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《大气与环境光学学报》2000,(2)
我国科学家在In(Ga)As自组织量子点激光器研究中获得突破。目前已经获得室温下PL峰值在1.3μm的量子点材料,朝1.3μm激光器迈出了一大步。In(Ga)As/GaAs量子点体系因其独特、优越的光电性质,成为替代目前InP基材料、制备光纤通讯用1、3μm长波激光器的热门材料之一,迄今已有美国德克萨斯大学、日本NEC实验室、日本富士通实验室,及德国PDI研究所和俄罗斯约飞研究所联合小组等几个研究小组成功制备了室温激射波长在1.3μm的量子点激光器。中国科学院半导体所是国内率先开展自组织量子点激… 相似文献
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用LPE研制的室温连续工作的1.48μm单量子阱激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
利用液相外延(LPE)技术研制出室温连续工作的InGaAsP/InP分别限制单量子阶(SCH-SQW)双沟平面掩埋(DC-PBH)激光器。室温下,腔面未镀膜的激光器最低阈值电流为23mA(激光器腔长为200μm,CW,13℃)。激射波长为1.48μm,最高输出功率达18.8mW(L=200μm.CW,18℃)。脉冲输出峰值功率大于50mW(脉冲宽度1μs、频率1kHz),未见功率饱和。量子阱的阱宽为20nm[1]. 相似文献
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《激光与光电子学进展》1996,(12)
锁模铒光纤激光器在1996年6月加州阿纳海姆举行的激光电光学会议上(CLEO’96),Clack-MXR公司的工程师展示了一种波长为1.55μm的二极管京浦的商品化锁模饵光纤激光振荡器,输出脉宽短于100fs。1.55μm波长是高数据率通讯的重要波长... 相似文献
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硅基键合III-V 材料激光器,作为互补氧化物半导体(CMOS)兼容硅基光互连系统中的一个关键元件,近年来引起了人们的高度重视并得到了广泛的研究。金属限制结构可以增强器件对光场的限制,提高界面反射率和工艺容差,从而实现小体积低能耗硅片上集成光源。对金属限制介质辅助键合III-V/硅基混合集成激光器进行了研究,介绍了该激光器的基本原理和实验方案,并对制作的不同结构激光器的特性进行了分析,该研究工作的开展将有助于实现III-V/硅基混合集成激光器在低能耗高带宽的硅基光互连中的应用。 相似文献
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在硅基上成功地制备出了1.55μm InP-InGaAsP量子阱激光器.设计并生长了适合于键合的量子阱激光器结构材料,通过直接键合技术,将Si衬底与InP-InGaAsP外延片键合到一起.剥离去掉InP衬底后,在5~6μm的薄膜上制备出20μm条形边发射激光器.室温下,阈值电流160mA(电流密度为2.7kA/cm2),功率可达10mW以上(在约350mA电流下),实现了1.55μm长波长边发射激光器与Si的集成.目前,该结果国际上还未见报道. 相似文献
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硅基键合Ⅲ-Ⅴ材料激光器,作为互补氧化物半导体(CMOS)兼容硅基光互连系统中的一个关键元件,近年来引起了人们的高度重视并得到了广泛的研究。金属限制结构可以增强器件对光场的限制,提高界面反射率和工艺容差,从而实现小体积低能耗硅片上集成光源。对金属限制介质辅助键合Ⅲ-Ⅴ/硅基混合集成激光器进行了研究,介绍了该激光器的基本原理和实验方案,并对制作的不同结构激光器的特性进行了分析,该研究工作的开展将有助于实现Ⅲ-Ⅴ/硅基混合集成激光器在低能耗高带宽的硅基光互连中的应用。 相似文献
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本文利用国产半导体激光器泵浦掺Yb^3+光纤环形激光器获得成功,掺Yb^3+光纤长3m,与1053nm/980nm波分复用器(WDM)构成交叉耦合型全光纤环形腔,总腔长为4m,泵浦波长980nm,激光波长为1042.3nm斜率效率9.6%,激光阈值低于0.5mW,利用可调谐钛宝石激光器泵浦,得到该光纤激光器的最佳泵浦波长为978nm。 相似文献
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S_2蓝绿激光器寿命的新记录我们研制的S2激光器寿命已超过5年.5年前(1990.6)光转换效率为1.55%、全谱输出能量为2mJ的S2激光器,现在(1995.12)仍能正常运转。经测试,在相同的泵浦条件下,泵浦能量(波长308nm)为128.57m?.. 相似文献
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二极管激光器泵浦的千瓦级固体激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
友清 《激光与光电子学进展》1999,36(3):7-11
引言6kW以上连续波输出功率的灯泵固体激光器已现成可得并已用于汽车工业。与CO2激光器相比,灯泵固体激光器的主要优点是波长较短(1.06μm),光束可用光纤传输(400~600μm芯径柔软光纤),但有效率较低(ηplug=3.5%)、光束质量较差(每... 相似文献
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本文介绍用一次液相外延制备五层结构的晶体材料及自对准的工艺方法研制成功的1.3μmInGaAsP/InP脊形波导(RWG)结构的激光器。用有源区向上的装架方式,在25℃时,激光器最小连续波(CW)阈值电流为23mA,且均匀性较好;最大单面光电转换效率为0.18mW/mA;在65℃的环境温度下其最大发射功率仍大于10mW;用标准单模光纤耦合,25℃下阈值电流为20mA的入纤光功率大于1.5mW。 相似文献
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GaInNAs/GaAs量子阱激光器的发展与未来 总被引:1,自引:0,他引:1
GsInNAs是一种直接带隙半导体材料,在长波长(1.30和1.55μm)光通信系统中具有广阔的应用前景。通过调节In和N的组分,既可获得应变GaInNAs外延材料,也可制备GaInNAs与GaAs匹配的异质结构,其波长覆盖范围为0.9 ̄2.0μm.GaInNAs/GaAs量子阱激光器的特征温度为200K,远大于现行GaInNAsP/InP激光器的特征温度(T0=50K)。GaInNAs光电子器件 相似文献
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全光非线性光孤子通信(续)钟卫平,陈国定(广东省惠州市邮电局)3.2光孤子源技术为了与超低损耗(0.2dB/km)光纤匹配,激射波长在1.1-1.55μm附近的气体激光器、液体激光器、固体激光器(特别是半导体激光器)的研究相应有了很大的发展,目前已付... 相似文献
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随着光纤网的扩展,线路终端逐渐向单个用户推近,迫切需要适合交互式业务的、成本效益高的用户接入组件,而在InP上将组件功能单片集成不失为一种降低组件成本的办法。本文介绍InP光电集成电路的一般制作过程,并介绍原始收发芯片所具有的发送、接收以及1300/1530nm波分复用等功能。激光器阈值电流为20mA时,该芯片在1530nm波长的输出功率达1mW,1300nm波长时,芯片的响应度为0.1A/W。 相似文献