ASIC的发展研究

首先介绍了专用集成电路（ＡＳＩＣ）的概况，指出ＡＳＩＣ可适应使用与制造的特殊要求。对ＡＳＩＣ的发展与市场进行了研究，给出了市场增长情况和世界ＡＳＩＣ产品市场及预测以及产品按地区、工艺、应用分布表。对ＡＳＩＣ技术和发展趋势也作了较详细的介绍，亚微米ＣＭＯＳ技术已开始用于ＡＳＩＣ。     

SDH专用集成电路设计中的并行处理方法

ＳＤＨ的发展带动了ＳＤＨ专用集成电路ＡＳＩＣ的发展,ＳＤＨ专用ＡＳＩＣ也促进了ＳＤＨ的发展,由于ＳＤＨ处理的信号速率高,而现有的大规模ＣＭＯＳ集成工艺在速率和功耗等方面给出ＡＳＩＣ的设计提出了一定的限制,从而给ＳＤＨ专用集成电路设计带来了困难。     

用SPICE模拟薄膜SOI／CMOS集成电路

用ＳＰＩＣＥ模拟薄膜ＳＯＩ／ＣＭＯＳ集成电路＝ＴＦＳＯＩ／ＣＭＯＳＩＣｓｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｕｓｉｎｇｓｐｉｃｅ［会，英］／ＸｉＸｕｅｍｅｉ…∥ＴｈｅＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆｔｈｅＴｈｉｒｄＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｎＳｏｌｉ...     

S1240专用MBLIC LSI

本文叙述了Ｓ１２４０数字程近电话交换机专用的一种用户接口电路的结构与功能。采用以双极工艺为基础的ＢｉＣＭＯＳ制造技术，使用相同的结深度，实现了高，低压双极型管与ＣＭＯＳ管的结合，制造出ＭＢＬＩＣ ＬＳＩ，并通过比利时贝尔电话公司质量认证。     

美国大力开发MCM

美国大力开发ＭＣＭＬｅａｄｉｎｇｔｈｅＣｈａｒｇｅｉｎｔｏＭｕｌｔｉｃｈｉｐＭｏｄｕｌｅｓＨｏｗａｒｄＢｉｅｒｍａｎ具有６４Ｍｂｉｔ存储芯片、１４００Ｉ／Ｏ引线的２５０ＭＨｚ微处理器和３０００Ｉ／Ｏ的专用集成电路（ＡＳＩＣ）将成为未来的通用器件。销售...     

新型脉宽调制集成单元

本文提出一种新型脉宽调制单元，它由ＣＭＯＳ逻辑电路构成，文章给出了单元的结构，并阐述了它的功能作用，结合ＳＰＩＣＥ分析，对充电通道的逻辑控制与输出节点电压的上升时间之间的关系，进行了计算机模拟。同时，给出了标准ＣＭＯＳ集成电路制造工艺的技术参数，这种单元可用在智能功率集成电路中，实现脉宽调制技术的数字化结构。     

从CMOS到HCMOS

从ＣＭＯＳ到ＨＣＭＯＳ曾庆贵半导体成电路的发明是２０世纪重大的技术成就之一。半导体集成电路大都采用硅材料制作，因此有人称之为硅集成电路。现在也有少量以砷化锦为衬底材料的隼成电路。集成电路（兀）可以按不同的标准分类。如果根据功都，有数字ＩＣ和模拟ＩＣ之...     

HCMOS模拟开关及多路转换器/信号分离器

ＨＣＭＯＳ模拟开关及多路转换器／信号分离器曾庆贵开关类集成电路在ＣＭＯＳ和ＨＣＭＯＳＩＣ中占有很重要的地位，它和其他工艺的开关相比，ＣＭＯＳ＄拟开关的优点是功耗低，输入电压范围宽、开关于扰ＣＭＯＳ传输门，如图１所示。它的导通电阻Ｒ。。随输入电压Ｖｉ变...     

MCBiCMOS门阵列的母片设计

本文介绍ＭＣＢｉＣＭＯＳ门阵列的母片设计技术。由于采用了先进的ＭＣＢｉＣＭＯＳ工艺和设计技术，ＭＣＢｉＣＭＯＳ更适合地制作高性能，大规模的专用集成电路。在２μｍＣＭＯＳ和３μｍ双极相结合的设计规则基础上，我们设计了ＭＣＢｉＣＭＯＳ２０００门门阵列母片，并利用ＭＣＢｉＣＭＯＳ宏单元库，成功地完成了ＣＧＢ２００３     

“Explorer 100”DOCSIS电缆调制解调器

美国科学亚特兰大公司近期将推出ＤＯＣＳＩＳ电缆调制解调器以适应中国的市场需求。全世界大部分ＤＯＣＳＩＳ电缆调制解调器的设计和所用部件都是十分相似的。其中ＤＯＣＳＩＳ专用集成电路模块 (ＡＳＩＣ)以及其他配件都是由少数专门的工厂生产的。科学亚特兰大公司生产的调制解调器中专用的ＡＳＩＣ是自己开发的。当用于前期的“Ｅｘｐｌｏｒｅｒ６０００”产品中 ,因此在价格上有很大的竞争优势。科学亚特兰大的ＤＯＣＳＩＳ电缆调制解调器上行速率达４３ｋｂｐｓ,下行速率为１０Ｍｂｐｓ ,符合ＤＯＣＳＩＳ标准 ,端口有ＵＳＢ和 /或以…     

节能灯镇流器专用芯片IR51H420

节能灯镇流器专用芯片ＩＲ５１Ｈ４２０＠宋战校节能灯镇流器专用芯片ＩＲ５１Ｈ４２０宋战校ＩＲ５１Ｈ４２０是最新推出的节能灯镇流器专用集成电路，它采用ＣＭＯＳ及ＭＯＳＦＥＴ工艺制造标准的９脚单列直插式封装，其外型及引脚见图１，内部框图见图２。ＩＲ５１Ｈ４２０各...     

高性能BiCMOS制造技术及I/O电路优化

本文报导一套先进的ＢｉＣＭＯＳ集成电路制造技术，建立在ＣＭＯＳ工艺基础上的ＢｉＣＭＯＳ制造工艺，增加了双埋层，２．５微米本征外延层，双阱，基区，多晶硅发射区，深集电区和平坦化双层金属布线等工艺技术。器件性能测试和扫描电镜检查结果表明，双极器件和ＭＯＳ器件性能优良，ＢｉＣＭＯＳ器件的抗锁定性能比ＣＭＯＳ器件提高了一个数量级。     

适用于数字CMOS集成电路的模拟相位测量电路

适用于数字ＣＭＯＳ集成电路的模拟相位测量电路＝ＡｎａｌｏｇｐｈａｓｅｍｅａｓｕｒｉｎｇｃｉｒｃｕｉｔｆｏｒｄｉｇｉｔａｌＣＭＯＳＩＣ＇ｓ［刊．英］／Ｒｏｔｈｅｒｍｅｌ．Ａ．…ＩＥＥＥＪ，ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．－１９９３，２８（７）．...     

自对准硅化物CMOS／SOI技术研究

在ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸＳＯＩ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路速度性能的影响．实验表明，采用ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻，改善单管的输出特性，降低ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振电路门延迟时间，提高ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的速度特性．     

自对准硅化物SOI／CMOS技术研究

在ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路制作中引入了自对准钴硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路速度性能的影响。实验表明，ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和薄层电阻，改善单管的输出特性，降低ＳＯＩ／ＣＭＯＳ环振电路门延迟时间，提高ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路的速度特性。     

在ASIC设计中的功耗分析与优化设计

分析了 ＣＭＯＳ数字专用集成电路功耗的来源,给出了半定制数字专用集成电路功耗的计算方法以及功耗优化设计的方法。     

彩色相机用的图像传感器芯片

苏格兰的ＶＬＳＩ影视公司开发一种先进的图像传感器和配套件ＡＳＩＣ（专用集成电路）。传感器将新结构和微透镜工艺结合，在２００ｌｕｘ时得到４８ｄＢ信噪比。微透镜工艺能在减小像素尺寸的同时提供较高的灵敏度。据说，３５２×２９２像素彩色图像传感器提供的图像质量可与其他同类ＣＭＯＳ产品竞争。传感器芯片（上）及配套的专用集成电路这种传感器直接为其专用集成电路界面设计，以形成低成本、高性能、高集成度的视频彩色相机。可得到两种输出：逐行倒相制时得到５０帧／秒，６２５线图像；ＮＴＳＣ时得到６０帧／秒，５２５线图像…     

模拟CMOS集成电路设计工具综述

介绍了各种模拟ＣＭＯＳ集成电路计算机辅助设计工具。详细分析了设计工具的特点，组成和分类，重点讨论了它对数模混合ＡＳＩＣ设计的作用和重要意义。     

HCMOS集成电路的特性

ＨＣＭＯＳ集成电路的特性曾庆贵本文介绍ＨＣＭＯＳ集成电路的直流特性＄ｉｆ交流特性，并且和ＣＭＯＳ、ＬＳＴＴＬ等电路进行比较。一、功耗ＣＭＯＳ集成随路的最大优点是低功耗。ＨＣＭＯＳ保留了这个特点．它的功耗包括协态功耗和动态功耗。ＨＣＭＯＳ电路的静态功耗...     

提高GHz处理器DC-DC变换器效率

新的ＧＨｚ级处理器要比前几 代需要更大的电流和更低的电压。由于Ｉｎｔｅｒｎｅｔ的急剧增长和对带宽的需求,促使功率器件要不断地满足ＤＣ－ＤＣ变换器具有更高的功率控制效率、功率密度和可靠性的要求。以下将讨论变换器的效率是如何立足于ＩＣ和ＭＯＳＦＥＴ,而得以提高 ３％以上性能的。新一代ＤＣ－ＤＣ空换器对 器件的要求 能提高ＤＣ－ＤＣ变换器效率的关键元器件、功率ＩＣ和ＭＯＳＦＥＴ,可使变换器的性能指标有所改善。这些新产品现在已能为笔记本电脑中的下一代处理器和ＡＳＩＣ（专用集成电路）、服务器和宽带网络等提供电…