬态增强的无片外电容LDO。设计误差放大器时,采用改进的第2级放大器提高功率管栅端的充放电速度,从而提高瞬态响应。采用嵌套密勒补偿方式来保证LDO的稳定性。仿真结果表明,输入电压为2~4.5 V时,LDO的输出电压为1.8 V,负载电流在1~300 mA之间具有良好的稳定性,响应时间为1.4 μs,最大过冲电压为84 mV。     

一种快速瞬态响应无片外电容LDO

针对无片外电容LDO,在误差放大器与功率管之间添加缓冲器,采用频率补偿的方法,提高了环路稳定性。通过检测负载瞬态变化引起的误差放大器输出电压变化,增加对功率管栅极电容的充放电电流,提升了系统的快速瞬态响应能力。基于TSMC 0.18 μm标准CMOS工艺,设计了一种输入电压范围为1.92~3.60 V、输出电压为1.8 V的LDO。结果表明,负载在1 μs内从0变化到100 mA时,输出最大下冲电压为37.2 mV,响应时间为1.12 μs;负载在1 μs内从100 mA变化到0时,输出最大过冲电压为40.1 mV,响应时间为1.1 μs。     

一种采用电压检测器的无片外电容FVF-LDO

提出了一种基于翻转电压跟随器(FVF)的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。采用电压检测器来检测输出电压,大幅改善了瞬态响应,克服了常规LDO面积大、需要使用片内大电容的缺点,仅消耗了额外的静态电流。该LDO采用90 nm CMOS工艺进行设计与仿真,面积为0.009 6 mm²,输入电压为1.2 V,压差为200 mV。结果表明,在50 pF负载电容、3～100 mA负载电流、300 ns跃迁时间的条件下,产生的上冲电压为65 mV,瞬态恢复时间为1 μs,产生下冲电压为89 mV,瞬态恢复时间为1.4 μs,且将负载调整率性能改善到0.02 mV/mA。     

一种高精确度低功耗无片外电容LDO设计

设计了一种片上集成的高精确度、低功耗、无片外电容的低压差线性稳压器(LDO)。采用一种新型高精确度、带隙基准电压源电路降低输出电压温漂系数;采用零功耗启动电路和支路较少的摆率增强模块降低功耗,该电路采用CSMC 0.5 μm CMOS工艺。经过Cadence Spectre仿真验证,输出电压为3.3 V,在3.5~5.5 V范围内变化时,线性调整率小于0.3 mV/V,负载调整率小于0.09 mV/mA,输出电压在-40~+150 ℃范围内温漂系数达10 ppm/℃,整个LDO消耗17.7 μA的电流。     

一种高性能无片外电容型LDO设计北大核心CSCD

设计了一种高性能无片外电容型LDO线性稳压器.其中,EA采用推挽输出放大器设计,在静态时保持低功耗,瞬态响应时提供大的输出电流,提高LDO的响应速率.高环路增益使LDO电路具有很高的稳压精度;采用零点补偿技术,保证了LDO环路稳定性.LDO采用0.13μm CMOS工艺设计,仿真结果表明,在1.2V^2.0V输入电压下,LDO输出稳定的1.0V电压,输出负载电流为50μA^100mA,最大负载电容可达到100pF,低频PSR为-67.5dB@100mA^-85.5dB@50μA,负载调整率0.8μV/mA,LDO的静态电流为50μA,整体版图面积为0.016 3mm2.     

一种快速瞬态响应的无片外电容LDO

设计了一种快速瞬态响应的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。采用具有摆率增强作用的缓冲级电路,可以在不额外增加静态电流的同时检测输出端电压,在负载瞬间变化时增大功率器件栅极电容的充放电电流。缓冲级电路还引入了简单的负反馈技术,增加了环路的相位裕度。采用SMIC 180 nm的CMOS工艺进行设计和仿真。仿真结果表明,当输入电压为1.4~5 V时,该LDO的输出电压为1.2 V,最大负载电流为300 mA; 负载电流在1 mA和300 mA间变化时,最大过冲电压为76.5 mV,响应时间仅为1.5 μs。     

一种高增益快速响应且无片外电容型LDO设计

设计了一款无片外电容低压差线性稳压器(LDO),其瞬态响应速度极快,且增益高、带宽宽,输入电压范围为2.8V~5.0V,输出电压2.4V。使用HSPICE仿真验证了直流、交流、瞬态、温度等特性。在Typical工艺角情况下,负载电流以100mA/1μs突变时,输出电压突变量最大为89mV。重载与轻载模式下电压差也仅为16.8mV,在两种极端工艺角条件下,输出电压突变量最大108mV。此LDO无片外电容,整个片内补偿电容仅为4pF,3dB带宽为4068Hz,0dB带宽高达52MHz。     

直接注入模式可见光和红外传感器的注入效率

固体成像传感器包括可见光CCD,IRCCD,CMOS和红外焦平面阵列,其信号由光电二极管经注入栅沟道直接输入到转移级是基本的注入模式.本文总结了近30年来的发展成果,阐述了直接注入效率的理论和基本公式,得出在取样频率低的情况下,增大注入栅的跨导和光电二极管的阻抗是提高注入效率的最有效方法;在光电二极管低阻抗的情况下,采用电流镜像直接注入新设计,其注入栅的跨导可趋于无限大,因而可使注入效率接近100%.分析了电路的新设计方法,研制了64元线列InSb电流镜像直接注入电路.初步测试表明,注入效率与理论分析接近.     

一种低电荷注入误差的开关电流电路

对限制开关电流电路(SI)精度的主要因素以及开关电荷注入误差等问题进行了详细的分析。在此基础上，提出了两种消除开关电荷注入误差的可能结构：在常电压开关(CVS)基础上的dummy开关结构和基于CVS的全差分结构。其主要思想是将与信号大小有关的电荷注入误差变为与信号无关的电荷注入误差。并以此为基础，采用dummy结构或全差分结构，进一步消除该误差。用0．35μm模型参数进行了HSPICE仿真，结果证明，该结构能很好地降低电荷注入误差，提高SI电路的精度。     

感性脉冲电流注入装置的SPICE电路建模

为预测电子设备传导敏感度试验中脉冲电流注入在设备端口产生的干扰强度及波形,建立了感性电流注入装置的SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)电路模型.在将装置电路模块化的基础上,应用传输矩阵计算的方法,从实验数据中提取出各模块的电路参数或方程表达式,并转换为SPICE模型,最后再将各模块组合为完整的装置模型.频域和时域的实验显示,模拟结果和测量结果一致性较好.建立的电路模型可用于设计和优化脉冲电流注入试验.     

一种带有注入增强缓冲层的4H-SiC GTO晶闸管

门极可关断(GTO)晶闸管是应用在脉冲功率领域中的一种重要的功率器件。目前,由于常规SiC GTO晶闸管的阴极注入效率较低,限制了器件性能的提高。提出了一种带有注入增强缓冲层的碳化硅门极可关断(IEB-GTO)晶闸管结构,相比于常规GTO晶闸管结构,该结构有着更高的阴极注入效率,从而减小了器件的导通电阻和功耗。仿真结果表明,当导通电流为1 000 A/cm^2时,IEB-GTO晶闸管的比导通电阻比常规GTO晶闸管下降了约45.5%;在脉冲峰值电流为6 000 A、半周期为1 ms的宽脉冲放电过程中,器件的最大导通压降比常规GTO晶闸管降低了约58.5%。     

一种高线性度宽带射频放大器

采用InGaP HBT工艺,结合达林顿放大器技术,制作了一种高线性度宽带射频放大器。与传统结构相比,该射频放大器具有高线性度、宽带宽的优点。在10 MHz~1 GHz的频率范围内,该放大器的输出1 dB压缩点达到21.8 dBm,输出3阶交调截止点达到40.6 dBm,两者差值为18.8 dBm。而传统射频放大器的输出3阶交调截止点仅比输出1 dB压缩点高出10 dBm。这表明,该放大器非常适合应用于大动态信号处理系统。     

只要是注入电流一定能抽取

针对“商榷”者提出的不同见解进行了讨论,指出利用输出结抽取开路受光结的注入电流为光电信号正是注入光敏器件的创新所在。     

利用新型的空穴注入层材料提高有机发光器件性能

研究使用新材料2-TNATA作空穴注入层制备OLED,发现空穴注入层厚度的最佳参数为35 nm,器件的发光光谱随空穴注入层厚度并不发生显著变化,微腔作用对发光光谱的影响基本可以忽略.并将2-TNATA作为空穴注入层的器件同CuPc制作的器件进行了对比,发现使用2-TNATA能获得更佳的器件性能.     

一种新型具有陷波特性的宽带单极子天线

设计了一款新型的具有陷波特性的超宽带单极子天线。该天线的带宽为3. 1 ~ 12. 0 GHz,通过在矩 形辐射贴片上制作出对称的梯形结构、中心加载倒C 形缝隙、矩形开槽,并将窄矩形接地板切除两个边角,制作矩形 开槽结构,使得天线在3. 3 ~5. 35 GHz 频段产生陷波特性。该天线结构紧凑,尺寸仅为20 mm×25 mm×1. 0 mm。建 立天线模型,并对其进行仿真和优化。研究表明,天线在WiMAX 频段、C 波段、数字微波通信、大容量微波通信和部 分WLAN 等多个频段产生良好的陷波特性,且在工作频段内有良好的性能和辐射方向特性。     

一种低调谐增益变化的宽带电感电容压控振荡器

设计了一个应用于数字电视调谐器的宽带电感电容压控振荡器.该振荡器包含了一个开关可变电容阵列,用以抑制调谐增益的变化.整个电路采用0.18μm CMOS工艺实现.测试结果表明:压控振荡器的频率范围从1.17GHz至2.03GHz(53.8%);调谐增益从69MHz/V变化至93MHz/V,其变化幅度与最大值相比为25.8%;最差相位噪声为-126dBc/Hz@1MHz;在1.5V电源电压下,压控振荡器的功耗约为9mW.