低成本的倒装芯片封装技术

倒装芯片互连技术有诸多优点，但是由于其成本高，不能够用于大批量生产中，所以使其应用受到限制。而本推荐使用的有机材料的方法能够解决上述的问题。晶圆植球工艺的诞生对于降低元件封装的成本起到了重要作用，此外，采用化学镀Ni的方法实现凸点底部的金属化也是可取的方法。本主要介绍了美国ChipPAC公司近几年来针对倒装芯片互技术的高成本而开发研制出的几种新技术。     

新世纪电子器件封装技术展望

扼要分析了电子器件封装技术迅速发展的成因，预测了电子封装新技术的发展方向，深入阐述了引脚布置方式的突破，BGA技术的发展，BGA和倒装芯片结合的优势，CSP产业化的关键，在晶圆片上进行CSP封装的新工艺，以及倒装芯片和CSP封装的综合比校。     

焊球植球凸块工艺的可靠性研究

焊球植球是一种最具潜力的低成本倒装芯片凸块制作工艺.采用焊球植球工艺制作的晶圆级芯片尺寸封装芯片的凸块与芯片表面连接的可靠性问题是此类封装技术研究的重点.为此,参考JEDEC关于电子封装相关标准,建立了检验由焊球植球工艺生产的晶圆级芯片尺寸封装芯片凸块与芯片连接及凸块本身是否可靠的可靠性测试方法与判断标准.由焊球植球工艺生产的晶圆级芯片尺寸封装芯片,分别采用高温存储、热循环和多次回流进行试验,然后利用扫描电子显微镜检查芯片上凸块剖面的凸块下金属层分布和测试凸块推力大小来验证凸块的可靠性.试验数据表明焊球植球工艺生产的晶圆级芯片尺寸封装芯片具有高的封装连接可靠性.     

用于5G通信的射频微系统与天线一体化三维扇出型集成封装

本文研究了一种用于5G通信的射频微系统与天线一体化三维扇出型集成封装技术.通过在玻璃晶圆上使用双面布线工艺,实现毫米波天线阵列的制作.将TSV转接芯片与射频芯片倒装焊在玻璃晶圆上,再用树脂材料进行注塑,将玻璃晶圆与异构芯片重构成玻璃与树脂永久键合的晶圆.减薄树脂晶圆面漏出TSV转接芯片的铜柱,在树脂表面上完成再布线.把控制、电源管理等芯片倒装焊在再布线形成的焊盘处,植上BGA焊球形成最终封装体.利用毫米波探针台对射频传输线的损耗进行测量,结果表明,1 mm长的CPW传输线射频传输损耗在60 GHz仅为0.6 dB.在玻璃晶圆上设计了一种缝隙耦合天线,天线在59.8 GHz的工作频率最大增益达到6 dB.这为5G通信的射频微系统与天线一体化三维扇出型集成提供了一个切实可行的解决方案.     

FCOS技术被引入智能卡制造

FCOS（Flip Chip on Substrate板上倒装芯片)技术是英飞凌科技公司(Infineon)与捷德(Giesecke&Devrient)公司联合研制开发的一种专用于IC卡应用的创新芯片封装工艺。它融合了最新芯片倒装工艺和革新的材料技术，首次将集成电路“倒装”在IC卡外壳中。芯片的功能面通过传导触点直接连接至模块，不再需要传统的金线和人造树脂等封装材料，新型连接技术不仅节省了模块内的空间，而且比常规接线方式更为牢固。     

FCOS无锡落成投产 英飞凌再扩中国业务版图

英飞凌（Infmeon）公司基于FCOS（Flip Chip on Substrate，板上倒装芯片）工艺的智能卡IC封装生产线近日在无锡工厂正式投产。此项先进的智能卡IC封装工艺，使得智能卡在节省智能卡IC封装内部芯片空间及智能卡封装空间、成本效率、减少周期和提升性能方面都有了很大的提高，能够满足不断创新的智能卡应用的需求。     

一种更薄更简洁的芯片卡封装技术

英飞凌科技公司和捷德公司联合研制出一种专用于芯片卡应用的创新芯片封装工艺。FCOS(Flip Chip on Substrate，板上倒装芯片)技术首次将芯片卡集成电路“倒装”在芯片卡外壳中。芯片的功能面通过传导触点直接连接至模块，不再需要传统的金线和人造树脂等封装材料。新型连接技术不仅节省了模块内的空间，而且比常规接线方式更为牢固。     

倒装焊接在压力敏感芯片封装工艺中的研究

胶粘引丝无法实现硅压力敏感芯片的小型化封装,无引线封装可以解决该问题。倒装焊接具有高密度、无引线和可靠的优点,通过对传统倒装焊接工艺进行适当的更改,倒装焊接可应用于压力敏感芯片的小型化封装。采用静电封接工艺在普通硅压力敏感芯片上制作保护支撑硅基片,在硅压力敏感芯片的焊盘上制作金凸点,调整倒装焊接的工艺顺序和工艺参数,实现了绝压型硅压力敏感芯片的无引线封装,为压力传感器小型化开辟了一条新路。试验结果表明该封装方式可靠性高,寿命长,具有耐恶劣环境的特点。     

芯片制造的电化学处理技术

电化学处理技术的性价比优势在芯片制造上是一个范例转移。Cu芯片金属化的双大马士革处理和面阵列芯片封装互连的C4(倒装)技术使电化学技术置于最复杂的制造工艺技术之间。这些工艺技术被集成到用于芯片制造的300mm晶圆处理中。新材料和工艺的持续发展来满足微处理器件不断增加性能和小型化的趋势。电迁移问题和集成超低k电介质材料与Cu镀层的新抛光方法是芯片制造中的一个关键问题。发展一个适用成本低的无铅C4芯片封装互连是微电子工业的主要目标,微电子工业正作努力在几年里市场化无铅产品。     

倒装芯片封装技术及内部应力检测技术探析

当前,倒装芯片封装技术已经成为相关领域的主流方法,但由于芯片、基板、焊球、下填料等材料具有差异化的热膨胀系数,导致封装过程中极易引入热应力,不利于保持芯片的性能及其可靠性。采用有效方法能够对倒装封装过程中所产生的应力进行检测,对于完善封装参数,提高产品可靠性,具有重要的现实意义。     

芯片—封装协同设计方法优化SoC设计

随着工艺节点和裸片尺寸不断缩小，采用倒装芯片封装IC器件的消费电子产品的数量日益增加。但是，倒装芯片封装制造规则还没有跟上工艺技术发展的步伐。本文介绍了用芯片一封装协同设计方法优化SoC的过程。     

Infineon与日月光推更高集成度半导体封装

英飞凌科技和日月光近日宣布，双方将合作推出更高集成度半导体封装，可容纳几乎无穷尽的连接元件。与传统封装（导线架层压）相比，这种新型封装的尺寸要小30％。英飞凌通过全新嵌入式WLB技术（eWLB）成功地将晶圆级球阵列封装（WLB）工艺的优越性进行了进一步拓展。与WLB一样，所有操作都是在晶圆级别上并行进行，标志着晶圆上所有芯片可以同时进行处理。     

电子器件封装工艺技术新进展

该文扼要分析了电子器件封装技术迅速发展的成因，预测了电子封装新技术的发展方向，深入阐述了引脚布置方式的突破，BGA技术的发展，GBA和倒装芯片结合的优势，CSP产业化的关键，在晶圆片上进行CSP封装的新工艺，以及倒装芯片和CSP封装的综合比较。     

声表面波器件小型化技术发展概述

以EPCOS生产的声表面波(SAW)芯片级封装和晶圆级封装为例,介绍了声表面波器件小型化发展的趋势.着重介绍了声表器件芯片级封装技术发展的各个阶段器件的结构特点.详述采用倒装、贴膜和晶圆键合技术将声表面波器件的尺寸减至最小及后续声表面波器件组件化封装的趋势.     

低应力PECVD SiC晶圆级薄膜封装新技术

为了解决MEMS封装过程中易对微致动件造成损伤的问题,提出了一种低成本、与CMOS工艺兼容的晶圆级薄膜封装技术,用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备的低应力SiC作为封装和密封材料。此材料的杨氏模量为460 GPa,残余应力为65 MPa,可使MEMS器件悬浮时封装部位不变形。与GaAs,Si半导体材料相比,SiC具有较佳的物理稳定性,较高的杨氏模量等性能优势。将PECVD薄膜封装技术用于表面微结构和绝缘膜上Si(SOI)微结构部件(如射频开关、微加速度计等)封装中,不仅减小了封装尺寸,降低了芯片厚度,简化了封装工艺,而且封装芯片还与CMOS工艺兼容。较之晶圆键合封装方式,此晶圆级薄膜封装成本可降低5%左右。     

多芯片机械电子功率封装用的倒装芯片焊接

为满足汽车市场的下一代系统要求，需要新的封装技术。半导体元器件的系统功能性的增强和对减少总成本的需要促成了多芯片封装的解决方案。使用半导体器件开关、控制和监测大电流负载将把逻辑和功率器件集成到一块共用基板上，要求这个基板具有功率耗散和载流能力，带有控制器件和互连所用的细线导体。为了实现这些目标，摩托罗拉公司的先进互连系统实验室(慕尼黑)研究出了一种新的封装概念，一种采用倒装芯片焊接技术和电镀共晶SnPb焊料凸点的多芯片机械电子功率封装。为了提供一个能覆盖系统结构中不同功率等级的先进封装乎台，评价了几种基板技术。     

英飞凌力推FCOS智能卡封装工艺

日前,智能卡芯片供应商英飞凌科技有限公司在无锡展示了其最新推出的基于FCOS（Flip Chip on Substrate,板上倒装芯片）工艺的智能卡IC封装生产线。此项先进的智能卡IC封装工艺,使得智能卡在节省智能卡IC封装内部芯片空间及智能卡封装空间、成本效率、减少周期和提升性能方面都有了很大的提高。     

MEMS封装技术研究进展

介绍了MEMS封装技术的特点、材料以及新技术,包括单片全集成MEMS封装、多芯片组件(MCM)封装、倒装芯片封装、准密封封装和模块式MEMS封装等。文中还介绍了MEMS产品封装实例。     

倒装片可修复底部填充材料的研究现状及发展

有机基板上的倒装芯片一般采用底部填充技术以提高其封装的可靠性.有缺陷的芯片在倒装后难以进行返工替换,使得倒装芯片技术成本提高,限制了此技术的应用.提出新型可修复底部填充材料的开发成为解决这一问题的有效途径.介绍了倒装芯片的可修复底部填充技术和可应用于可修复底部填充材料的技术要求,并综述了国内外对于可修复底部填充材料的研究现状.     

倒装片封装与芯片规模封装的综合比较及其发展前景

本文主要论述了现代微电子封装技术中倒装片封装技术和芯片规模封装技术的结构类型,应用产品,倒装片与晶片级规模封装,并阐述了倒装片封装与芯片规模封装的综合比较及其发展前景。