光刻胶斜坡对离子注入后图形特征尺寸的影响

分析了光刻图形侧墙斜坡对离子注入后图形特征尺寸的影响.采用工艺实验测定了斜坡处不同光刻胶厚度屏蔽离子注入的效率,并通过工艺监测确定g线光刻的图形侧墙斜坡角度.定量分析了g线光刻典型的斜坡角度下图形侧墙对离子注入后图形特征尺寸的影响.该研究结果可为CCD的设计和工艺制作提供参考.     

光刻胶段差对光刻图形的影响与改善

TFT光刻制程中,光刻胶段差使光胶在同一个光刻平面上,各区域的光刻程度不同,严重影响着光刻图形的质量。文章从光刻胶段差对光刻图形影响的原因进行分析,根据光强在投影光刻机光刻系统中焦点附近与光刻胶内部的变化特点,推导并计算出光刻胶段差区域内光强变化量为零时,光刻系统中光刻平面所应处于的位置,同时结合当前光刻系统焦平面的位置,计算出光刻平面的调整量,并以该调整量对当前光刻平面进行调整。结果表明:对于极限分辨率为2.41μm的投影光刻机,要使厚0.52μm的光刻胶段差内光强变化量为零,光刻平面调整量为9.434 42μm,且对光刻平面调整后10μm后,在DICD(Develop Inspection Critical Dimension)变化量较小的情况下,可显著改善沟道长为2.5μm的GOA(gate drive on array)区域的光刻胶残留。     

厚光刻胶套准量测中套准监测图形的优化

For thick resist implant layers,such as a high voltage P well and a deep N well,systematic and uncorrectable overlay residues brought about by the tapered resist profiles were found.It was found that the tapered profile is closely related to the pattern density.Potential solutions of the manufacturing problem include hardening the film solidness or balancing the exposure density.In this paper,instead of focusing on the process change methodology,we intend to solve the issue of the overlay metrology error from the perspective of the overlay mark design.Based on the comparison of the overlay performances between the proposed overlay mark and the original design,it is shown that the optimized overlay mark target achieves better performance in terms of profiles,dynamic precision,tool induced shift（TIS）,and residues.Furthermore,five types of overlay marks with dummy bars are studied,and a recommendation for the overlay marks is given.     

纳米压印光刻胶

光刻胶是纳米压印的关键材料,其性能将影响压印图形复制精度、图形缺陷率和图形向底材转移时刻蚀选择性。提出了成膜性能、硬度黏度、固化速度、界面性质和抗刻蚀能力等压印光刻胶的性能指标。并根据工艺特点和材料成分对光刻胶分类,介绍了热压印光刻胶、紫外压印光刻胶、步进压印式光刻胶和滚动压印式光刻胶的特点以及碳氧类纯有机材料、有机氟材料、有机硅材料做压印光刻胶的优缺点。列举了热压印、紫外压印、步进压印工艺中具有代表性的光刻胶实例,详细分析了其配方中各组分的比例和作用。介绍了可降解光刻胶的原理。展望了压印光刻胶的发展趋势。     

光刻胶回流技术

本文介绍了集成电路制作过程中,采用光刻胶回流技术,提高抗蚀能力和图形边缘整齐度,以获得硅片上的光刻图形与掩模版图形几何尺寸一致性很好的效果,达到电路参数一致性好和提高电路管芯成品率的目的。同时介绍了光刻胶回流的实验条件,以及如何掌握与控制好光刻胶回流的工艺技术要点。     

光刻胶处理系统

<正>半导体集成电路的大容量和高密度化异常惊人,以存储器为例,1M位的DRAM已经批量生产,而4M位的DRAM也有试制品发表。光刻技术是这些产品图形微细加工的关键之一。生产高密度器件要有高的成品率,就要提高膜和线宽的均匀性及无尘化等,所以要求改进光刻胶处理装置。在此介绍光刻胶处理装置近况并叙述今后发展的有关动向。     

光刻胶去胶难度渐增

无论湿法去胶还是干法去胶,光刻胶去除工艺都需要在低k材料损伤、衬底硅材料损伤与光刻胶和其残余物去除效果之间取得平衡。     

光刻胶发展在中国

北京科华微电子自2004年8月成立以来,已发展近六年时间了,请您谈谈贵公司目前的发展状况.     

光刻胶材料的研究进展

简单介绍了光刻胶的组成部分,综述了近年来国内外光刻胶成膜树脂合成、开发的研究进展,并根据不同曝光波长所需的不同光刻胶(包括紫外(UV)光刻胶、深紫外光刻胶、极紫外光刻胶等)进行了介绍。重点介绍了各光源下分子量和分子量分散指数对光致抗蚀剂的影响,并对国内外研究中通过不同聚合工艺制备的不同分子量光致抗蚀剂性能进行了评述,总结了近年来含有特定化学结构的光致抗蚀剂以及其制备工艺的研究进展。最后对国内外光刻胶的发展和应用进行了展望,指出进一步提高光刻胶的分辨率、改善其综合性能是今后的研究重点。     

光刻胶使用量预测与库存

对光刻胶使用量的错误预测，要么会引起光刻胶的短缺，并可能影响fab的生产；要么会使光刻胶的库存过多，随后因为超过储藏寿命而丢弃昂贵的光刻胶。     

光刻胶中氟的测定

无显影光刻技术是一项半导体器件的新工艺,它简化了工艺流程,在研制和生产大规模集成电路工艺过程中,将显示出其优越性.为了配合探索良好的工艺条件:如光刻胶的用量、曝光时间、通氢氟酸的时间和温度等,对光刻胶中氟的含量进行了系统的测定,以此控制工艺流程.     

全球光刻胶产业现状及布局

随着5G、智能家居、物联网、增强现实（VR）/虚拟现实（AR）等新兴领域应用的发展,对半导体芯片、显示面板、印刷电路板（PCB）等的需求也逐渐提升,对应领域产业链中的上游光刻胶是制造中的关键材料,也是保证产品和技术顺利变革发展的重要支撑。光刻胶主要用于光刻过程中的图形转移,其分辨率、对比度等技术指标直接影响最终产品质量。本文对光刻胶进行了系统性介绍,包括组分、制造流程、评价指标和分类等,同时分析了当下光刻胶市场和竞争格局情况,并对其产业未来的发展趋势进行了预测和判断。     

LCD光刻胶涂布质量浅析

通过对液晶显示器制造过程中的关键工序---光刻胶涂布工艺、原理进行分析,对光刻胶涂布设备参数进行调整等,为生产LCD提高合格率提供参考。     

SU-8光刻胶去胶工艺研究

SU-8光刻胶因具有良好的机械耐久性、聚合物水密性、介电性能、生物兼容性和抗化学腐蚀性而被广泛用于MEMS器件、生物医学和芯片封装等领域。现有制作工艺中,在不损伤器件的同时完全去除和剥离SU-8光刻胶仍是一个难题。文章研究了一种基于O₂/CF₄等离子刻蚀配合湿法刻蚀的去除方法,实现了SU-8光刻胶在硅基底、非晶无机非金属材料、电镀金属等材料上的有效去除。     

光刻胶处理系统的国内外现状

光刻胶处理技术及其在半导体器件和集成电路制造中的应用是过去十年半导体微细加工领域中最引人注目的研究课题之一。本文综述了光刻胶处理系统的基本原理、特点和处理技术,重点介绍了系统的国内外研制现状,最后对系统的发展趋势也进行了探讨。     

光刻胶在LCD生产中的应用

论述光刻胶的主要特性，通过工艺实验及生产实践讨论光刻胶在LCD生产中的关键工艺条件。     

正性光刻胶的噪声抑制

本文从偏振光干涉和正性光刻胶版的电子显微照片的分析中找到了噪声的源泉和提出了解决办法，有较大的实用价值。     

紫外光/臭氧干法去除光刻胶

本文介绍紫外光/臭氧干法去除光刻胶的工作机理及实验装置;列出这种方法去除三种不同型号的国产负性光刻胶的去胶速率及利用俄歇光电子能谱仪分析去胶效果的能谱曲线;最后,对紫外光/臭氧干法去胶方法作了评价.