MOVPE生长Znδ掺杂GaAs结构的霍耳测量

使用自动变温霍耳测试系统测定了减压ＭＯＶＰＥ外延生长的锌δ掺杂ＧａＡｓ结构．结果表明,改进δ掺杂工艺在５５０℃下掺杂可获得高达３×１０１３／ｃｍ２的室温二维空穴浓度．在１５～８０Ｋ低温下发现高浓度Ｚｎδ掺杂ＧａＡｓ样品中出现反常霍耳导电行为．     

Cδ掺杂AlxGa1—xAs多层外延与超晶格的MOVPE生长及其霍？…

使用自动变温霍耳测试系统测定了减压ＭＯＶＰＥ外延生长的Ｃδ掺杂ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ多层外延与ｐｉｐｉＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ超晶和。结果表明,以ＴＭＡｌ为掺杂源的Ｃδ掺杂ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ多层外延样品的二维空们浓度可达到１．１＊１０＾１３／ｃｍ＾２,比以ＴＭＧ为掺杂源的样品提高一个数量级,且其掺杂浓度对Ａｌ摩尔分数的依赖程度远使使用ＴＭＧ为低。实验还发现具有１０＾１５／ｃｍ＾２二维空穴浓度的Ｃδ反杂     

长周期掺杂超晶格GaAs／AlxGa1—xAs红外吸收的研究

目的 研究长周期掺杂超晶格ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ红外吸收的特性,尤其在１０．６μｍ处的红外吸收。方法 在有效质量的基础上,计算ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ系列超晶格材料能带及带间光吸收谱。结果 发现当ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ的周期层厚为１８ｎｍ,ＧａＡｓ层厚为３ｎｍ,在１０．６μｍ处有一强的红外吸收峰。结论 这类材料可被作为特定波段的红外吸波材料。     

高迁移率GaAs外延片制备的研究

提出了在ＧａＡｓ液相外延过程中，采用生长高纯度缓冲层、高温烘烤生长系统以及回熔衬底片等工艺，获得具有电参数ｎ＝１０１６～１０１７ｃｍ－３，μ＝４～５×１０３ｃｍ２／ｖ·ｓ（３００Ｋ）的ＧａＡｓ液相外延片．总结出生长高迁移率ＧａＡｓ外延片的制备方法．     

溶胶－凝胶法合成YBa_2Cu_3O_（7－δ）／Ag_x的复合超导体研究

采用溶胶－凝胶法制得了ＹＢａ２ＣｕａＯ７－δ超细粉和Ａｇ２Ｏ细粉，用特定的烧结方法制各得了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ／Ａｇｘ（ｘ＝０～９０％Ｖｏｌ）系列超导块体。研究了含Ａｇ量不同时的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ相材料的烧结特性和渗流行为特征，以及对ＹＢ２Ｃｕ３Ｏ７－δ／Ａｇｘ体系的密度、Ｔｃ、Ｊｃ产生的影响．     

溶胶—凝胶法合成YBa2Cu3O7—δ／Agx的复合超导体研究

采用溶胶－凝胶法制得了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超细粉和Ａｇ２Ｏ细粉，用特定的烧结方法制备得了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ／Ａｇｘ（ｘ＝０￣９０％Ｖｏｌ）系列超导块体。研究了含Ａｇ量不同时的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ相材料的烧结特性和渗流行为特征，以及对ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ／Ａｇｘ体系的密试、Ｔｃ、Ｊｃ产生的影响。     

淡水鱼加工下脚料中VD和EPA及DHA的测定

采用高效液体色谱（ＨＰＬＣ）和气相色谱（ＧＣ）法分别测定淡水鱼（鲢鱼和鳙鱼）加工下脚料中维生素Ｄ（ＶＤ）的含量为３５．７×１０－２～３７．４×１０－２ｍｏｌ／（ｓ·ｋｇ）和３７．４×１０－２～３９．１×１０－２ｍｏｌ·ｓ－１·ｋｇ－１．二十碳五烯酸（ＥＰＡ）和二十二碳六烯酸（ＤＨＡ）的相对含量在鲢鱼中分别为８．２ｇ／Ｌ和６．７ｇ／Ｌ;在鳙鱼中分别为３．６ｇ／Ｌ和５．１ｇ／Ｌ．     

分子束外延 GaAs/AlGaAs 量子阱材料

采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料．采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器．波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下线性光功率大于２０ｍＷ．     

吸附溶出伏安法测定水中痕量铅

在０．０１ｍｏｌ／ＬＨＡｃ－ＮａＡｃ中，铅－乙酸酸缩氨基硫脲（ＧＡＴＳＣ）配合物产生一非常灵敏的吸附还原峰，峰电位是－０．６３Ｖ（Ｖｓ·ＳＣＥ）。峰高与铅浓度在１．０×１０－８￣３．０×１０－７ｍｏｌ／Ｌ范围内成直线关系，检测限是２．０×１０－９ｍｏｌ／Ｌ，该方法用于测量水中痕量铅，结果满意。     

提高供氧能力对土曲霉生产衣康酸的影响

本文研究了供氧能力对土曲霉ＩＦＯ－６３６５分批发酵生产衣康酸能力的影响。当通风比为０．５Ｖ．Ｖ．ｍ．搅拌叶轮末端线速率为１２５．７ｃｍ／ｓ时的最大衣康酸发酵产率分别是叶轮末端线速度为９４．２ｃｍ／ｓ和７８．５ｃｍ／ｓ的１．２８倍和３倍；当添加氧载体－－正二十烷，叶轮末端线速度为７８．５ｃｍ／ｓ时，与对照相比，可提高产酸１４％，但在更高的叶轮末端线速度条件下，加入正二十烷，只能促进菌体的生长，对发酵     

理化因子对嗜盐隐杆藻细胞生长及胞外多糖产量的影响

比较不同ＮａＣｌ、Ｃａ＾２＋、ＰＯ＾３－４等离子浓度对嗜盐隐杆菌细胞生长及胞外多糖产量的影响。在各影响因子不同浓度的培养条件下,０．５ｍｏｌ／Ｌ的ＮａＣｌ、１．０ｇ／Ｌ的Ｃａ（ＮＯ３）２．４Ｈ２Ｏ、０．１ｇ／Ｌ的ＫＨ２ＰＯ４分别是其最佳生长浓度。     

980nm InGaAs应变量子阱激光器和掺铒光纤放大器用泵浦源

利用分子束外延技术研制出了高质量ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱材料及量子阱激光器，在室温和１０Ｋ温度下，应变量子阱材料的光荧光峰值半宽分别为３２ｍｅＶ和２．４ｍｅＶ，宽接触激光器的阈值电流密度低达１４０Ａ／ｃｍ￣２。脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效率分别为１５ｍＡ和０．８Ｗ／Ａ，线性输出功率大于１２０ｍｗ，基横模输出功率可达１００ｍＷ。ＩｎＧａＡｓ应变量子阱激光器和单模光纤进行了耦合，其组合件出纤光功率典型值为４０ｍＷ，最大值可达６０ｍＷ。显示出了高的基横模输出功率和高的耦合效率。其组合件在４０ｍＷ下，中心发射波长在９７７ｎｍ，成功地研制出适于掺铒光纤放大器用的应变量子阱激光器泵浦源。     

高功率GaAlAs／GaAs SQW激光器

利用分子束外延生长装置生长出了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱结构材料,利用该材料制作的激光二极管,室温连续工作,功率为１Ｗ,斜率效率达到１．０４Ｗ／Ａ。     

双异质结半导体激光器（DHL）的研制

采用液相外延（ＬＰＥ）技术成功地研制出室温脉冲激发的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ双异质结激光器。脉冲电压３０Ｖ，频率１０ｋＨｚ，脉冲宽度约１μｓ，脉冲功率的１０ｍＷ，波长８５６．７ｎｍ。较详细地介绍了器件制作的后工艺过程。     

高温大电流应力对TiAl/GaAs和TiPtAu/GaAs Schottky二极管Richardson图的影响

研究了高温和大电流应力对 ＴｉＡｌ／ ＧａＡｓ和 ＴｉＰｔＡｕ／ ＧａＡｓ Ｓｃｈｏｔｔｋｙ二极管 Ⅰ～ Ⅴ特性及对 Ｒｉｃｈａｒｄｓｏｎ图 的影响．研究发现,随着应力时间的增加,在 Ｒｉｃｈａｒｄｓｏｎ图上,对ＴｉＡｌ／ ＧａＡｓ Ｓｃｈｏｔｔｋｙ二极管势垒高度快速降低, Ｒｉｃｈａｒｄｓｏｎ常数和二极管的面积之积 ＳＡ~＊也快速减少,而 ＴｉＰｔＡｕ／ ＧａＡｓ Ｓｃｈｏｔｔｋｙ二极管势垒高度和 ＳＡ~＊先快速增 加,后趋于稳定常数．在Ⅰ～Ⅴ曲线上,ＴｉＡｌ／ＧａＡｓ Ｓｃｈｏｔｔｋｙ二极管反向饱和电流增加,ＴｉｐｔＡｕ／ＧａＡｓ Ｓｃｈｏｔｔｋｙ 二极管反向饱和电流先快速减少,后趋于常数．这是由于在金属／ ＧａＡｓ界面形成了金属间化合物的结果．     

铝-铬偶氮酚 KS 络合物吸附波的研究及应用

在ｐＨ６００的ＨＡｃ－ＮａＡｃ缓冲溶液中,Ａｌ（Ⅲ）－铬偶氮酚ＫＳ在单扫示波极谱仪上可产生灵敏的二阶导数极谱波,Ｅｐ为－０４６Ｖ（υｓＳＣＥ）在７４０×１０－７～１３３×１０－５ｍｏｌ／Ｌ范围内,ｉｐ∝ＣＡｌ（Ⅲ）回归方程为ｉｐ＝３２３＋２１７ＣＡｌ（Ⅲ）,γ＝０９９８４试验表明,该极谱波属络合物吸附波本法已用于人发中铝的测定,结果满意     

秋水仙胚芽组织传感器研制

利用秋水仙（Ｃｏｌｃｈｉｃｕｍａｕｔｕｍｎａｌｅ）胚芽组织研制了对秋水仙碱选择性响应的新型生物传感器．该传感器灵敏度高,有较好的重现性和选择性;其线性范围为０．０２～６．３×１０－５ｍｏｌ·Ｌ－１,检测下限为８．７×１０－６ｍｏｌ·Ｌ－１,斜率为４９ｍＶ（２９８Ｋ,ｐＨ＝１１）．     

镁质中间包绝热板的研制

介绍一种新型隔热耐火材料，该板用ＭｇＯ〉９５％的烧结镁砂和Ａｌ２Ｏ３〉３８％的漂珠的主要原料，以及适量的纤维，结合剂，添加剂研制出体积密度１．４６ｇ／ｃｍ＾３，导热系数０．４６Ｗ／ｍ．Ｋ，抗折强度６ＭＰａ的镁质绝热板。     

镓─铬蓝黑B络合物吸附波的研究及应用

在（ｐＨ３．８０的０．４４ｍｏｌ／ＬＨＡＣ－０．０８ｍｏｌ／ＬＮａＡＣ缓冲浴液中，铬蓝黑Ｂ在－０．３９Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）处有一还原波Ｐ１，当加入Ｇａ（Ⅲ），峰电位移至－０．４０Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ），峰电流显著增加．在０．２－５μｇ／２５ｍｌ范围内，峰电流与Ｇａ（Ⅲ）浓度成正比．检出限为４ｎｇ／ｍｌ．本文对电极反应机理行研究，证明该极谱波属络合物吸附波．方法已用于测定铝箔、矿石中微量镓，结果满意．     

双异质结半导体激光器（DHL）的研制

采用液相外延（ＬＰＥ）技术成功地研制出室温脉冲激发的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａｌ－ｘＡｓ双异质结激光器．脉冲电压３０Ｖ，频率１０ｋＨｚ，脉冲宽度约１μｓ，脉冲功率约１０ｍＷ，波长８５６．７ｎｍ．较详细地介绍了器件制作的后工艺过程．