低能Ar^＋轰击对GaAs,AlxGa1—xAs表面成分的影响

低能离子溅射半导体表面会引起表面结构和成分的变化,导致器件电学性能变差。本文用俄歇电子谱研究了轰击离子能量和束流密度对GaAs、Al_xGa_(1-x)As表面成分的影响。实验分析表明,离子轰击导致GaAs表面As元素严重贫乏和Al_xGa_(1-x)As表面Al元素强烈偏析和Ga元素的轻微减小。我他对离子轰击后GaAs Al_xGa_(1-x)As的表面成分分析结果与文献值不同。实验结果同时说明,GaAs与Al_xGa_(1-x)As中离子溅射行为有较大的差别,我们对此进行了初步讨论,并将实验结果与理论模型进行了比较,发现实验与理论之间不能很好一致。     

在700℃下液相外延生长的GaAs、Al_xGa_(1-x)As中镁的掺杂特性

本文报告在700℃下液相外延生长的GaAs,Al_xGa_(1-x)As的镁掺杂特性.测量了母液中不同镁的原子比与外延生长的CaAs,Al_(0.53)Ga_(0.47)As的空穴浓度的关系,掺镁GaAs的空穴浓度与其迁移率的关系以及在77—300K温度范围内空穴浓度、迁移率与温度的关系.估算了700℃下镁在GaAs中的分配系数.     

用MBE法生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结的半绝缘Al_xGa_(1-x)As缓冲层

用分子束外延法生长了以半绝缘Al_xGa_(1-x)As为缓冲层的GaAs外延层,这种缓冲层具有很高的击穿电压。研究了击穿电压与生长条件和Al_xGa_(1-x)As缓冲层组份之间的关系。当Ⅴ族与Ⅲ族元素束流强度比增加时,以Al_(0.4)Ga_(0.6)As层作缓冲层的击穿电压比以GaAs层作缓冲层的击穿电压要高得多,而且在Al_(0.4)Ga_(0.6)As上生长的GaAs有源层具有很高的质量。     

GaAs MBE生长过程中的RHEED强度振荡

本文报道了用RHEED强度振荡方法来测定GaAs,Al_xGa_(1-x)As生长速度及Al组分,并初步讨论了产生RHEED强度振荡的机制及其与生长条件的关系。     

Investigation on resonant tunneling in GaAs/AlxGa1-xAs DBD using tunneling spectroscopy

 Experimental investigation on resonant tunneling in various GaAs/Al_xGa_(1-x)As double barrier single well structures has been performed by using tunneling spectroscopy at different temperatures.The results show that in addition to resonant tunneling via GaAs well state confined by Al_xGa_(1-x)As Γ-point barrier there exists resonant tunneling via GaAs well state confined by Al_xGa_(1-x)As X-point barrier for both indirect(x>0.4)and direct(x<0.4)cases.     

用异质PN结光电势效应测量外延层组份

本文报告,用n型Al_xGa_(1-x)As与P型Al_yGa_(1-y)As异质PN结的光生电势效应来测量其组份(x,y)的一种方法。     

INVESTIGATION ON RESONANT TUNNELING IN GaAs/Al_xGa_(1-x)As DBD USING TUNNELING SPECTROSCOPY

Experimental investigation on resonant tunneling in various GaAs/Al_xGa_(1-x)Asdouble barrier single well structures has been performed by using tunneling spectroscopy atdifferent temperatures.The results show that in addition to resonant tunneling via GaAs wellstate confined by Al_xGa_(1-x)As Γ-point barrier there exists resonant tunneling via GaAs well stateconfined by Al_xGa_(1-x)As X-point barrier for both indirect(x>0.4)and direct(x<0.4)cases.     

在710℃下Al_xGa_(1-x)As液相外延短时间生长特性的研究

本文报道了在710℃下Al_xGa_(1-x)As过冷式液相外延的短时间生长特性.在710℃下,降温速率为 0.45℃/分钟时“流动”机制被抑制.短时间生长以“表面反应”机制为主.产生了较大的等效过冷度,它是薄层生长的主要障碍.测得在710℃下As在Ga溶液中的扩散系数为2.3×10~(-3)cm~2/s.并测得界面过渡层厚度为170A.     

分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格及结构、光学特性研究

报道了分子束外延生长80个周期的Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格,X射线衍射和透射电镜的结果表明超晶格样品有良好的结构特性,光反射光谱观察到阱内的电子跃迁过程,其结果与理论计算相符。     

富士通用电子束描画和干法工艺制成高频高电子迁移率晶体管

<正> 日本富士通研究所采用电子束直接描画和选择干法腐蚀工艺制成了具有良好特性的高频高电子迁移率晶体管,这是在九月份举行的1982年秋季第43届应用物理学会学术讲演会上发表的。器件制作过程如下:在掺Cr的半绝缘衬底上,用MBE法连续外延生长非掺杂GaAs层、掺硅的n型Al_xGa_(1-x)As层(x=0.3)、n型Al_xGa_(1-x)As层(x=0～0.3)和n型GaAs层,衬底温度皆为680℃。然后,为了进行器件隔离,用离子束腐蚀台面(Ar500V,～0.3μm),接着再形成AuGe/Au的源一漏电极的剥离层和金属层,再用选择干法腐蚀法腐蚀成凹槽栅,     

0.3K下的GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结中的分数量子霍耳效应

本文从实验上比较了低浓度 GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结样品在4.2K、1.3K和0.34K 温度下的整数量子霍耳效应,报道了填充因子v=2/3的分数量子霍耳效应的实验观察结果.讨论了低浓度GaAs/Al_xGa_(1-x)As样品中宏观不均匀性对实验结果的影响.     

Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构的生长研究

用分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构。范德堡法、光荧光谱和电化学C—V等方法测量了电学和光学特性。连续波电光检测证明材料有较好的均匀性。用该结构材料制作的HEMT器件在12GHz下,噪声系数0.76dB,相关增益6.5dB。     

一种新型的超高速器件——高电子迁移率晶体管

详细评述了由分子束外延(MBE)技术制备的选择掺杂(SD)GaAs/N—Al_xGa_(1-x)As(x=0.3)单异质结的高电子迁移率效应,系统介绍了由此异质结制作的高电子迁移率晶体管(HEMT)的基本结构、主要特性及其在超高速领域中的应用,同其它超高速器件作了简单比较.     

碳掺杂In_xGa_(1-x)As的MOMBE生长与特性

本文研究了以TMG、固体In和固体As作为分子束源的碳掺杂In_xGa_(1-x)As(x=0-0.98)的MOMBE生长与特性,发现衬底温度和In分子束强度对样品的生长速率、In组分含量x及载流子浓度具有强烈影响。在x=0-0.8的范围内空穴浓度随x的增大而减小,当x>0.8时导电类型转变为n型。探讨了MOMBE法生长In_xGa_(1-x)As的掺碳机理及其对载流子浓度和导电类型的影响,并用X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)等方法分析了外延层质量。     

高Al值Ga_(1-x)Al_xAs的生长及实验研究

本文旨在研究高Al值Ga_(1-x)Al_xAs的生长。通过实验,基本弄清了生长全Al组份段(0相似文献   

GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格中的纵光学声子模

本文报道GaAs/Al_xGa_(1-x)As短周期超晶格结构中的纵光学声子模的室温Raman散射测量结果。除了限制在GaAs层中的GaAs LO限制模外,我们还首次观测到限制在Al_xGa_(1-x)As混晶层中的类AlAs LO限制模。根据线性链模型,我们把测量到的LO限制模的频率按照q=m/(n+1)(a_0/(2π))展开,给出了Al_xGa_(1-x)As混晶的类AlAs LO声子色散曲线。     

CSP Al_xGa_(1-x)As/GaAs单模激光器

本文报道了CSP Al_xGa_(1-x)As单模激光器的性能及其制造技术.     

材料制备工艺

2002041电流控制 LPE 生长 Al_xGa_(1-x)As 外延层的生长特性[刊]/曾庆科//发光学报.—1999,20(增刊).—39～42(E)喷雾热解法制备功能材料研究进展(见2002052)MBE 生长高功率半导体激光器(见2001957)大面积水听器用0-3型压电复合材料的制备(见2001830)     

Ga_xIn_(1-x)P-GaAs的液相外延生长

<正> 异质结半导体激光器问世以来已取得了很大的进展,目前已做到室温连续工作寿命十万小时以上.但是异质结激光器的工作大部份集中在Al_xGa_(1-x)As-GaAs和Ga(1-x)In_xPyAs(1-y)-InP两种材料上.它们的发光波长在近红外区,分别为～0.89μm和 1.1-1.6μm.配合光纤的最低损耗区,利于在光纤通讯中使用.可见光波段的半导体激光器有自己独特的应用前景,仅光盘一项的使用量就很大.目前虽然有很多人用Al_xGa_(1-x)As(0.2     

AlGaAs/GaAs-MQW激光器光增益谱理论和实验

本文简明地描述了由载流子带内弛豫加宽的半经典的密度矩阵理论.根据该理论计算了AlGaAs/GaAs多量子阱激光器的线性偏振光增益及量子阱宽L_x、Al_xGa_(1-x)As势垒层x值和带内弛豫时间τ_(in)对TE增益的影响.实验测量了多量子阱激光器的偏振光增益谱.理论与实验进行了比较.