在710℃下Al_xGa_(1-x)As液相外延短时间生长特性的研究

本文报道了在710℃下Al_xGa_(1-x)As过冷式液相外延的短时间生长特性.在710℃下,降温速率为 0.45℃/分钟时“流动”机制被抑制.短时间生长以“表面反应”机制为主.产生了较大的等效过冷度,它是薄层生长的主要障碍.测得在710℃下As在Ga溶液中的扩散系数为2.3×10~(-3)cm~2/s.并测得界面过渡层厚度为170A.     

在700℃下液相外延生长的GaAs、Al_xGa_(1-x)As中镁的掺杂特性

本文报告在700℃下液相外延生长的GaAs,Al_xGa_(1-x)As的镁掺杂特性.测量了母液中不同镁的原子比与外延生长的CaAs,Al_(0.53)Ga_(0.47)As的空穴浓度的关系,掺镁GaAs的空穴浓度与其迁移率的关系以及在77—300K温度范围内空穴浓度、迁移率与温度的关系.估算了700℃下镁在GaAs中的分配系数.     

OMVPE生长高质量Al_xGa_(1-x)As

人们所关心的是 OMVPE 的源化学制剂替代物。最常用的铝源是三甲基铝(TMAl),三甲基铝的缺点是有很强的Al—C 键,结果造成明显的碳掺入。三乙基铝是一种替代物,它的碳掺入非常低。但三基铝(TEAl),的缺点是蒸汽压低(55℃时为 0.5乇),因而限制了生长速率,但是这二者均易受高含量     

Al_xGa_(1-x)As外延层中的Zn扩散

本文记述了用三元系扩散源在三种掺杂(掺Te、Ge、Sn)AI_xGa_(1-x)As外延层中进行Zn扩散的实验;给出了扩散结深随时间变化的关系曲线;并讨论了三种掺杂外延层中Zn扩散速度不同的原因。     

在一个氯化物输运系统中外延生长Al_xGa_(1-x)As

本文描述在700～800℃温度之间第一次成功地制备含铝浓度高达40％的Al_xGa_(1-x)As薄膜。组份和生长速度与热力学的计算结果作了比较。非有意掺杂的材料是n型,它的光致发光强度可与LPE层的相比。通过掺锌制备P型外延层。     

Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构的生长研究

用分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构。范德堡法、光荧光谱和电化学C—V等方法测量了电学和光学特性。连续波电光检测证明材料有较好的均匀性。用该结构材料制作的HEMT器件在12GHz下,噪声系数0.76dB,相关增益6.5dB。     

液相外延生长的Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质结构的俄歇电子能谱

采用俄歇电子能谱仪(AES)对液相外延生长的GaAs-AlxGa_(1-x)As异质结构进行了研究.结果表明,在异质结界面处,有一过渡层,其组分由异质结的一边向另一边单调地变化,该层的厚度依赖于溶液的饱和度.还对样品表面的沾污情况进行了观测.     

液相外延生长的GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结构的俄歇电子谱研究

我们采用俄歇电子能谱仪对液相外延生长的GaAs—Al_xGa_(1-x)As异质结构进行了研究。结果表明:在异质结界面处有一过渡层,其组分由异质结的一边向另一边单调地变化,过渡层的厚度依赖于溶液的饱和度。还对外延片表面的沾污情况进行了观测分析。     

GaAs/Al_xGa_(1-x)As调制掺杂材料的高温退火特性

本文对调制掺杂GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结材料进行无包封过砷压下高温退火。与未经退火材料相比较,高温退火会引起调制掺杂材料的电学性质明显退化.基于Hall和I-V特性测量结果,对造成二维电子气(2-DEG)迁移率下降的原因进行了分析和讨论.     

Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构的MBE优化工艺生长

通过对MBE工艺中影响GaAs和AlGaAs材料质量的生长关键工艺实验研究,优化了MBE生长AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构工艺。用GEN-ⅡMBE设备生长AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构材料,得到了高质量的AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构材料。用范德堡法研究材料特性,得到材料参数的典型值:二维电子气浓度在室温时为5.6×1011cm-2,电子迁移率为6000cm2/V·s;在77K低温时浓度达3.5×1011cm-2,电子迁移率为1.43×105cm2/V·s。用C-V法测量其浓度分布表明,分布曲线较陡。典型的器件应用结果为:单管室温直流跨导达280mS/mm,在12GHz时均有8dB以上的增益。     

高台型GaAs—Al_xGa_(1-x)As双异质结激光器的液相外延

一.引言对于 AlGaAs 双异质结激光器,用液相外延的方法,可以生长出性能十分良好的多层外延片。用此方法,我们在 GaAs 单晶衬底上制备了包括四层结构(n 型 Al_xGa_*(1-x)As,P 型 Al_YGa_(1-Y)As 和 P 型 GaAs)的双异质结构注入型激光器。去年我们制作出能连续工作的激光器,其寿命很短,只几分钟,且性能不稳定。经分析认为,是外延片质量不     

用MBE法生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结的半绝缘Al_xGa_(1-x)As缓冲层

用分子束外延法生长了以半绝缘Al_xGa_(1-x)As为缓冲层的GaAs外延层,这种缓冲层具有很高的击穿电压。研究了击穿电压与生长条件和Al_xGa_(1-x)As缓冲层组份之间的关系。当Ⅴ族与Ⅲ族元素束流强度比增加时,以Al_(0.4)Ga_(0.6)As层作缓冲层的击穿电压比以GaAs层作缓冲层的击穿电压要高得多,而且在Al_(0.4)Ga_(0.6)As上生长的GaAs有源层具有很高的质量。     

分子束外延Al_xGa_(1-x)As中的持续光电导中心

在掺硅分子束外延Al_xGa_(1-x)As中观察到一个持续光电导中心.当组份x=0.25时,热激活能为E_o=0.06eV.为了说明持续光电导主要来自该中心的贡献,必须确证样品不均匀性的贡献是次要的.提出了把迁移率温度关系作为判别标准.     

分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格及结构、光学特性研究

报道了分子束外延生长80个周期的Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格,X射线衍射和透射电镜的结果表明超晶格样品有良好的结构特性,光反射光谱观察到阱内的电子跃迁过程,其结果与理论计算相符。     

碳掺杂In_xGa_(1-x)As的MOMBE生长与特性

本文研究了以TMG、固体In和固体As作为分子束源的碳掺杂In_xGa_(1-x)As(x=0-0.98)的MOMBE生长与特性,发现衬底温度和In分子束强度对样品的生长速率、In组分含量x及载流子浓度具有强烈影响。在x=0-0.8的范围内空穴浓度随x的增大而减小,当x>0.8时导电类型转变为n型。探讨了MOMBE法生长In_xGa_(1-x)As的掺碳机理及其对载流子浓度和导电类型的影响,并用X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)等方法分析了外延层质量。     

液相外延生长的GaAs-Al_xGa_(1-x)As异质结的均匀性

通过改进外延工艺,大大提高了外延层的层厚和组分的均匀性。采用象衬显微镜,扫描电镜,光萤光等对表面形貌、层厚、组分等进行了分析,并对制成的条形激光器的电学和光学特性进行了测量。本文给出了这些研究结果。     

Ga_xIn_(1-x)P-GaAs的液相外延生长

<正> 异质结半导体激光器问世以来已取得了很大的进展,目前已做到室温连续工作寿命十万小时以上.但是异质结激光器的工作大部份集中在Al_xGa_(1-x)As-GaAs和Ga(1-x)In_xPyAs(1-y)-InP两种材料上.它们的发光波长在近红外区,分别为～0.89μm和 1.1-1.6μm.配合光纤的最低损耗区,利于在光纤通讯中使用.可见光波段的半导体激光器有自己独特的应用前景,仅光盘一项的使用量就很大.目前虽然有很多人用Al_xGa_(1-x)As(0.2     

MBE生长的Al_xGa_(1-x)As合金的光学分析(英文)

Presented here are a combined Rayleigh, Raman and photolumines-cence studies of AlxGa1-xAs alloy grown by molecular-beam-epitaxy. The Rayleigh intensity is found to be sensitive to the degree of disorder in the alloy. The appearance of "forbidden" TO mode in Raman spectra is likely due to twinning effects inducing internal microscopic misorientation. All LO phonons, around X and L points, contribute to the phonon-assisted exciton recombination process examined in photoluminescence spectra. Also shown in the paper is the discrepancy between the results of existing methods to determine alloy concentration from Raman and photoluminescence data.     

液相外延生长大面积Hg_(1-x)Cd_xTe外延层

引言本征半导体Hg_(1-x)Cd_xTe变成更为重要的红外光伏探测器材料是因为最近在液相外延(LPE)法生长晶体方面取得了进展。用液相外延法得到的组分均匀性比块体材料好,并且不需要长时间退火来达到均匀性。此外,用LPE法可制备具有不同组分和掺杂浓度的多层HgCdTe结构。用LPE法在CdTe衬底上生长HgCdTe对制备背照式探测器是理想的。在制备每个具有成百或上千个元的HgCdTe焦平面探测器阵列时,就必须要能够生长大面积均匀组分器件质量的HgCdTe。许多单位报导了在垂直和水平炉结构中用LPE法生长了HgCdTe。大多数工作集中于自富碲熔体中进行水平生长,但最近已进展     

Al_xGa_(1-x)As/GaAsCSP可见光单模激光器

近0.78μm可见光单模激光器在光盘技术,包括视频盘、PCM声频盘和光盘存贮器、激光束高速打印、销售点(POS)终端等信息终端装置中有着广泛的应用前景。特别是打印机和小型光盘应用量大而广。另外,用近可见光单模LDs及其列阵作光源泵浦Nd:YAG激光器和1.06μm单模光纤放大器又是新近国内外十分热门的课题。因此,研制和生产可见光半导体单模激光器,有较大经济效益和发展前景。 本文报道用800℃下液相外延技术研制成稳定基横模、单纵模工作的Al_xGa_(1-x)As/GaAsCSP可见光(λ～779.0nm)单模LDs及其主要性能。