IGBT和MOSFET器件的隔离驱动技术

开关电源中功率管的驱动对电源的工作意义重大，因而开关电源中功率器件驱动电路的设计一直是电源领域的关键技术之一。本文介绍了绝缘栅大功率器件的各种不同驱动技术以及当前市场上的各类成品驱动器的性能特点。     

IGBT和MOSFET器件的隔离驱动技术

介绍了绝缘栅大功率器件各种不同的驱动技术以及当前市场上的各类成品驱动器的性能特点。     

一种脉冲变压器隔离的IGBT驱动电路的设计研究

本文着重分析了变压器隔离驱动的技术特点,讨论了保护电路的基本要求,给出了一个具有保护功能的IGBT驱动电路和关键参数设计。分析及试验表明,该驱动电路简单、适用、可靠。     

电子电气电路的隔离技术初探

电路隔离技术种类繁多,比如模拟电路的隔离、数字电路的隔离、数字电路与模拟电路之间的隔离等,其中采用的隔离方式主要有变压器隔离法、继电器隔离法、光电耦合器隔离法、直流电压隔离法等。本文针对电子电气电路的隔离技术展开了探讨,主要分析了光隔离技术与磁隔离技术,其中针对光隔离技术探讨了光电耦合器技术,而磁隔离技术中主要分析了变压器的应用。     

基于桥式拓扑的脉冲变压器隔离驱动器优化设计

针对目前桥式拓扑驱动中,因脉冲变压器隔离驱动器与MOSFET制造和安装过程中引入寄生参数,导致波形畸变及耦合干扰,从而引起驱动桥式拓扑过程中功率器件损坏和开关损耗大等影响驱动器品质的问题。给出引入寄生参数的脉冲变压器隔离驱动器驱动电路等效模型,在此基础上分析产生上述问题的内在机理,并以此为依据进行参数及电路优化,最后通过实验结果表明优化后的驱动信号具有最小的波形失真,驱动电压脉冲的前沿、后沿具有合适的陡度及合适的顶降,从而使MOSFET工作于最佳的开关过程,可有效地保证桥式拓扑电路安全可靠地运行。     

IGBT驱动保护电路研究

介绍了IGBT门极驱动保护电路的分类,分析了IGBT驱动保护电路的发展趋势,对常用IGBT驱动器如光耦隔离型、变压器隔离型等典型电路进行了分析,并将市场上常用厂家生产的IGBT驱动器工作参数和性能进行了比较,结合对工程实践中IGBT故障的分析,讨论了选用IGBT驱动器时的参考原则,理论分析和应用实践表明,内部集成完善保护功能的光耦隔离驱动有较好的性价比,高频变压器隔离驱动有较高的可靠性。     

功率MOSFET隔离驱动电路设计分析

半导体开关管器件作为开关电源中的关键器件,其驱动电路的设计是电源领域的关键技术之一,普通大功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)由于器件结构不同,驱动要求和技术也不相同,小功率MOSFET的栅源极寄生电容一般为10~100 pF,而大功率MOSFET的栅源极寄生电容则可达1~10 nF,因此需较大的动态驱动功率。目前,对于MOSFET隔离驱动方式主要有光电耦合隔离和磁耦合隔离,一般以磁隔离为主要应用方式,在传统的MOSFET磁隔离驱动电路中,若占空比出现突变,其隔离输出的低电平则会出现上扬现象,导致开关管出现误动作,严重可能导致MOSFET器件烧毁,给出载波隔离驱动方法和边沿触发隔离驱动方法,两种方法都能克服低电平的上扬问题,通过测试对比两种驱动方式的优缺点。     

大功率IGBT栅极驱动电路的研究

在大功率IGBT应用系统中,脉冲变压器隔离的栅极驱动电路由于能得到相对较高的隔离电压,可实现较高开关频率等优点,被广泛应用。在高压大电流IGBT特性分析的基础上,从实践出发对IGBT驱动电路的影响因素做了深入的研究,并探讨了IGBT栅极驱动电路设计注意的几个问题。对很有实际应用价值的脉冲变压器隔离的IGBT栅极驱动电路及其相应芯片进行了分析研究。由此可以更深刻地理解IGBT的驱动电路及其影响因素,这对正确使用IGBT器件及其驱动电路的设计有一定的实用价值。     

IGBT驱动器的隔离技术分析

文章详细说明了IGBT驱动器中常用隔离技术的基本原理与特点,通过比较给出各自不同的应用领域,指出了在驱动器的隔离设计中需要注意的问题。分析了两种新的驱动隔离方式,并对驱动器隔离技术的发展趋势进行了总结。     

Evaluation of Inductive Contactless Power Transfer Outlet with Coaxial Coreless Transformer

A contactless outlet for dc distribution systems is proposed. It uses an inductive contactless power transfer circuit with a series/parallel compensation circuit to prevent voltage fluctuation. However, the output voltage of the circuit rises in light load conditions. In this paper, the main circuit and control method for reducing the rise in output voltage and a method of estimating the output voltage are presented. The proposed circuit and methods were verified and evaluated experimentally using feedback control.     

基于无磁心变压器的IGBT／MOSFET驱动器2ED020112-F的应用

无磁心变压器技术目前已成功应用在驱动器2ED020I12-F中,2ED020I12-F在驱动大功率IGBT或MOSFET方面体现了较强的优越性.     

IR2110驱动器驱动IGBT功率管的抗干扰技术

介绍了IR2110驱动器的内部结构和特点。对驱动电路中瞬态问题作了具体分析,提出了几种简单有效的抗干扰方法,如直流母线上加继电器,布线路板时考虑栅极驱动电路中的杂散参数,串联限流电阻提升负过冲免疫力等,并在实际应用中验证了它们的有效性。     

基于空心杯电机的SPWM与SVPWM研究

<正>弦脉宽调制(SPWM)与空间矢量脉宽调制(SVPWM)都是目前常用的调制模式,被广泛应用于各种交流电机的调速系统中。空心杯电机,由于其便捷的控制特性,作为高性能的传动机构,代表了交流电机的发展方向之一。理论分析两种调制方法的特点,并通过分析试验条件,提出在开环变频的条件下对两种调制方法进行比较。基于英飞凌XC164CM完成了软、硬件试验平台的建立,通过对空心杯电机进行变频调速来比较两种调制方法。试验结果表明,采用SVPWM可以提高电源的利用效率,有效减小电机的脉振;在稳态时,对于同一种调制方式的线性调制比越大,相电流的幅值越大。     

基于DSP的盘式无铁心永磁同步电动机调速系统

高磁能积永磁体的出现使盘式永磁电机的定、转子可以设计成无铁心结构,减少了在同等输出功率和轴转矩条件下电机的重量,避免了铁心损耗且减少了转矩脉动。结合这些特性,设计了基于DSP的盘式无铁心永磁电机调速驱动系统。该系统以TMS320LF2407为控制核心,EXB841作为功率驱动单元,整个系统结构紧凑,集成度好。采用空间矢量脉宽调制(SVPWM)方法,有效抑制了电流谐波分量和转矩脉动。实验表明,系统稳态转速平稳且无静差;超调量小;能够获得最大启动转矩,响应快,转速上升时间仅为30ms,具有令人满意的调速性能。     

基于MOS管串联开关的高压脉冲电源设计

介绍了一种基于MOS管串联开关的高压脉冲电源设计方案,采用工频高压电源通过MOS管串联开关向脉冲变压器初级放电,经脉冲变压器升压在负载上输出-4500V的高压脉冲,该方案具有电路结构简单、可靠性高等优点。