掺铜ZnS纳米材料的制备及光学性质

介绍了在聚乙烯醇衬底中利用离子络合法制备未掺杂和掺铜的 ZnS纳米微粒.TEM图表明ZnS纳米微粒较均匀地分布在PVA衬底上,粒径在1～10nm,且具有类似体材料的立方结构.与未掺杂ZnS相比,掺铜ZnS的紫外-可见吸收光谱没有明显的变化;但PL光谱的发射峰却从450nm移到了480nm左右,这可能是由于ZnS的导带和ZnS禁带中铜的能级T2之间的跃迁造成的.     

掺铜ZnS纳米材料的制备及光学性质

介绍了在聚乙烯醇衬底中利用离子络合法制备未掺杂和掺铜的 ZnS纳米微粒.TEM图表明ZnS纳米微粒较均匀地分布在PVA衬底上,粒径在1～10nm,且具有类似体材料的立方结构.与未掺杂ZnS相比,掺铜ZnS的紫外-可见吸收光谱没有明显的变化;但PL光谱的发射峰却从450nm移到了480nm左右,这可能是由于ZnS的导带和ZnS禁带中铜的能级T2之间的跃迁造成的.     

多孔氧化铝模板制备ZnS:Mn纳米晶及其形成机制

采用二次阳极氧化法制备了多孔氧化铝(AAO)模板.利用此AAO模板,采用电化学沉积的方法制备了ZnS:Mn纳米晶.对AAO模板进行了扫描电子显微镜(SEM)测试.结果显示,AAO模板孔洞分布均匀,孔径基本一致.对ZnS:Mn纳米晶进行了SEM测试和荧光光谱(PL)测试,SEM测试结果表明,在AAO模板上沉积了一层ZnS:Mn纳米晶,PL谱结果显示Mn离子成功地掺杂进ZnS.从电负性角度讨论了ZnS:Mn纳米晶的形成机制.     

ZnS:Eu/ZnS核/壳结构量子点自发辐射性能研究

利用水溶性前驱体材料在水性介质中制备了ZnS:Eu和ZnS:Eu/ZnS核/壳结构量子点,并利用XRD、TEM和PL对ZnS:Eu和ZnS:Eu/ZnS核/壳结构量子点的结构和发光性能进行了研究.ZnS:Eu和ZnS:Eu/ZnS量子点XRD谱显示:ZnS:Eu和ZnS:Eu/ZnS量子点具有β-ZnS结构,且随着Zn...     

ZnS:Er电子结构和光学性质的第一性原理计算

采用第一性原理平面波赝势方法,分析了ZnS及掺杂Er3+之后的电子结构,进而预测了其光学性质。结果表明,掺杂之后体系的带隙变窄,同时价带与导带之间形成一个新的中间带。随着掺杂Er3+浓度的增加,体系的绝缘性呈下降趋势,吸收光谱则发生红移现象。这一结论与前人报道的实验结果相符。     

核/壳结构ZnS:Mn/ZnS量子点光发射增强研究

利用水溶性前驱体材料在水性介质中制备了ZnS:Mn和ZnS:Mn/ZnS核/壳结构量子点(QDs,quantum dots),并用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)对ZnS:Mn和ZnS:Mn/ZnS核/壳结构QDs的结构和发光性能进行研究.ZnS:Mn和ZnS:Mn/ZnS QDs XRD谱与标准谱吻合,根据De...     

ZnS:Ag和ZnS:Cu的薄膜电致发光特性

本文研究了ＺｎＳ：Ａｇ和ＺｎＳ：Ｃｕ的电致发光性质。用磁控溅射镀膜机和电子束镀膜机,分别制备了以ＺｎＳ：Ａｇ和ＺｎＳ：Ｃｕ为发光层的夹层结构薄膜电致发光器件,测量了电致发光光谱,研究了发光强度随电压,频率变化规律。结果表明,利用ＺｎＳ：Ａｇ和ＺｎＳ：Ｃｕ均可获得蓝色电致发光。     

纳米Cu2O花的制备及其光学性质研究

以Cu(CH3COO)2.H2O为原料,CTMAB(十六烷基三甲基溴化铵)和NaOH为添加剂,NaBH4为还原剂,通过液相法在低温(60℃)的条件下分步合成了纳米Cu2O花。采用XRD、SEM、TEM和紫外–可见吸收光谱分析等手段对纳米Cu2O花进行了表征。结果表明,纳米Cu2O花的生长过程符合成核–溶解–再结晶的机制。对照实验发现,NaOH和CTMAB的浓度对最终纳米花的形成起了关键性的作用。     

ZnS纳米颗粒的制备及其特性研究

用水热法制备了球形纳米ZnS粉体,讨论了反应物摩尔配比、生长时间和反应温度对ZnS纳米晶粒的形貌和尺寸的影响.通过XRD,TEM表征了Zns纳米粉体物相结构和表面形貌.用紫外-可见吸收光谱研究了样品.     

新型Ba_2ZnS_3∶Cu荧光粉的合成及其发光性能

采用双坩埚嵌套高温固相法在950℃下成功地合成了Ba2ZnS3∶Cu荧光粉,探讨了工艺条件和Cu掺杂量对样品发光亮度的影响,用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光分光光度计分别对其结构、形貌和发光性能进行了表征。结果表明:样品具有单一的Ba2ZnS3晶相结构;与Ba2ZnS3基质不同,该荧光粉的激发光谱在近紫外区存在一个从275～350nm的宽激发带,归因于Cu发光中心的吸收;该荧光粉在近紫外光激发下发出明亮的黄光,发射中心波长位于560nm处,是一种良好的黄光材料。     

ZnS:Cu,Pb,Mn红外上转换薄膜的制备及其光谱特性研究

介绍了利用化学溶液沉积法将ZnS:Cu,Pb,Mn材料制成红外上转换薄膜的工艺过程.利用金相显微镜和扫描电子显微镜观察了薄膜表面形貌,并测试了薄膜的荧光光谱、荧光激发光谱、红外激励发光光谱、红外激励光谱和红外激励发光衰减曲线.测试结果显示:成膜质量良好;薄膜的激发光谱位于450nm以下的紫外及可见光区域;红外响应光谱范围为700～1500nm;荧光光谱及红外激励发光光谱上均有位于490nm和580nm的峰值;红外激励发光衰减先快后慢,能持续较长时间.     

ZnS/PS体系的结构和发光特性

用电化学阳极氧化法制备了不同孔隙率的多孔硅(PS)样品,然后用脉冲激光沉积(PLD)法在其表面生长ZnS薄膜,研究ZnS/Ps复合体系的结构和发光特性.X射线衍射仪(XRD)结果表明,ZnS薄膜的生长具有高度择优取向,在28.5°附近有一很强的衍射峰,对应于β-ZnS(111)晶向.扫描电子显微镜像(SEM)显示,ZnS薄膜表面很不平整并出现空洞,这是由于衬底PS的表面粗糙所致.ZnS/PS复合体系的光致发光(PL)谱的高斯拟合分峰表明,随着衬底孑L隙率的增大,在样品B和C的发光谱中,在光谱中间520 nm左右都出现了一个新的绿色发光峰,归因于ZnS的缺陷中心发光.位于480 nm附近的ZnS的蓝光和520 nm附近的ZnS的绿光以及位于600 nm处的PS的橙红光叠加在一起,整个znS/PS复合体系呈现出较强的白光.     

ZnS∶Cu粉末交流电致发光器件特性研究

以商用ZnS∶Cu交流电致发光粉作为发光层,以ITO作为电极制作了粉末交流电致发光器件。以交流脉冲方波为驱动电压,详细研究了外加电压的幅值,频率以及脉宽对其发光频谱及亮度的影响。实验结果表明当电压小于200 V,发光亮度随着电压的升高而缓慢增强,当电压大于200 V,随着电压的升高亮度准线性增强。随着驱动频率的增大,发光光谱的中心波长发生蓝移,从100 Hz时的504 nm(绿光)到100 kHz时的450 nm(蓝光),发光亮度随频率增加先快速增强然后逐渐趋于饱和,达到一个极值后开始减小。随着脉宽的增大,发光亮度线性增强。另外文章中对驱动频率影响发光光谱的原因进行了深入分析,这对进一步研究ZnS∶Cu交流电致发光粉的发光机理有着重要的作用。     

ZnS薄膜生长温度对ZnS/PS体系结构和发光的影响

用电化学阳极氧化法制备了一定孔隙率的多孔硅(PS,Porous Silicon)样品,然后以PS为衬底用脉冲激光沉积(PLD)的方法在100℃、200℃和300℃下生长ZnS薄膜.X射线衍射(XRD)结果表明,样品都在28.5°附近有一个较强的衍射峰,对应于β-ZnS(111)晶向,说明薄膜沿该方向择优取向生长,但由于衬底PS粗糙的表面结构,衍射峰的半高全宽(FWHM)较大.随着ZnS薄膜生长温度的升高,薄膜的衍射峰强度逐渐增强.扫描电子显微镜(SEM)像显示,随着薄膜生长温度的升高,构成薄膜的纳米晶粒生长变大.室温下的光致发光(PL)谱表明,随着薄膜生长温度的升高,ZnS的发光强度增强而PS的发光强度减弱,把ZnS的蓝绿光与PS的红光叠加,在可见光区450～700 nm形成了一个较宽的光致发光谱带,呈现较强的白光发射.     

White ACPEL Device with ZnS:Cu,Cl, Tb3Al5O12:Ce3+, and CaS:Eu2+ Phosphors Using a Layered Structure

Improvement of the color rendering index (CRI) and luminance of a white alternate current powder electroluminescent (ACPEL) device has been attempted using ZnS:Cu,Cl, Tb₃Al₅O₁₂:Ce (TAG:Ce), and CaS:Eu phosphors with a layered structure. The device with TAG:Ce and ZnS:Cu,Cl phosphors showed a CRI of 75, with a luminance increase of about 30% depending on the thickness of the TAG:Ce. Further CRI improvement was attempted using CaS:Eu. When they were separately screen‐printed, the CRI was increased up to 89 with no decrease in luminance.     

ZnS:Cu粉末交流电致发光器件特性研究

以商用ZnS：Cu交流电致发光粉作为发光层,以ITO作为电极制作了粉末交流电致发光器件。以交流脉冲方波为驱动电压,详细研究了外加电压的幅值,频率以及脉宽对其发光频谱及亮度的影响。实验结果表明当电压小于200V,发光亮度随着电压的升高而缓慢增强,当电压大于200V,随着电压的升高亮度准线性增强。随着驱动频率的增大,发光光谱的中心波长发生蓝移,从100Hz时的504nm（绿光）到100kHz时的450nm（蓝光）,发光亮度随频率增加先快速增强然后逐渐趋于饱和,达到一个极值后开始减小。随着脉宽的增大,发光亮度线性增强。另外文章中对驱动频率影响发光光谱的原因进行了深入分析,这对进一步研究ZnS：Cu交流电致发光粉的发光机理有着重要的作用。     

ZnS微米晶须的制备和光致发光性质研究

ZnS whiskers were successfully synthesized by the chemical vapor deposition method with the assistance of CuS micro-spheres. The composition, morphology and structure of the samples were characterized by X-ray diffraction, X-ray energy dispersive spectroscopy, scanning electron microscopy, and the temperature-dependent photoluminescence （PL） spectrum over a temperature range from 10 to 250 K was studied. The results show that the as-synthesized ZnS whiskers have an average length of 0.3 mm and diameter of 2.5 μm with a cubic zinc-blende structure. There exist three emission bands in the blue, green and yellow regions, and the emission mechanism is discussed. As the temperature increases, the temperature-dependent PL spectrum shows anomalous behavior, where distinct inverted V-shaped characters of blue and green emission integrated intensity and an inconspicuous S-shape of blue emission peak energy are observed. The transition mechanism is discussed.     

Synthesis of ZnS whiskers and their photoluminescence properties

e distinct inverted V-shaped characters of blue and green emission integrated intensity and an inconspicuous S-shape of blue emission peak energy are observed. The transition mechanism is discussed.