小型CCD摄像器件

松下电子工业公司半导体研究所,开发了MN8232(NTSC用)和MN8240(PAL用)两种小型CCD摄像器件。MN8232摄像面与8毫米影片尺寸相当,具有垂直490×水平404个像素。MN8240摄像面为1/2吋,具有垂直579×水平449个像素。这与原2/3吋器件比较,虽芯片面积小于其一半,但性能比其优越。这是由于采用NPN结构、降低输出电路的噪声、开发新的驱动方式等的结果。     

600×500元帧转移CCD摄像器件

采用三相帧转移结构研制了６００（Ｖ）×５００（Ｈ）元ＣＣＤ摄像器件。像元尺寸为２４μｍ×２４μｍ。制作该器件采用了三层多晶硅交迭栅和一层铝布线技术，同时采用了ｎ型埋沟技术。器件的转移效率为９９．９９５％，水平极限分辨率为３５０ＴＶ线，动态范围是５２ｄＢ。器件以标准帧速工作，时钟频率１０ＭＨｚ。文章介绍了该器件的设计和研制。     

用于微光摄像的CCD器件

本文主要介绍了用于微光摄像的薄型，背向照明ＣＣＤ（ＢＣＣＤ）和电子轰击型ＣＣＤ（ＥＢＣＣＤ）。同时对各种微光ＣＣＤ的性能进行了比较。结果表明：ＢＣＣＤ和ＥＢＣＣＤ可提供高对比度和高分辨率的微光图像，这两种ＣＣＤ器件比其它微光ＣＣＤ器件具有更高的微光图像探测能力，可广泛应用于弱目标图像探测，警戒监视，显微摄像，医学图像分析，Ｘ射线诊断和多波段光谱分析等科学研究领域。     

491×384元CCD摄像器件

采用三相结构制作了491(V)×384(H)元内线转移 CCD 摄像器件。该器件采用埋沟和四层多晶硅技术,水平分辨率为250TV 线,动态范围达46dB。本文对该器件的工作原理、设计和制作工艺作了详细的介绍。     

756×581元CCD摄像器件

成功地研制了７５６×（Ｈ）×５８１（Ｖ）元内线转移ＣＣＤ摄像器件。该器件采用三相结构，埋沟和四层多晶硅技术，文章详细介绍了该器件的工作原理，设计考虑和制作技术。     

2/3英寸CCD摄像器件

松下电子公司和日本广播局(NHK)的科学技术研究所合作,研制出一种高清晰度电视(HDTV)手提式摄像机用的2/3英寸CCD摄像器件. 这种CCD采用FIT方式,集成了130万个像素.该器件的特点是动态范围70dB,拖尾-100dB,固定图形杂波-65dB。该器件可使采用1英寸CCD摄像机的重量减轻1/3。余像低于测量界限。由于采用FIT方式,拖尾寄生信号降到-100dB以下。 1英寸CCD采用1.2μm工艺,2/3英寸CCD则采用0.8μm工艺,这相当于4兆比特DRAM。     

CCD固体摄像器件的发展现状

本文主要介绍国外可见CCD、X射线CCD、电子轰击CCD、虚相CCD、TDI-CCD、向帧速CCD和SuperCCD等固体摄像器件的最新发展现状以及未来发展趋势。     

高帧速CCD摄像器件的设计

设计了光敏元尺寸１８μｍ×１８μｍ５１２（Ｈ）×５１２（Ｖ）光纤面板耦合ＣＣＤ高帧速摄像器件,帧速为５００帧／ｓ。详细讨论器件多相加压（ＭＰＰ）和常规工作模式的设计,给出了器件设计性能参数。该器件采用２μｍ,双层多晶硅和双层金属工艺制作。     

CCD摄像器件的市场分析与预测

对ＣＣＤ摄像器件的全球市场与国内市场进行了分析与预测，２０００年全球市场总量的１９９５年的８倍，国内市场总量约为１９９５年的６．５倍。     

CCD摄像器件的市场分析与预测

本文对ＣＣＤ摄像器件的全球市场与国内市场进行了分析与预测。到２０００年，全球市场销售总量约为１９９５年的８倍，国内市场销售总量约为１９９５年的６．５倍。     

140万像素的CCD固体摄像器件

美国柯达公司电子研究所采用独特的超净处理技术,于1985年5月29日研制出世界最高像素(140万)的高灵敏度埋沟面阵CCD固体摄像器件。该器件性能如下:     

CCD用透明栅电极的制作

采用反应溅射法制备了ITO透明导电薄膜材料,薄膜电阻率为2.59×10-4 Ω·cm,可见光透过率可达90%;通过优化光刻工艺条件,选择合适的ITO薄膜刻蚀液,完成了ITO透明栅电极的制作;使用ITO透明电极代替其中一相多晶硅电极,制作的CCD图像传感器,其蓝光响应明显增加.     

硅CCD固体摄像器件的进展及其应用

本文评述了近几年来可见光硅CCD固体摄像器件的进展,黑白与彩色TV摄像机的现状,文中列出了典型CCD摄象器件和黑白与彩色TV摄象机的性能参数。介绍了国外CCD摄象器件的民用与军用状况。展望了未来的发展与应用前景。     

580×392位面阵CCD摄像器件

选用三层三相多晶硅交叠栅结构研制出580×392位面阵CCD帧传输摄像器件。文中主要叙述了器件工作原理、设计与参数研究,并对器件工艺过程和时钟驱动作了简要介绍。制得器件典型参数为:转移效率大于99.99%、响应度大于2V/μJ/cm~2、动态范围不低于80:1、输出幅度大于1400mV。经组装摄像机获得清晰无背景缺陷的优质图像。     

微光CCD摄像器件综合特性的分析与比较

ＣＣＤ的优良特性使其在微光电视技术领域得到了广泛运用。本文对各种微光ＣＣＤ摄像器件的综合特性例如信噪比、探测率、动态范围与计数模式等进行了详细的研究与对比，并得出基本结论。     

CCD摄象器件—转移过程

光照射到CCD摄象器件的光敏面上将产生电子——空穴对,其中的少数载流子被时钟脉冲产生的势阱取样,然后聚集起来形成信号电荷包,进而在时钟脉冲驱动下由移位寄存器转移到输出端而取出。本文讨论信号电荷在CCD中的转移过程。在三相CCD中,信号电荷包存储在其中     

CCD固体摄像器件在国防军事上的某些应用

本文叙述了CCD固体摄像器件的优点,指出了它是国防军事上应用的基础器件之一,列举了它在国防军事应用的一些实例。同时简要地论述了我们研制的CCD固体摄像器件在国防军事项目上的一些试验应用情况。     

线阵CCD摄像器件非均匀性的电路处理

由于种种原因,导致了线型可见光CCD摄像器件光照时输出视频信号非均匀性的形成。非均匀性的客观存在,不仅影响了器件的使用效果,而且严重影响使用范围。如果能使那些因非均匀性而淘汰的器件“死而复生”。无疑是一件有意义的工作。本文简要讨论了非均匀性的形成,介绍了电路处理(或称补偿)方法。