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随着半导体芯片的特征尺寸从微米量级向纳米量级挺进,半导体的量子效应现象显现。文章阐述了半导体器件中的量子尺寸效应、隧道效应、干涉效应等量子效应的种类以及利用这些量子效应制作的量子点器件、谐振隧穿器件和单电子器件三大种类量子电子器件。介绍了各类量子电子器件的原理以及它们具有超高速、超高频、高集成度、低功耗和高特征温度等优越特性,并着重介绍了各类量子电子器件的制造方法。在此基础上,指出了量子电子器件的应用及发展前景。 相似文献
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介绍固体纳米电子器件及其应用。固体纳米电子器件包括共振隧穿器件(RTD)、量子点器件(QD)和单电子器件(SED)。单电子器件又分为单电子晶体管(SET)和单电子存储器(SEM), 相似文献
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介观电感耦合电路的量子涨落 总被引:1,自引:0,他引:1
随着纳米技术和纳米电子学的飞速发展,在电子器件中,电路及器件小型化越来越强烈,近年来已达到原子尺度.当电子的输运尺度达到电子两次非弹性碰撞之间的尺度时,必须考虑器件和电路的量子效应.1973年,Louisell首先讨论了LC电路的量子效应并给出了在真空态下这一电路的量子噪声.最近,我们分别研究了在压缩真空态下介观LC电路和RLC电路中电荷、电流的量子涨落;由于真空态可视为其压缩参数为零的压缩真空态,因此研究介观电路在压缩真空态下电荷、电流的量子涨落将会更具有普遍性.本文首先讨论了由两个LC电路通过电感耦合而组成… 相似文献
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