成都草甸土中碳钢、铝、铅的短期腐蚀行为

采用在成都材料土壤腐蚀试验站巾（草甸土）进行碳钢、铝、铅试件短期自然埋藏及定期测量土壤环境因素、土壤微生物方法,研究了碳钢、铝、铅短期埋藏的腐蚀变化规律及腐蚀原因。结果表明：碳钢、铝、铅甲均腐蚀率随时间变化规律基本遵循方程式C=AT^B,成都草甸土中高含水量、低电阻率、可溶性盐及土壤微生物的活动促进了碳钢、铝、铅的腐蚀。     

沈阳菜园型草甸土中线缆及材料埋藏试验研究

将线缆和材料在沈阳站菜园型草甸土中进行土壤环境自然埋藏及定期测量土壤环境因素和土壤微生物,研究其腐蚀变化规律及腐蚀原因。结果表明:金属材料铝腐蚀严重、穿孔;涂漆钢带腐蚀较重;铅土壤腐蚀较轻,线缆外护套性能保持较好。该站土壤为菜园型草甸土,土壤pH值6.9,呈中性,盐含量也较低,但是该站微生物活动强烈,造成金属的腐蚀。     

大港滨海盐土中线缆及材料埋藏试验研究

将线缆和材料在大港滨海盐土中进行土壤环境自然埋藏及定期测量土壤环境因素和土壤微生物,研究其腐蚀变化规律及腐蚀原因.结果表明：金属材料涂漆钢带腐蚀严重;铝腐蚀较重;铅土壤腐蚀较轻;涂塑钢丝及线缆外护套性能保持较好.该站土壤为滨海盐土,高pH值,高含水率,高含盐量及微生物活动强烈,造成金属的腐蚀.     

草甸土中线缆及材料土壤自然埋藏试验

采用在草甸土中进行线缆及材料土壤环境自然埋藏及定期测量土壤环境因素、土壤微生物的方法,研究其腐蚀变化规律及腐蚀原因。结果表明：各种线缆外护套性能保持较好;金属材料土壤腐蚀程度中等偏轻,金属平均腐蚀率随时间变化规律基本遵循方程式C=AT~B;成都草旬土中高含水量、低电阻率、可溶性盐及土壤微生物的活动造成金属的腐蚀。     

线缆金属材料在土壤中腐蚀行为研究

采用自然埋藏的研究方法对线缆金属材料铅、铝、涂漆钢带、涂塑钢丝在我国各种酸、中、碱性土壤中埋藏8年及40年的腐蚀试验结果进行分析，总结了金属材料腐蚀的规律及土壤和土壤微生物对金属作用影响因素。     

线缆金属材料在土壤中腐蚀行为研究

采用自然埋藏的研究方法对线缆金属材料铅、铝、涂漆钢带、涂塑钢丝在我国各种酸、中、碱性土壤中埋藏8年及40年的腐蚀试验结果进行分析,总结了金属材料腐蚀的规律及土壤和土壤微生物对金属作用影响因素。     

铝在中、碱性土壤中的腐蚀行为研究

通过对铝在中、碱性土壤中1～8年自然埋藏试验结果的分析,研究了铝在中、碱性土壤中的腐蚀行为,主要表现为局部斑点腐蚀并伴有穿孔发生。腐蚀原因主要与土壤类型、通气性、Cl^-和SO4^2-含量及微生物有关。     

基于纳米颗粒热效应的飞秒激光高效直写金属铜微结构

在Cu（NO₃）₂前驱体溶液中添加硅纳米颗粒,采用飞秒激光在透明基底表面成功直写了导电金属铜微结构。前驱体溶液中的硅颗粒作为吸光粒子吸收激光能量后对溶液进行加热,使Cu²⁺还原为金属铜并沉积在基底表面。结果表明：当激光光强为5.32×10⁹～8.51×10⁹ W·cm^-2、扫描速度为100～500 mm·s^-1时,微结构主要由铜、Cu₂O及微量硅组成,铜含量及微结构的导电性随着光强的增加或扫描速度的降低而逐渐增加;在光强为5.32×10⁹ W·cm^-2、扫描速度为100 mm·s^-1的条件下,铜微结构的方阻为0.28Ω·sq^-1,电阻率为4.67×10^-6Ω·m。与已有的飞秒激光直写铜微结构的技术相比,这种方法使激光光强降低了2个数量级,直写效率提高了1～3个数量级。     

两种热电分离式MCPCB导热性能的对比研究

利用SMT工艺将两种功率不同的LED分别与设计完全相同的热电分离式铜基板及铝基板组装成模组,然后借助结温测试系统及积分球系统对两种金属基板的散热性能进行了对比研究。结果表明,热电分离式铜基板较之热电分离式铝基板仅具备微弱的散热优势,这种优势随着LED的功率增加有所扩大。当LED功率为9 W时,铜基板及铝基板所对应的LED模组热阻分别是3.16℃/W、3.26℃/W;当LED功率为15 W时,铜基板及铝基板所对应的LED模组热阻分别是2.33℃/W、2.46℃/W。     

单晶圆湿法清洗工艺中铝金属腐蚀问题研究

在集成电路制造中,湿法清洗工艺中铝金属腐蚀是一种致命缺陷,它的出现将引发产品的可靠性问题。通过控制清洗过程中的工艺参数,增加起侧壁保护作用的铝金属氧化层的厚度,从而抑制铝金属腐蚀缺陷的产生。随着清洗溶液温度的降低,晶圆清洗后6 h铝金属腐蚀缺陷数量明显减少;随着H₂SO₄标称质量分数由80%增加到105%,铝金属腐蚀缺陷数量减少;而H₂SO₄标称质量分数继续增加到115%时,铝金属腐蚀缺陷数量却增加。清洗溶液温度和H₂SO₄质量分数实验结果表明,更低的温度以及一定范围内的高H₂SO₄质量分数有利于促进铝金属氧化层的生成,强化侧壁保护,从而达到抑制铝金属腐蚀缺陷发生的目的。     

VLSI电路中互连线的延迟及串扰的数值模拟

用数值计算方法详细地模拟了VLSI电路中金属互连线的延迟及串扰.模拟结果表明:互连线宽W同互连线节距P之比W/P=0.5~0.6是获得最小时间延迟并满足串扰限制的最佳尺寸,模拟还给出了用铜代替铝金属线及用low-k电介质(ε_low-k=0.5ε_SiO2)代替SiO₂后,延迟及串扰的改善程度.     

10%TMAH硅湿法腐蚀技术的研究

研究了浓度为10%的四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液,在不同量的Si粉掺杂下,对铝膜及硅衬底的腐蚀及其pH值的变化。测试了在满足铝膜极低的腐蚀速率(<1nm/min)时,不同温度下该腐蚀液对硅(100)、(111)和(110)晶面及SiO2介质膜的腐蚀速率。还介绍了添加剂—过硫酸铵(APODS)和吡嗪的加入对腐蚀表面形貌及腐蚀速率的影响。研究结果表明,存在着一个临界的硅粉添加量,超过此量后铝膜的腐蚀速率急剧降低。90℃时,在10%TMAH溶液中加入1 5mol/L硅粉、3 0g/LAPODS和2g/L吡嗪可以实现铝膜不被腐蚀,同时硅(100)面约有1μm/min的腐蚀速率,腐蚀表面平整。腐蚀后的铝膜表面同硅铝丝键合良好,实现了腐蚀工艺同CMOS工艺的完全兼容。     

FTIR结合光谱反射曲线对叶绿素铜/蒙脱土中间体性能研究

通过插层技术合成了叶绿素铜/蒙脱土(chl-Cu/MMT)纳米中间体,采用傅立叶变换红外光谱(FTIR)结合光谱反射曲线对叶绿素铜/蒙脱土纳米中间体的近红外隐身性能进行研究。测试了叶绿素铜/蒙脱土纳米中间体的X射线单晶衍射图谱(XRD)和红外光谱,结果显示有机物叶绿素铜已成功进入蒙脱土层间。热重分析图谱(TGA)结果显示当有机物进入蒙脱土层间,热稳定性得到改善。结合光谱反射曲线对中间体的近红外隐身性能进行研究,发现叶绿素铜/蒙脱土纳米中间体与天然绿色植物的光谱反射率相一致,研究揭示叶绿素铜/蒙脱土纳米中间体达到近红外隐身功能,在军事作战中可以模拟背景植物的光反射特性。     

阵列基板铜工艺不良研究

本文结合产品开发过程中遇到的铜相关不良现象进行研究,提出了有效的改善措施.结果表明,在第一次氮化硅刻蚀中的后灰化工序有高含量的氧气,会使过孔内部铜发生氧化而发黑.使用氢等离子体处理,可以将氧化铜还原成铜,在生产线光学设备测量时过孔反射出金属白色.在氧化铟锡刻蚀过程中,高温退火会造成裸露的铜发生严重氧化,需要去掉退火步骤...     

铜/多孔铝纳米有序阵列的近红外偏振特性研究

利用二次阳极氧化法在稀硫酸溶液中制备了不同孔径的多孔铝模板,并用交流电化学沉积的方法在多孔铝中合成了铜纳米线.测量了铜/多孔铝复合膜的透射光谱及偏振光谱.实验结果表明,这种含铜纳米线多孔铝膜微偏振器件在近红外光区有较好的透射率和消光比,且随着铜纳米线直径的增加,样品的透射率下降而其消光比却明显提高.通过分析得出,优化模板参数可制备出高效率的铜/多孔铝微偏振器.这种微偏振器件制备方法简单、效率高、造价低,在光电集成领域有着广泛的应用前景.     

微波元件中铜、铝合金接触面的处理

随着铝合金微波元件在雷达中的大量应用,如何解决铝、铜合金接触面腐蚀问题,是目前急待解决的问题之一。引用铝合金微波元件主要为了减轻重量,但由于某些原因和需要,个别部件还不得不使用铜合金。这样在同一产品中必然存在铜铝微波元件相互接触的问题。本文着重于总结微波工程实践和环境试验,并提出解决这一问题的初浅意见.     

316L不锈钢在硫酸溶液中腐蚀行为的研究

采用浸泡和电化学试验方法对316L不锈钢在不同浓度、温度H₂SO₄溶液中的腐蚀行为进行研究。通过观察不锈钢的表面腐蚀形貌,腐蚀速率与动电位极化曲线,分析其在硫酸溶液中的腐蚀特性。结果表明,316L不锈钢在20℃下5%H₂SO₄溶液中浸泡48d后,其表面会出现腐蚀坑点;而在同一温度下,随着H₂SO₄溶液浓度的提高,自腐蚀电流密度逐渐降低;但在同一浓度下,随着温度的升高,自腐蚀电流密度不断地增大,其耐腐蚀性能降低。     

银掺杂氧化亚铜薄膜的制备及其光电性能

采用水热法以Cu片为基底,Cu(NO_3)_2为铜源,十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为添加剂,通过调节Ag^+浓度,制备不同Ag掺杂Cu_2O(Ag/Cu_2O)薄膜。研究了样品的光电性能及电容-电压特性等,并用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)对其晶体结构、形貌及组成进行了表征。结果表明,当体系中Ag^+浓度为0.03 mmol/L时,Ag/Cu_2O薄膜的光电性能最佳,光电压和光电流密度分别为0.458 5 V和3.011 mA·cm^-2,比Cu_2O薄膜分别提高了0.205 1 V和1.359 mA·cm^-2;Ag/Cu_2O薄膜的载流子浓度达到3.10×10²⁰ cm^-3,比Cu_2O薄膜提高了2.38×10²⁰ cm^-3。XRD,SEM和EDS结果显示,Ag/Cu_2O薄膜的结晶性比Cu_2O薄膜好,但其粒径有所增大,Ag/Cu_2O薄膜中Ag元素的原子数分数为0.13%。     

RTV,LTV硅橡胶对金属长期腐蚀性实验

本文对常用的几种硅橡胶、硅凝胶及其熟化剂、表面处理剂在不同环境,对一些金属及镀层进行了15年长期暴露(存放)试验,以确定对金属的腐蚀程度。其中,单组分硅橡胶的腐蚀性不大;双组分缩合型硅橡胶的催化剂(如二丁基二月桂酸锡等)对铜等金属、镀层有较严重的腐蚀性,熟化剂体系经回流反应处理后,腐蚀性大大降低,不会产生铜绿。加成型的硅凝胶对各种金属及镀层没有腐蚀性。     

基于AlCu焊丝的铝/钢激光-CMT复合熔钎焊工艺及性能分析

采用AlCu焊丝对铝/钢异种金属进行激光-CMT复合熔钎焊试验,系统研究复合焊接工艺参数对焊缝成形的影响规律,分析接头的硬度分布、微观结构及拉伸性能。研究结果表明：提高激光功率、增大送丝速度或降低焊接速度均可以提高铝在钢侧的润湿铺展效果,获得了优化的复合焊接工艺参数：激光功率2 100 W、送丝速度4.0 m/min和焊接速度1.0 m/min。铝/钢界面金属间化合物呈现双层结构,靠近钢侧为板条状,靠近铝侧为针尖状,在最佳复合焊接工艺参数下的金属间化合物层厚度约为2.1μm,相组成为Fe₄Al₁₃、Fe₂Al₅、FeAl₃和Al₂Cu。接头的平均抗拉强度约为164.9 MPa,可以达到铝合金母材的67.3%,断裂方式为穿晶断裂和沿晶断裂的混合断裂模式。