Si作过渡层的Co／Cu／Co三明治膜中高灵敏度巨磁电阻效应？…

用高真空电子束蒸发方向制备了以半导体材料Ｓｉ为过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治膜并研究了其巨磁电阻效应。当Ｓｉ过渡层厚度达到０．９ｎｍ时,三明治膜中开始出现较强的平面内磁各是性。在Ｓｉ １５ｎｍｍ／ｃｏ５ｎｍ／Ｃｕ３ｎｍ／Ｃｏ５ｎｍ结构中,在其易轴上得到了５．５％的巨磁电阻值和０．９％／Ｏｅ的高磁场灵敏度。研究了过渡层Ｓｉ／Ｃｏ界面之间的相互扩散,发现在过渡层Ｓｉ与Ｃｏ层间形成了Ｃｏ－Ｓｉ化合物。这     

电子束蒸发法制备Co／Cu多层膜中巨磁电阻效应的研究

研究了超高真空电子束蒸发法制备的Ｃｏ／Ｃｕ多层膜中过渡层Ｃｒ、磁性金属Ｃｏ怪和非磁性金属Ｃｕ层厚度等对巨磁电阻效应的影响。     

Fe为过渡层的Co/Cu/Co三明治巨磁电阻效应的研究

用超高真空电子束蒸发方法成功制备了以不同厚度Fe为过渡层的Co/Cu/Co三明治巨磁电阻样品,与以Cr为过渡层的Co/Cu/Co三明治巨磁电阻样品比较,样品的矫顽力大大减小,因而样品的磁灵敏度有了较大地提高。当Fe过渡层的厚度为7nm时样品的磁电阻值最大。另外,温度更强烈地影响以Fe为过渡层样品的磁电阻值,在77K下样品的磁电阻曲线表现出明显的不对称性,它来源于低温下fcc Fe过渡层的反铁磁性转变。     

具有覆盖层的Co/Cu/Co三明治的巨磁电阻效应研究

研究了覆盖层为铁磁性的Fe和非铁磁性的Ti、Cu的Co/Cu/Co三明治在室温和低温下的巨磁电阻效应。实验结果表明,室温下有覆盖层时,Co/Cu/Co三明治的巨磁电阻效应值没有明显变化,但以Fe为覆盖层的样品的矫顽力和饱和场明显减小,而Ti、Cu覆盖层对三明治样品的矫顽力和饱和场无太大的影响。温度降低时,覆盖层使Co/Cu/Co三明治的巨磁电阻值显著增加,表明样品的巨磁电阻效应与覆盖层及其与上层Co所形成的界面密切相关。     

Co_xAg_(100-x)颗粒膜的巨磁电阻效应及其物理机制研究

用超高真空电子束蒸发沉积方法制备了ＣｏｘＡｇ１００－ｘ颗粒并研究了其中的巨磁电阻（ＧＭＲ）效应。实验结果表明：１５ｋＯｅ外磁场下，玻璃衬底上制备态Ｃｏ３９Ａｇ６１颗粒膜室温ＧＭＲ效应值高达２０２％，并随氮气中退火温度上升而单调减小；颗粒膜的电阻与其磁化强度直接相关，可用四次多项式偶函数来描述。     

磁电阻效应之巨磁电阻效应研究

体积越来越小,容量越来越大——在如今这个信息时代,存储信息的硬盘自然而然被人们寄予了这样的期待。得益于"巨磁电阻"效应运一重大发现,最近20多年来,我们开始能够在笔记本电脑、音乐播放器等所安装的越来越小的硬盘中存储海量信息。     

NiO／NiFeCo／Cu／NiFeCo自旋阀结构的巨磁电阻效应及影响因素的研究

用电子蒸发的方法制备ＮｉＯ／ＮｉＦｅＣ／Ｃｕ／ＮｉＦｅＣｏ自旋阀多层膜,通过磁场中退火得到好的偏置型自旋阀ＧＭＲ效应。通过对制备态以及磁场退火后样品的ＭＲ曲线的研究,讨论了交换耦合作用,单层磁性能以及层间耦合作用对材料ＧＭＲ效应的大小和磁场灵敏度的影响,得出提高交换耦合作用,改善单层磁性能和尽可能减小层间耦合将有得于得到高性能的偏置型自旋阀ＧＭＲ材料的结论。     

基于NiFeCo/Cu多层膜巨磁电阻效应的磁微球检测

分析了应用于磁性生物检测的GMR传感器的工作原理.直流磁控溅射法制备了Ni65Fe15CO20/Cu多层膜,研究了室温下多层膜的GMR效应对缓冲层(NiFeCo)厚度、间隔层(Cu)厚度及铁磁层(NiFeCo)厚度等参数的依赖关系,得到了GMR值达8.8%的多层膜样品:缓冲层(NiFeCo)5nm,间隔层(Cu)2.4nm,铁磁层(NiFeCo)1.6nm,且饱和场低、磁滞小、灵敏度较高,符合磁性生物检测技术的要求.制备了基于优化参数NiFeCo/Cu多层膜的GMR传感器,对器件的性能进行了测试,结果表明所制备的GMR传感器能够检测磁微球.     

薄膜巨磁电阻效应及其研究进展

叙述了巨磁电阻效应的两种基本结构--颗粒膜和多层膜.分析了两者的异同、制备方法以及近年来的一些研究成果.在实际测量巨磁电阻效应过程中外界因素对其有很大影响,讨论了如磁场强度、温度、磁性颗粒形状、大小、分布情况、界面构型、非磁性层或颗粒与磁性层或颗粒对测量磁电阻效应数值的影响及其机制.     

CoxAg100—x颗粒膜的巨磁电阻效率及其物理机制研究

用超高真空电子束蒸发沉积方法制备了ＣｏｘＡｇ１００－ｘ颗粒并研究了的巨磁电阻（ＧＭＲ）效应。实验结果表明：１５０ｋＯｅ外磁场下，玻璃衬度上制备态Ｃｏ３９－Ａｇ６１颗粒膜室温ＧＭＲ效应值高达２０．２％，并随氮气中退火温度上升而单调减小，颗粒膜的的电阻与其磁化强度直接相关，可用四次多项式偶函数来描述。     

Si作过渡层的Co/Cu/Co三明治膜中高灵敏度巨磁电阻效应和平面内磁各向异性

用高真空电子束蒸发方法制备了以半导体材料Ｓｉ 为过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治膜并研究了其巨磁电阻效应。当Ｓｉ 过渡层厚度达到０．９ｎｍ 时,三明治膜中开始出现较强的平面内磁各向异性。在Ｓｉ１．５ｎｍ／Ｃｏ ５ｎｍ／Ｃｕ ３ｎｍ／Ｃｏ ５ｎｍ结构中,在其易轴上得到了５ ．５％ 的巨磁电阻值和０．９ ％／Ｏｅ 的高磁场灵敏度。研究了过渡层Ｓｉ／Ｃｏ 界面之间的相互扩散,发现在过渡层Ｓｉ 与Ｃｏ 层间形成了ＣｏＳｉ 化合物。这个硅化物界面层诱导了三明治膜的平面内磁各向异性,从而导致了易轴上高灵敏度巨磁电阻效应。     

NiFe／Cu和NiFe／Mo多层膜的界面结构与巨磁电阻

采用磁控溅射方法制备了ＮｉＦｅ／Ｃｕ和ＮｉＦｅ／Ｍｏ多层膜。测量了厚度不同的Ｃｕ层和Ｍｏ层多层膜的磁性和磁电阻,并用电镜分析了部分ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜样品。测量到ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜的室温巨磁电阻随Ｃｉ层厚度振荡的第一、二、三峰。而在ＮｉＦｅ／Ｍｏ多层膜中未发现巨磁电阻效应。讨论了多层膜的界面结构对巨磁电阻效应的影响。     

Co/Cu多层膜层间耦合作用的调节

利用在Fe（5nm）/[Co/Cu]30多层膜的隔离层（Cu）中掺入磁性元素Co，引入与相邻Co层之间反铁磁的RKKY作用相竞争的直接的铁磁耦合作用，降低了相邻Co层间的交换耦合作用。在Cu层中掺入不同原子数比例的磁性元素时，饱和磁场有所降低，从而提高了多层膜对外磁场变化的灵敏度。     

用FTMS方法制备Co／Cu巨磁阻超晶格多层薄膜

本文用双靶相对磁控溅射法（ＦＴＭＳ）在云母单晶基板上原位生长了巨磁阻Ｃｏ／Ｃｕ超晶格薄膜，研究了放电气压及背景真空对薄膜结构和电磁性质的影响。     

Cu Diffusion in Co/Cu/TiN Films for Cu Metallization

Some information on how to use in-situ determined diffusion coefficient of Cu to make barrier layer of Cu metallization in ultra large scale integrations （ULSIs） was provided. Diffusion coefficients of Cu in Co at low temperature were determined to analyze Cu migration to Co surface layer. The diffusion depths were analyzed using X-ray photoelectron spectroscopy （XPS） depth profile to investigate the diffusion effect of Cu in Co at different temperatures. The possible pretreatment temperature and time of barrier layer can be predicted according to the diffusion coefficients of Cu in Co.     

Correlation between magnetic and transport properties of Co/Ir/Co sandwiches and surface roughness

Co_{3 nm}/Ir_x/Co_{3 nm} sandwiches with 0.5, 1 and 1.5-nm thickness of Ir were deposited on glass substrates covered by a Fe_{5 nm}/Co_{0.5 nm}/Cu_{3 nm} layer, using the ion beam sputtering (IBS) technique. The maximum giant magnetoresistance and coupling strength were, respectively, 2% and −0.55 erg/cm². The magnetic and transport properties were investigated and correlated with atomic force microscopy measurements. The surface roughness was analyzed at each stage of the growth by calculating the root mean square (RMS) on surfaces of 1×1 μm². The average roughness was small, approximately 0.3 nm, which is a necessary condition to observe an anti-ferromagnetic exchange coupling in a sandwich stack.