等离子体化学气相沉积TiN

试验证明，利用非热平衡态的直流等离子体，可使ＴｉＮ的化学气相沉积温度由普通ＣＶＤ的１０００℃左右降到５００℃左右，膜的硬度达２０００ｋｇ／ｍｍ２（维氏）以上。研究了气压、气体配比及放电参数对膜沉积速度、硬度及结构的影响。     

等离子体化学气相沉积TiN涂层的后热处理技术研究

为了提高等离子体化学气相沉积 (PCVD)涂层的质量 ,改善基体材料的机械性能 ,更好地发挥PCVD硬质涂层的使用效果 ,采用了先沉积后热处理的新工艺。结果表明 ,热处理温度对PCVD TiN涂层的化学成分、显微结构和性能有较大的影响。随着处理温度的提高 ,涂层的结晶度得到大幅度的改善 ,涂层内的杂质氯含量降低 ,涂层的 (2 0 0 )晶面距减小 ,但在 90 0℃时 ,PCVD TiN涂层的显微硬度有一个最低值     

等离子体化学气相沉积TiN涂层的后热处理技术研究

为了提高等离子体化学气相沉积（ＰＣＶＤ）涂层的质量,改善基体材料的机械性能,更好地发挥ＰＣＶＤ硬质涂层的使用效果,采用先沉积后热处理的新工艺。结构表明,热处理温度对ＰＣＶＤ－ＴｉＮ涂层的化学成分、显微结构和性能有较大的影响。随着处理温度的提高,涂层的结果度得到大幅度的改善,涂层内的杂质氯含量降低,涂层的（２００）晶面距减小,但在９００℃时,ＰＣＶＤ－ＴｉＮ涂层的显微硬度有一个最低值。     

低温等离子体增强化学气相沉积技术制备碳纳米管

由于等离子体在低温下具有高活性的特点,等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术可显著降低薄膜沉积的温度范围.通常条件下,高质量碳纳米管的生长要求800℃以上的基片温度,若能使该温度降到400℃以下,则对许多应用非常有利,如可以在玻璃基片上沉积碳纳米管场发射电极.目前,碳纳米管基纳电子器件的研制这一课题备受关注,如果能实现低温原位制备碳纳米管,则可能将纳电子器件与传统的微电子加工工艺结合并实现超大容量的超大规模集成电路.本文主要介绍近年来生长碳纳米管所采用的各种等离子体化学气相沉积技术,讨论影响碳纳米管生长特性的几个关键因素.     

定向TiN薄膜的等离子体化学气相沉积

在射频等离子体化学气相沉积条件下,在玻璃、低碳钢、云母、单晶Si(111)等基材上沉积TiN薄膜。试验表明,在这些基材上,在一定条件下,都可得到高度定向的TiN膜,研究了等离子体化学气相沉积中形成高度定向膜的条件及原因。     

等离子体增强化学气相低温沉积碳化硅薄膜及其性质研究

用等离子体增强化学气、相沉积（PECVD）方法,以CH4和SiH4为反应气体,在低电极温度（180℃）条件下制备了碳化硅薄膜．实验结果表明,低电极温度条件下沉积参数（反应气体流量比、反应气体压力、射频功率）的变化对薄膜的沉积和性质影响较大．制得的薄膜均匀性良好,其化学组成Si／C在0．72-4．0之间,具有（5-9）×109dyn／cm2的压应力．红外光谱结果证明,随着薄膜化学成分的变化,薄膜的结构也改变。同氮化硅薄膜相比,制得的碳化硅薄膜具有良好的抗溶液腐蚀性．     

等离子体化学气相沉积TiN膜的刀具试验

在刀具上沉积TiN、TIC或其它复合镀层,可大大提高它们的使用寿命。镀超硬膜的化学气相沉积(CVD法),因其工艺成熟,适于大批量生产,但有两个显著的缺点:(1)沉积时温度高(要在1000℃左右),所以只能用于硬质合金刀具上。在高速钢刀具或模具上则不能使用。(2)在硬质合金上应用,也存在温度高引起基体脱碳,形成脆性层(如η相),     

等离子体增强化学气相沉积氮化钛薄膜

等离子增强化学气相沉积法(PCVD)是在物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)基础上发展起来的一种沉积方法。它兼有 PVD 和 CVD 方法的优点。介绍了 PCVD的原理和所研制的一台 PCVD 设备。分析了用 CVD 法和 PCVD 法制备的硬质膜的性能。所分析的性能有:显微硬度、抗弯强度、粘结牢度、机加工性能。     

磁场辅助等离子体增强化学气相沉积

本文根据螺线管线圈内部磁场的分布规律，以及磁场对等离子体内部电子的作用原理，设计了磁场辅助的等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统，并且研究了在PECVD系统中获得均匀磁场的方法。而后，以SiH4和N2为反应气体，在低气压下沉积了SiN薄膜。测量了SiN薄膜的沉积速率，折射率，表面形貌等参数。验证了磁场分布的均匀性，分析了磁场在等离子体增强化学气相沉积系统中的作用。     

化学气相沉积金刚石涂层硬质合金工具及其应用

化学气相沉积金刚石涂层硬质合金工具综合了金刚石和硬质合金的优异性能。并且性能价格比非常好，是有发展前途的、理想的工具材料之一。它的应用前景广阔，可广泛应用于难加工材料的切削加工、电子工业和生物医学等诸多领域。[编按]     

等离子体增强化学气相沉积设备的研制

本文介绍非晶硅薄膜太阳能电池生产线的核心设备——等离子体增强化学气相沉积(PECVD, Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)系统,并阐述了其重要地位.非晶硅太阳能电池制造的关键技术是非晶硅薄膜的制备,目前最常见的制备方法是PECVD技术.PECVD技术凭借其低温沉积、可大面积成膜、成膜均匀等特点,在非晶硅薄膜制备方面迅速发展.PECVD系统用于制备非晶硅太阳能电池的关键结构P、I、N硅薄膜层.本文阐述了该设备的结构特点、技术指标、工作原理及工艺过程,对沉积室的结构和配置进行了详细设计计算,非晶硅太阳能电池稳定后的转化效率可达6％.     

等离子体增强磁控溅射离子镀TiN涂层的研究

利用等离子体增强磁控溅射离子镀（ＰＥＭＳＩＰ）沉积ＴｉＮ涂层，研究涂层的组织结构和性能。随着氮气分压增加涂层相组成朝着富氮相及其含量增加的方向发展。氮气分压对涂层硬度的影响是由膜层相组成变化引起的，由Ｔｉ２Ｎ和ＴｉＮ两相组成的涂层比ＴＩＮ单相涂层的硬度高。由Ｔｉ２Ｎ和ＴｉＮ组成的刀具涂层使切削力下降。     

等离子体化学气相沉积

一、前言由于日益增长的社会需求,促使材料表面成膜技术(表面涂层)迅速发展。表面成膜在微电子、能源、光纤通讯、超导材料等尖端技术中,都占有重要的地位,在机械、建材等工业以及日用消费品制造业中都有广泛的应用。从材料种类上来看,薄膜材料有金属、半导体和绝缘体,有单晶、多晶和非晶态,有无机和有机材料。薄膜的成膜方法很多。可以按图1分类。根据不同的材料,可以选用相应的成膜工艺。     

物理气相沉积TiN复合涂层研究进展

物理气相沉积（ＰＶＤ）ＴｉＮ涂层已获广泛应用。为克服单一ＴｉＮ涂层的缺陷及进一步改善Ｔｉｎ涂层的性能,近年来致力于复合涂层的研究。本文综述了ＴｉＮ＋Ｔｉ、ＴｉＮ＋化学镀Ｎｉ－Ｐ、ＴｉＮ＋氮化等复合涂层的工艺、组织和性能之间的关系,并探讨了过渡层的作用。     

物理气相沉积TiN复合涂层研究进展

物理气相沉积 (PVD) Ti N涂层已获广泛应用。为克服单一 Ti N涂层的缺陷及进一步改善 Ti N涂层的性能 ,近年来致力于复合涂层的研究。本文综述了 Ti N+ Ti、Ti N+化学镀 Ni-P、Ti N+氮化等复合涂层的工艺、组织和性能之间的关系 ,并探讨了过渡层的作用。     

沉积温度对等离子增强化学气相沉积TiN薄膜内应力的影响

实验表明,高速钢基体上的PECV-TiN薄膜处于压应力状态,其绝对值随沉积温度的升高而降低,反映微观组织状态及其不均匀性的衍射峰半高宽亦呈下降趋势,但晶体的择优取向受沉积温度影响较小。分析认为PECVD-TiN薄膜受离子轰击的影响较大,正常沉积温度下其内应力以本征应力为主,大小与薄膜的显微组织关系密切。较高温度下,热应力占主导地位,其大小主要决定于膜、基的热膨胀系数之差。     

低温化学气相沉积SiC涂层沉积机理及微观结构

由MTS-H2体系在1000～1300℃沉积了SiC涂层,研究了SiC涂层沉积速率和温度之间的关系,MTS-H2体系沉积反应的平均活化能为114kJ/mol,用理论模型证明了低温化学气相沉积SiC为动力学控制过程.SiC涂层表面的显微结构随沉积温度变化而呈现规律的变化:沉积温度T<1150℃时,CVD SiC涂层表面致密、光滑;T≥1150℃时,CVD SiC涂层表面变得疏松、粗糙.随着沉积温度的升高,CVD SiC涂层的结晶由不完整趋向于完整;当沉积温度T≥1150℃,CVD SiC涂层的XRD谱图中除了β-SiC占主体外还出现了少量α-SiC.     

等离子体增强化学气相沉积可控制备石墨烯研究进展

石墨烯具有超薄的结构、优异的光学和电学等性能,在晶体管、太阳能电池、超级电容器和传感器等领域具有极大的应用潜能。为更好地发展实际应用,高质量石墨烯的可控制备研究尤为重要。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术具有低温和原位生长的优势,成为未来石墨烯制备方面较具潜力的发展方向之一。本文综述了PECVD技术制备石墨烯的发展,重点讨论了PECVD过程中等离子体能量、生长温度、生长基底和生长压力对石墨烯形核及生长的作用,概述了PECVD制备石墨烯的形核及聚结机制、刻蚀和边缘生长竞争两种不同机制,并指出PECVD技术制备石墨烯面临的挑战及发展。在未来的研究中,需突破对石墨烯形核及生长的控制,实现低温原位的大尺寸、高质量石墨烯薄膜的可控制备,为PECVD基石墨烯器件在电子等领域的应用奠定基础。