YbBi：YIG磁光电流传感器性能研究

采用高温助熔剂熔盐生长出了复合掺杂YbBi∶YIG磁光石榴石单晶,并应用于磁光光纤电流传感器研制.此单晶的比法拉弟旋转为-404deg/cm,磁光优值为25.8deg/dB,饱和磁化场为1400Oe,温度系数为4.2×10-4K-1(室温,λ=1.55μm).与纯YIG相比具有较好的磁光性能,有更高的比法拉弟旋转角和磁光优值以及较小的温度依赖性.用此单晶作为法拉弟转子材料,建立了单光路结构的磁光光纤电流传感器的实验原型,测试了它在测量50Hz交变电流时的性能,测试结果表明传感系统具有较高的精度和灵敏度并有较好的线性关系.     

YbBi∶YIG磁光电流传感器性能研究

采用高温助熔剂熔盐生长出了复合掺杂YbBi∶YIG磁光石榴石单晶,并应用于磁光光纤电流传感器研制.此单晶的比法拉弟旋转为-404deg/cm,磁光优值为25.8deg/dB,饱和磁化场为1400Oe,温度系数为4.2×10-4K-1(室温,λ=1.55μm).与纯YIG相比具有较好的磁光性能,有更高的比法拉弟旋转角和磁光优值以及较小的温度依赖性.用此单晶作为法拉弟转子材料,建立了单光路结构的磁光光纤电流传感器的实验原型,测试了它在测量50Hz交变电流时的性能,测试结果表明传感系统具有较高的精度和灵敏度并有较好的线性关系.     

YbBi∶YIG磁光电流传感器性能研究

采用高温助熔剂熔盐生长出了复合掺杂YbBi∶YIG磁光石榴石单晶,并应用于磁光光纤电流传感器研制.此单晶的比法拉弟旋转为-404deg/cm,磁光优值为25.8deg/dB,饱和磁化场为1400Oe,温度系数为4.2×10-4K-1(室温,λ=1.55μm).与纯YIG相比具有较好的磁光性能,有更高的比法拉弟旋转角和磁光优值以及较小的温度依赖性.用此单晶作为法拉弟转子材料,建立了单光路结构的磁光光纤电流传感器的实验原型,测试了它在测量50Hz交变电流时的性能,测试结果表明传感系统具有较高的精度和灵敏度并有较好的线性关系.     

YbBi··YIG磁光电流传感器性能研究

采用高温助熔剂熔盐生长出了复合掺杂 Yb Bi:YIG磁光石榴石单晶 ,并应用于磁光光纤电流传感器研制 .此单晶的比法拉弟旋转为 - 40 4deg/ cm,磁光优值为 2 5 .8deg/ d B,饱和磁化场为 140 0 Oe,温度系数为 4.2× 10 - 4 K- 1(室温 ,λ=1.5 5μm ) .与纯 YIG相比具有较好的磁光性能 ,有更高的比法拉弟旋转角和磁光优值以及较小的温度依赖性 .用此单晶作为法拉弟转子材料 ,建立了单光路结构的磁光光纤电流传感器的实验原型 ,测试了它在测量5 0 Hz交变电流时的性能 ,测试结果表明传感系统具有较高的精度和灵敏度并有较好的线性关系     

面向高功率激光隔离器的磁光材料（特邀）

磁光材料作为激光隔离器中的核心部分，在激光系统尤其是高功率激光器中起到确保激光单向传输、保护种子源及前端系统、稳定激光输出的重要作用。介绍了目前近红外波段高功率隔离器中磁光材料的国内外研究现状，阐述了磁光材料在高功率条件下的关键磁光特性及其对器件性能的影响。对比了常用的TGG单晶、铽玻璃与数种新型高功率磁光材料如TSAG单晶、TAG陶瓷和TGG陶瓷的高功率性能，重点讨论了掺杂离子和制备工艺对TAG陶瓷高功率磁光性能、热光性能的影响以及最近TAG陶瓷研究的新进展，及其重要应用需求，探讨了仍处于起步阶段的3~5 μm“大气窗口”中红外波段磁光材料的发展方向及前景。     

近红外可调式磁光隔离器

研制了近红外可调式磁光隔离器。计算了亚铁磁性材料磁光旋转的色散关系;设计了可调式磁场系统。有效地改善了磁光晶体的温度特性,外界强磁场和时间老化等因素对磁光隔离器性能的影响;降低了晶体加工的精度要求,提高了磁光隔离器的实用价值。在入射光波长1.3μm和室温条件(27～25℃)下进行了器件性能测试,获得了正向插入损耗<1.8dB,反向隔离比>29dB的实验结果。     

超磁致伸缩薄膜性能测试系统研究

针对超磁致伸缩薄膜制备过程中所关心的性能测试问题,提出了利用外加磁场引起薄膜变形,运用微位移传感器测试薄膜变形的新方法,以此为基础,建立了超磁致伸缩薄膜性能测试系统,并通过本系统测试比较了不同条件下制备的Tbo.27 Dy0.73 Fe2 薄膜的磁性能.结果表明,在制备磁致伸缩薄膜材料过程中施加一个平行于薄膜长度方向的磁场,可得到更好的磁致伸缩性能.     

高灵敏度温度稳定BiGd：YIG磁光光纤电流传感器性能及其晶体生？…

法拉第磁光光纤电流传感器因其具有结构简单,安全可靠、高精度和灵敏度等优点而受到国内外的广泛关注。法拉第传感材料的磁光性能对于光纤电流传感器的性能有重要的影响。本文用熔盐法生长了高法拉第旋转角、温度稳定的稀土铁石榴石磁光单晶ＢｉＧｄ：ＹＩＧ,测试分析了其在近红外波段的磁光性能及其温度特性。     

高灵敏度温度稳定BiGd：YIG磁光光纤电流传感器 性能及其晶体生长研究

法拉第磁光光纤电流传感器因其具有结构简单、安全可靠、高精度和灵敏度等优点而受到国内外的广泛关注。法拉第传感材料的磁光性能对于光纤电流传感器的性能有重要的影响。本文用熔盐法生长了高法拉第旋转角、温度稳定的稀土铁石榴石磁光单晶BiGdYIG,测试分析了其在近红外波段的磁光性能及其温度特性。其法拉第旋转角θ     

磁光晶体GdYBiIG的磁致退偏效应

建立了磁光晶体磁致偏振特性测试系统。该系统采用中心波长为1538nm的WGY型半导体激光器，在0～1500mT的大范围可调磁场下，对光隔离器用磁光晶体GdYBiIG样品的退偏效应进行了测试。测试结果表明，达到磁饱和或接近磁饱和时，GdYBiIG晶体的偏振性能最优；达到磁饱和后，随着磁场的增强，出现了磁致退偏效应。分析了磁致退偏效应的产生机理，给出磁致圆二向色性及磁致线双折射是产生退偏的原因。实验测试与理论分析表明，根据磁光晶体GdYBiIG这种退偏效应的规律性，在利用该类晶体制作磁光器件时，外加磁场强度稍大于它的磁饱和强度即可。     

铁电存储器在存储测试系统中的应用

为了实现环境试验的存储测试系统,采用了FRAM存储器M28W640结合SOC片上系统C8051F340的设计,通过分析其性能和接口电路,编写了相应的读写程序。由于这种并行非易失性存储测试技术方式具有高速读写、超低功耗、几乎无限次擦写,读写程序编写简便的优点,非常适合在此类存储测试系统中使用。     

面向大数据的分布式缓存设计

大数据平台的底层存储系统往往无法匹配上层计算应用的读写性能,而一个设计良好的分布式缓存系统将缩小CPU密集型应用和IO密集型应用之间不匹配的性能差距。设计的面向大数据应用的分布式缓存系统,在读写流程、I/O事件驱动并发模型及元数据模型等方面进行了合理设计与优化,并使用fio工具测试了顺序写、随机写、顺序读及随机读场景下的吞吐率与IOPS等性能指标,验证了该分布式缓存系统的高性能优势和应对高并发场景的扩展能力。     

基于PCRAM数据页聚簇的缓冲算法

针对Flash写前需擦除,读写I／0开销不均衡等固有缺陷,研究面向闪存缓冲区管理,对提高基于Flash的固态硬盘（Solid State Disk,SSD）访问性能以及降低系统功耗具有重要理论意义和应用价值。文章提出了一种新型存储架构,并实现了一种适用于SSD的基于相变存储器（Phase Change Memory,PCRAM）数据页聚簇的缓冲算法。文章中详细介绍了基于PCRAM聚簇的缓冲算法关键技术及原理,充分阐述算法相关元数据、存储数据、FTL管理与控制以及详尽分析了缓冲算法的读、写操作控制原理,最后通过F1ashSim仿真平台实现SSD写缓冲。基于仿真结果与传统缓冲算法性能比对,分析得出该缓冲算法可降低SSD随机写次数和SSD数据存储分散性,并提升SSD响应速度,降低系统功耗。     

基于异构忆阻器的1T2M多值存储交叉阵列设计

忆阻器作为一种新型电子元件,具有尺寸小、读写速度快、非易失性和易于与CMOS电路兼容等特性,是实现非易失性存储器最具发展前景的技术之一.但是已有的多值存储交叉阵列存在电路结构复杂、漏电流和存储密度低等问题,影响了多值存储交叉阵列的实用性.该文提出一种基于异构忆阻器的多值存储交叉阵列,其中存储单元由1个MOS管和两个具有...     

An on-chip march pattern generator for testing embedded memorycores

In this correspondence, we propose an effective approach to integrate 40 existing march algorithms into an embedded low hardware overhead test pattern generator to test the various kinds of word-oriented memory cores. Each march algorithm is characterized by several sets of up/down address orders, read/write signals, read/write data, and lengths of read/write operations. These characteristics are stored on chip so that any desired march algorithm can be generated with very little external control. An efficient procedure to reduce the memory storage for these characteristics is presented. We use only two programmable cyclic shift registers to generate the various read/write signals and data within the steps of the algorithms. Therefore, the proposed pattern generator is capable of generating any march algorithm with small area overhead     

A Near-Threshold Soft Error Resilient 7T SRAM Cell with Low Read Time for 20 nm FinFET Technology

Shrinking of technology node in advanced VLSI devices and scaling of supply voltage degrade the performance characteristics and reduce the soft error resilience of modern downscaled digital circuits. In this paper, we propose a reliable near-threshold 7T SRAM cell with single ended read and differential write operations based on a previous proposed 5T cell. Our new cell improves read speed without degrading of write speed compared to the recently reported 7T cell. Furthermore, our proposed cell provides high soft error reliability amongst all the SRAM cells mentioned in this paper. We compared the performance and reliability characteristics of 5T, 6T, 8T and previous 7T cells with our new 7T SRAM cell to show its efficacy. The simulations are performed using HSPICE in 20 nm FinFET technology at V_DD = 0.5 V. The results show that the new 7T cell has high write speed, read and write margins with improved read speed and low leakage power in the hold “0” state compared to 5T cell. In addition, the study of performance parameters under process and environmental variations considering ageing effect in near-threshold region shows the robustness of the proposed 7T SRAM cell against these variations.     

基于掉电数据存储的耐压绝缘测试系统设计

应用非易失性存储芯片24C16与单片机相连接,设计了一种基于掉电数据存储的耐压绝缘测试系统,详细说明了掉电数据存储的耐压绝缘测试系统的设计思路和硬件电路结构,编写了相应的读写程序.这种串行非易失性存储技术具有高速读写、百万次擦写寿命和数据保存时间长的优点,能极大提高系统的适用范围和系统的测试效率.     

新型IP网络存储器性能比较

用实验方法比较NFS、iSCSI(存储设备)、基于iSCSI协议的OSD网络(OSDN)和CAS网络(CASN)的性能,并分析它们的性能瓶颈和优化方向.实验表明,它们的性能是接近的,不同存储操作的性能是不同的:iSCSI的读操作和CASN的写操作性能显著优于其他系统;CASN相对于OSDN的读写操作性能优势随数据传送长度增加而减小.     

CMOS static RAM chip with high-speed optical read and write

We present the first demonstration of a dense VLSI RAM technology with high-speed optical read and optical write capability. The CMOS-based Static-RAM technology is capable of parallel optical access with read/write speeds limited by the native RAM access times. We fabricated a 2/spl times/2 mm optoelectronic-VLSI test chip incorporating 800-b storage and 200 optical I/O based on the hybrid integration of GaAs-AlGaAs MQW modulators on CMOS. Results from the photonic-SRAM test-chip confirm 6.2 ns read and 8-ns write capability.     

超高频射频识别读写器的研究与设计

超高频射频识别系统具有存储容量大、读写速度快、识别距离远和可同时读写多个电子标签等特点,已经在众多领域得到了广泛的应用。为了满足市场需求,对超高频读写器的内部结构进行了研究并提出了一种基于ARM的超高频射频识别系统读写器的设计方案。从硬件和软件两个方面对读写器的设计进行了阐述,给出了读写器的设计结构、工作流程以及相关的软件流程图。实际应用结果表明,该读写器具有读写速度快、读写效率高、识别距离远等优点,可以满足市场需求。