关于U PS‘Delta变换技术''的讨论(续前)

4‘Delta变换技术’UPS输入功率因数校正(PFC)技术 用Delta逆变技术构成的UPS,其电路本身就是一个典型的功率因数校正电路,在Delta逆变器和主逆变器的联合作用下,可同时校正输入功率因数和稳定输出电压。 图9是有关Delta逆变器电流源特性的实测波形。在Delta逆变器的电流源作用下,不仅输     

基于低频噪声测量的UPS故障诊断方法

针对UPS(Uninterruptible Power Supply)的核心逆变器件VDMOS管工作在高功率、大电流下易损坏使得UPS无法正常工作、故障率高的问题,提出了一种低频噪声测量的方法来判断其工作状态。首先建立了功率VDMOS器件的低频噪声模型;然后设计了带补偿网络的超低噪声低频放大器;最后对山特MT1000-PR0型UPS测试,结果表明,该方法能够测量到UPS核心逆变器件VDMOS的低频噪声并准确判断其工作状态,且在准确率上较传统方法提高了85%,为UPS的典型故障提供了一种可行及有效的评估方法。     

用高频静电感应晶体管制作的高频逆变器的性能评述

本文描述了利用新近研制的高频SIT制作的在1MHz下工作的感应加热金属的高频逆变器。众所周知,理论上预期E类开关型逆变器能将开关器件的开关损耗减到最小.所以详细地讨论了三种E类逆变器的工作情况。其次制作出电流反馈式试验性逆变器,它在1MHz下加热金属棒的功率约0.2kW。业已发现逆变器工作安全并在理论上断定这种模式具有足够高的效率。     

硅微波功率静电感应晶体管(SIT)非线性失真特性分析

本文讨论了介质盖栅SIT的基本特性。在SIT小信号S参数和静态特性的基础上,得到了SIT非线性等效电路模型。采用Volterra级数法,分析了包含三种主要非线性源的SIT微波功放的互调失真和增益压缩特性。指出引起SIT互调失真和增益压缩的主要原因是跨导G_m的非线性,其次是栅源电容C_(gs)的非线性变化和漏电导G_d的非线性变化的作用。还指出了SIT非线性失真与输入功率电平和偏置条件的关系。分析结果得到了实验的证实。     

单相UPS逆变控制技术研究

为了进一步提高UPS(Uninterrupted Power Supply)输出的动态和稳态性能，介绍了一种采用电流环做内环的双环控制技术，实现了对负载电流扰动的解耦。同时为了补偿输入电压的不稳定，采用输入电压前馈控制。文中就提到的控制方法分别进行了时域和频域仿真分析，并以DSP(TMS320LF2407)为控制芯片进行了实验验证，结果显示逆变器输出电压在恶劣的负载条件下波形畸变很小。     

基于坐标变换的间隙性功率并网系统解耦控制与设计

针对逆变器电流环的有功电流和无功电流存在耦合的情况,文中采用电流的解耦控制,达到独立控制逆变器的有功功率和无功功率;针对逆变器直流侧电压容易波动,文中采用双环控制,稳定逆变器直流侧的电压。搭建了MA-TALAB/SIMULINK系统仿真实验平台,通过间歇性能源输入逆变器功率变化的实验,验证了该逆变器能独立控制输出的有功功率和无功功率,并且保证了直流侧电压的稳定。     

应用于UPS的3 kW Boost电路研究

提出了基于UC3842的Boost(升压)电路控制策略,运用开关函数法建立了Boost功率电路的高频数学模型,进而给出了状态空间平均模型,基于这一模型,从控制理论的角度分析了Boost电路的能控、能观测性。文中给出了占空比的输入到输出的小信号传递函数,为设计校正补偿网络提供了理论依据。这一电路可应用于中小型UPS(不间断电源)中,给蓄电池升压,为UPS中的逆变器提供输入电压,可以满足掉电时UPS的动态性能。最后给出的仿真和实验结果,证明了文中分析的正确性和UC3842控制的实用性。     

英飞凌推出第五代1200 V thinQ!~(TM)碳化硅肖特基二极管

正2014年6月英飞凌科技股份公司推出第五代1 200 V thinQ!TM碳化硅肖特基二极管。在工作温度范围内提供超低正向电压,其浪涌电流承受能力提高了一倍以上,且散热性能良好。该产品可以在太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、三相SMPS(开关电源)和电机驱动等应用中提高效率,且可     

一种无电解电容隔离型Cuk逆变器及其功率解耦策略

基于隔离型Cuk变换器具有电气隔离、结构简单、输入电流连续等优点,提出一种新型隔离型Cuk逆变器及其功率解耦策略。首先给出Cuk逆变器的拓扑结构及控制策略,详细分析了工作原理,该结构不需要中间母线电解电容,减小了变换器的体积,可提高功率密度与可靠性。针对输入直流侧存在二次电流纹波,进一步提出在逆变器输入端并接一个有源功率解耦单元以消除二倍频脉动电流,详细分析解耦单元工作原理、特性、关键参数设计及控制。搭建500 W的实验仿真电路,仿真结果证明了所提逆变器及其控制策略的可行性。     

有线电视网络UPS系统工程设计(下)

2.5,3 UPS电源系统设计选择方法 2.5.3.1 UPS电源系统结构 (1)系统结构的种类 UPS电源运行的方式有单机UPS、并联UPS与冗余并联UPS等,其中增设旁路供电就可构成各种类型的系统。并联方式是几台单机UPS并联运行的方式,它是增大电源功率的一种方法。冗余并联方式是并联运行中1台UPS工作,另一台作为备用     

基于DSP控制的在线式UPS整流技术

文中提出了一种新的PWM整流控制技术的在线式UPS,提出的原因是在不平衡负载下的全桥三相逆变器分析Bessel函数使用标准空间矢量PWM开关方案,其中涉及直流环节电流和电压波动的逆变器的负载平衡。采用滤波器的电压控制回路,提出以消除二次谐波成分的直流环节电压反馈信号,实现均衡的三相输入电流。通过仿真和实验结果证明了在不平衡负载下整流和逆变的有效性。     

Cable UPS的工作原理及选购注意事项

目前有线电视网络大都采用60 VAC集中供电的方式为光节点和电缆放大器供电。每个光节点配备一台60 VAC供电的UPS电源,下面介绍UPS的工作原理:在有交流电输入时,交流电经隔离继电器电路被送进磁饱和变压器的初级线圈中,磁饱和变压器的次级线圈输出一路输送到逆变器,这是一个双向逆变器,在有交流输入时充当电池充电器。磁饱和变压器输出和交流电容构成谐振电路,能起到很好的尖峰信号与噪音衰减作用,并能限制短路电流,调节输出电压。磁饱和变压器能输出一种“准”方波,类似于一种圆形方波。当市电线路中断时,UPS立即转为备用运行状态,在…     

单相UPS逆变器复合控制策略

本文通过对脉宽调制(pulse width modulation,PWM)单相不间断逆变电源(UPS)输出特性的分析。提出了一种基于重复控制和模糊PI控制相结合的UPS逆变器的综合控制策略。模糊PI控制提高UPS逆变器的动态特性,重复控制改善UPS逆变器的稳态精度。实验结果表明,该策略能获得具有良好的动态和稳态特性的波形。     

静电感应晶体管大电流特性的改善

描述了改善静电感应晶体管(SIT)大电流特性的新方法. 首次定义了从不同角度表征SIT电特性的重要因子,如单位沟道宽度跨导、栅效率、灵敏度因子和本征静电增益. 从理论和工艺实践上研究了这些因子与几何结构之间的关系,揭示了器件电性能对几何结构和工艺参数的依赖关系. 设计建立了SIT频率参数和功率参数测试方法和电路,深入讨论了封装工艺对SIT电性能的影响.     

APC——Silcon系列

该系列UPS采用的Delta逆变器,实际上是交流稳压技术中的“电压补偿”技术。APC Silcon产品用高频逆变技术改造了传统的电压补偿电路,形成一种独特的UPS电路技术。相对一般双逆变结构的UPS而言,Silcon UPS有多项指标得到改进和突破,有些指标是其它UPS不可能达到的,有些指标是其它UPS要增加昂贵的成本才可能实现的。 Silcon UPS的特性表现在:输入功率因数等于1,减少了无功电流对电网的污染,可降低其它供电设备诸     

IR推出StrongIRFET功率MOSFET系列适合要求超低导通电阻的工业应用

全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司(International Rectifier,IR)近日推出具有超低导通电阻(RDS(on))的StrongIRFET功率MOSFET系列,适合各种工业应用,包括电池组、逆变器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、叉车、电     

静电感应晶体管大电流特性的改善

描述了改善静电感应晶体管(SIT)大电流特性的新方法. 首次定义了从不同角度表征SIT电特性的重要因子,如单位沟道宽度跨导、栅效率、灵敏度因子和本征静电增益. 从理论和工艺实践上研究了这些因子与几何结构之间的关系,揭示了器件电性能对几何结构和工艺参数的依赖关系. 设计建立了SIT频率参数和功率参数测试方法和电路,深入讨论了封装工艺对SIT电性能的影响.     

英飞凌推出第五代1200 V thinQ!~(TM)碳化硅肖特基二极管

正英飞凌科技股份公司推出第五代1200 V thinQ!TM碳化硅肖特基二极管,进一步扩展了碳化硅产品阵容。新的1 200 V碳化硅二极管在工作温度范围内提供超低正向电压,其浪涌电流承受能力提高了一倍以上,并且具备卓越的散热性能。得益于这些特性,该产品可以在太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、三相SMPS(开关电源)和电机驱动等应用中大大提高效率,并且可靠运行。     

不间断电源(UPS)可靠性指标论证与分析

本文对如何确定UPS的可靠性指标（ MTBF和MTTR）进行了论证和分析,介绍了UPS在逆变器模式下和逆变器加旁路模式下MTBF的计算方法,说明了在计算UPS时应考虑的问题。     

两款新型1200V IGBT模块

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出两种新型1200V IGBT模块FMG2G50US120和FMG2G75USl20，电流额定值分别为50A和75A，具有优化的导通损耗(VCE(sat))与关断损耗(Eoff），提供非常低的总体功率损耗，适用范围涵盖焊接设备、不间断电源(UPS)，以及工作频率在10kHz-30kHz的普通逆变器。飞兆半导体的新型1200VIGBT功率模块还具有极低的VCE(sat）温度变化偏差。额定值为75A的