铋系超导薄膜

日本名古屋大学早川尚夫教授等的研究小组与日本特殊陶业公司共同研制成临界温度达97K的铋系超导薄膜。 铋系超导体虽在整体上其临界温度(115K)比钇系的(90K)高,但因构成五元系的元素种类多,晶体结构复杂,致使薄膜化时的临界温度下降。早     

铋系超导薄膜

日本特殊陶业综合研究所与名古屋大学工学部的早川尚夫研究室共同研制成功成膜后不需热处理的具有95K临界温度的高温相铋系超导薄膜。 首先在基片上生成一层厚约70A的铋—锶—铜氧化物的半导体相以作为缓冲层,然后在此缓冲层上再形成一层厚约700A的高温相超导薄膜,基片温度为760℃。其结果,可获得临界温度为95K的     

钇系超导薄膜进展

日本四家电子材料公司合办的超导技术实验室开发了一种改进钇系超导薄膜质量的新工艺。此工艺应用94.9MHz 高频波 RF 溅射法制备钇、钡和氧化铜薄层,从而堆垛成钇系超导薄膜。应用 RF 溅射可避免组份与表面形状的不均     

MOCVD法制备钇系超导薄膜

日本沖电气工业公司采用MOCVD(有机金属化学气相沉积)法在计酸锶基片上制成厚约100nm的钇系高温超导薄膜,形成薄膜的基片温度比普通的低150℃。 该法的特点是将氧气的供给源由氧气换为氧化亚氮,这样即使在低温下也易于获取氧气。 利用MOCVD法制得的薄膜,具有在通常基片     

直拉法生长钇系超导单晶

日本超导技术实验室用 CZ 法成功地制备了一只钇系超导单晶,此单晶为5mm 见方的四角形晶体。生长用熔体配料为5%钇、30%钡及65%铜,以钐为籽晶进行提拉生长。生长温度970℃,拉速0.2～0.5mm/h,转速10～20rpm。经25h 生长,制成了5mm 见方、4mm     

临界电流密度最高的铋系超导线

日本住友电气工业公司制成目前世界上最高临界电流密度的铋系超导线。其临界电流密度值在液氮温度77.3K(-195.7℃)下达10600A/cm~2。而此前由日立制作所与日立电线公司共同开发的铋系超     

钇钡铜氧系高Tc超导材料的X射线衍射研究

一年来,国内外物理学家掀起了一股“超导热”。原因很明显,新超导材料把转变温度T_c提高到液氮温区,这正是科学界长期以来所梦寐以求的,有可能导致一场继集成电路后的又一次划时代的工业与技术革命。难怪有人称之谓“瓷谷”(oxide velley),以与众所周知的“硅谷”(silicon velley)相提并论。     

钇与超导陶瓷材料

超导陶瓷材料的突破与稀土元素特别是钇紧密相关,钇钡铜氧超导陶瓷的发现,使超导材料的转变温区从液氦区提高到液氮区,零电阻温度达到90K以上,极大地提高了超导材料的实用范围,在全世界形成了一股超导热。本文对钇资源、超导陶瓷对钇的需求、钇应用的变化以及对策等问题进行简要的评述。     

用有机盐燃烧法制备铋系超导粉

用有机盐燃烧法制备铋系超导粉郭旭，袁冠森，周贻茹，曾荣，王敬（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：超导粉，高温超导体，均匀性随着高温超导技术的研究发展，超导体的性能稳定性有着日益重要的地位。对铅系材料而言，由于相结构的复杂性，要在成百米、上千米...     

Y-Ba-Cu-O系超导材料结构的测定

最近一个时期,国内外在超导研究中取得了突破性的进展,超导材料临界温度的纪录一再被刷新。但是,高临界温度材料的出现,使正统的BCS超导理论面临着严重的挑战。因此,物理学家们在研究材料的同时,立即进行材料结构的研究,以利建立新的超导理论。     

铋系2212单相超导前驱粉批量制备工艺

铋系２２１２单相超导前驱粉批量制备工艺华志强李月南郑明辉（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：Ｂｉ２２１２相超导细粉铋系超导体１引言超导粉的研制是超导研究领域中不可缺少的一个组成部分，是获取高性能超导材料的基础。随着超导线材研究逐步由实...     

喷雾热分解法制备铋系超导初级粉成分研究

利用喷雾热粉解法制备铋系超导初级粉末，对初级粉末成分均匀性、准确性及所获得的前驱粉、短样带材进行了研究。实验表明，采用不同工艺参数的喷雾热粉解法，能够工程化制备成分准确、均匀的超导初级粉末，选择相同的后处理工艺制备成前驱粉末，再经相同的PIT工艺制备短样带材，获得了超过25A的临界电流。     

钇系超导体

日本超导工学研究所使用钇系超导体,在31K、35T的超高磁场下达到了220000A的临界电流密度。 该研究所使用由独自开发的MPMG(控制熔融)法制备的试料制成的钇系超导体,曾预料其在高磁场中具有高的电流密度,经用东京大学物性研究所的三浦登教授等所开发的超高磁场发生装置进行测量,首次实际测量成功,而且,在77K、10T的条件下也显示出24000A的电流密度,刷新了在液氮温度区域内的记录。     

钇系高温超导体

日立化成工业公司研制成在陶瓷基片上进行厚膜印刷的钇系高温超导体,其临界电流密度在液氮温度(77K)下可提高到2100A/cm~2。利用厚膜印刷法的陶瓷系超导体,其临界电流密度超过2000A/cm~2在世界上尚属首次。新研制的钇系高温超导体,即使在实际使用的宽0.5mm、厚0.028mm的情况     

超导材料

介绍了超导材料的发展历史及现状，对目前超导材料的主要研制方法以及高温超导的应用作 分析，并展望了超导材料未来的发展情况。     

超导材料

简要介绍了超导材料的发展历史、现状,对未来的超导材料的发展作了展望,并对目前超导材料的主要研制方法以及高温超导的应用进行了分析。     

Y-Ba-Cu-O系超导材料的一种合成新方法

本文报道了超导材料的一种新合成方法——络合法。利用此法合成了名义组分为YB_(a2)Cu_3O_(7-δ)及单相的YB_(a2)Cu_3O_(7-δ)超导材料,分析了其最佳制备工艺(包括热处理温度、时间等)。并对样品进行了高温(20℃～1200℃)热分析研究,测定了样品中的氧缺陷。热分析研究表明:经络合加热脱水未经高温灼烧及热处理的样品,在冷却过程中,温度在788℃～652℃之间有一个二级相变,它是从有序的四方相——无序的正交相的结构相变。样品中的氧浓度随温度可逆的变化。经过反应及热处理的超导材料在加热过程中也表现出这种行为。这一结论对寻找这类新的高温超导材料的热处理工艺是很重要的。     

用钇基混合稀土氧化物制备高Tc超导材料的研究

本文研究了用钇基混合稀土氧化物制备的材料的超导特性。电阻和直流磁化率与温度关系的测量表明。该体系在86K～92K呈现零电阻。混合稀土中轻稀土元素及非稀土杂质对Tc有较大的影响,但经过简单的化学处理,特别是经过轻、重稀土分段处理后,仍可以利用廉价的钇基混合稀土氧化物代替Y_2O_3制备出相同Tc的超导材料。     

稀土超导材料

简述了稀土超导材料的性能、成形工艺、研究现状和发展前景。介绍了湖南稀土超导材料与研究成果，并对其发展提出了建议。