纳米硅薄膜用于非晶硅液晶光阁阻光层研究

本文报告了我们首先提出的采用ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结作为大屏幕投影液晶光阀光敏层，向列型液晶作为液晶光阀调制层的一种新型液晶光阀．Ａ－Ｓｉ：Ｈ光导层和ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ阻光层通过辉光放电等离子体化学气相沉积法连续制得．本文研究了不同沉积条件下ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的结构和光电性质．Ａ－Ｓｉ：Ｈ和随之沉积的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ形成了ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结，本文还讨论了它的光电性质。采用ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结的液晶光阀可改进器件的许多性能．     

用于液晶光阀的CdS-CdSe光电导薄膜

为得到高灵敏度的光传感器,研究了真空蒸发的CdS和CdSe双层光电导薄膜掺杂Cu和Cl对光电性质的影响.研究发现,适当选择Cu和Cl的掺杂比,可以使光电导薄膜的暗电导显著减少而光电导显著增加.这种掺杂光电导薄膜的响应时间约为5～10 ms,而对非掺杂薄膜的响应时间大于100ms.这种光电导薄膜已被成功地应用于大屏幕显示和光信息处理的可见光液晶光阀,并制成了红外液晶光阀,以用于可见光-红外光动态图像转换系统.     

铁电液晶光阀参数的测试

研究了具有点阵金属镜的铁电液晶光阀的特性，并对其特性参数，最大读出效率，有效增益，响应时间等进行了具体测试，给出了实验方法，过程和测试结果。这对测试其它空间调制器同样具有普遍意义和实用价值。     

用液晶光阀(LCLV)实现实时光逻辑运算

本文用液晶光阀实时地实现了图象的16种光逻辑运算。实验结果说明此方法原理正确,操作有效,并可用于其他光实时处理。     

垂直定向液晶光阀电光特性的计算（Ⅰ）

采用４＊４矩阵法模拟计算了垂直定向液晶光阀的电光特性，从理论上分析了影响液晶光阀电光特性的因素，尤其是强锚泊作用下，液晶预倾角对器件电光特性的影响。     

ECR-PECVD制备纳米硅颗粒薄膜

为消除紫外线对硅基薄膜太阳能电池的热损害,并进一步提高电池转换效率,提出在硅基薄膜太阳能电池顶部低温下制备一薄层纳米硅薄膜.在P型(100)硅片上采用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术交替沉积SiO2/Si/SiO2层,改变衬底温度和H2流量沉积纳米硅薄膜,探讨低温下直接制备纳米硅薄膜的...     

垂直定向液晶光阀电光特性的计算（Ⅱ）

根据向列液晶的弹性连续体理论及边界力矩平衡方程,求出垂直定向向列液晶在液晶－界面之间相互作用锚泊能为有限值时的液晶ＬＣ指向矢分布。根据指向矢分布计算了一定外加电场下液晶光阀的光电特性,并和锚泊能为无限大时的特性进行了比较和分析。从液晶光阀整个结构对ＬＣＬＶ光电特性的匹配要求出发,说明优化工艺条件以获得一定的锚泊提高ＬＣＬＶ的性能具有很大作用。     

基于光控取向技术的液晶光阀系统

近年来,光控取向已成为主流的液晶取向技术.液晶光阀可以根据外界的调制信号,如电信号或光信号的变化,使液晶分子获得特定的排列分布,实现对入射光波的强度、偏振、位相和波前等控制,从而达到对光束的多功能调控.基于光控取向原理的光调制,设计出一种TFT-TNLCD写入单元和偶氮染料SD1取向转印读出单元组合的液晶光阀系统,并成功实现了对液晶光阀读出单元的高对比度强度调制.利用液晶分层理论分析并制备了液晶光阀系统中的读写单元,对实验的应用化具有指导意义.     

衬底温度对纳米硅薄膜结构性能的影响

在等离子体化学气相沉积系统中采用高氢稀释硅烷蚀刻法制备了纳米硅薄膜。系统地研究了衬底温度对ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的结构性能的影响。结果表明随着衬底温度从２４０℃升高到３２０℃，薄膜的晶态率从２４％增大为６５％，平均晶粒尺寸从６ｎｍ增大为１０ｎｍ。当衬底温度≤２００℃时，生成薄膜为ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜。文中还对纳米硅薄膜的晶化机制进行了讨论。     

硅橡胶/纳米石墨片复合薄膜的压阻特性研究

采用旋涂工艺,制备了硅橡胶-纳米石墨片复合薄膜.采用SEM,XRD手段,表征了薄膜的组织和相结构,并测量其电性能.结果显示,纳米石墨片与硅橡胶界面结合较好,且分散均匀;薄膜的渗流阈值为Φ=6.5%,电阻为106Ω量级.渗流薄膜的面内电阻呈现正线性压阻效应,由于导电网络发育完整,SR-8%GNPs体系显示了优良的循环压阻性能.     

多孔硅还原铜纳米复合薄膜的微结构研究

利用扫描电镜(SEM)、XRD等分析手段对比研究了铁钝化多孔硅在沉积前与沉积后的结构变化特点以及沉积时间对所沉积的铜薄膜结构的影响.在浸渍一定时间后,铜/铁钝化多孔硅纳米复合薄膜继承了新鲜制备的铁钝化多孔硅的结构特点,同时,随着反应时间的延长,铜的沉积量逐渐增加,铜纳米颗粒的平均晶粒尺寸逐渐长大.     

大氢稀释逐层法制备纳米硅薄膜

如何制备高密度、分布可控、尺寸一致的纳米硅量子点,是各种纳米器件研究中首先需要解决的问题。在等离子体增强化学气相沉积系统（PECVD）中,用大氢稀释逐层淀积技术在氮化硅表面上自组装生长高密度、尺寸均匀的硅量子点结构,这种方法充分利用了氢气等离子体在薄膜淀积中诱导晶化作用和对非晶结构的选择刻蚀作用,能够在低衬底温度的条件...     

Si纳米晶SiO2复合薄膜的光吸收特性研究

为研究Si纳米晶粒的平均尺度与复合薄膜光吸收特性的关系,在研究了电学特性的基础上,研究了该类复合薄膜的光吸收特性。实验结果表明,复合薄膜的光吸收特性与薄膜的热处理温度有很强的对应关系。650℃热处理的样品显示出最大的电导和较强的PL吸收峰（峰位为2．10ev）,此时吸收系数达到最大值。     

前驱体浓度对纳米TiO2薄膜生长及光激发特性的影响

以Ti（SO4）2为原料,无水碳酸钠（Na2CO3）为添加剂,采用水热合成法在钛合金基底上成功制备了锐钛矿相的纳米TiO2薄膜。利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）等测试手段系统的研究了前驱体浓度对纳米TiO2薄膜生长特性、结晶特性和相组成的影响规律;利用光致激发光谱（PL）研究了所制备TiO2薄膜的光激发特性,并通过微观机制对其影响规律进行了理论解释。     

单颗粒层纳米金刚石薄膜的疏水性与黏性研究

采用热丝化学气相沉积法(CVD)制备单颗粒层纳米金刚石薄膜,研究颗粒分布状态对薄膜疏水性与黏性的影响规律.结果表明:对于疏水性而言,当颗粒间距大于1500 nm时,颗粒间距对疏水性起主导作用,颗粒间距越小,疏水性越好;当颗粒间距小于1500 nm时,颗粒尺寸对疏水性起主导作用,颗粒越大,疏水性越好;颗粒几乎连续后,三维...     

Ni纳米粒子掩膜用于提高GaN基LED出光率的研究

以无水乙醇为溶剂、柠檬酸为分散剂,用超声分散技术配制Ni纳米粒子分散液;将分散液用旋涂的方法在GaN基发光二极管(LED)的ITO电流扩展层上制备单层Ni纳米粒子掩膜,采用ICP(inductively coupledplasma)干法刻蚀技术在ITO层上制作出表面粗化的结构。在20 mA工作电流下,与普通GaN基LED相比,这种ITO表面粗化的GaN基LED芯片发光强度提高了30%,并且对器件的电性能影响很小。结果表明,该表面粗化技术是一种工艺简单、成本低和能有效提高LED发光效率的方法。