微光摄像器件的发展趋势

主要概述微光摄像技术、真空微光摄像器件、像增强CCD(ICCD)、电子轰击CCD(EBCCD)以及微光摄像器件的发展趋势。     

微光摄像器件的发展趋势

主要概述微光摄像技术、真空微光摄像器件、像增强CCD(ICCD)、电子轰击CCD(EBCCD)及微光摄像器件的发展现状。     

491×384元CCD摄像器件

采用三相结构制作了491(V)×384(H)元内线转移 CCD 摄像器件。该器件采用埋沟和四层多晶硅技术,水平分辨率为250TV 线,动态范围达46dB。本文对该器件的工作原理、设计和制作工艺作了详细的介绍。     

简讯

日本松下电器产业公司研制出一种隔行传输(IT)1/3英寸CCD摄像器件,它采用了变速电子开关。在3lx(F/1.2)低光照下,变化范围为1/6～1/10,000s。PAL型含21万个像素。此项技术还将应用于1/2英寸CCD摄像器件,该器件甚至可在1lx(F/1.2)光照下工作,预计可占领世界市场的50％,并将在1/3英寸CCD市场发挥主导作用。     

采用502×402CCD摄像器件的固体彩色摄像机的研制

<正> 在最近举行的“松下电气电子产品综合展览会”上,松下电气产业第一次公开了采用象素数目为502(V)×402(H)的行间型CCD摄像器件的固体彩色摄像机。该摄像机有效地利用了CCD摄像器件所特有的能压低噪声这一特点;同时又在彩色分离滤光镜方面花工夫研究,以提高效率;并且采用2/3英寸的光学系统,从而实现了前所未有的高灵敏度特性。该公司通过确立高密度CCD工艺技术,已于1979年2月使大约20万个CCD摄像器件及采用该器件的2/3英寸黑白视频摄像机[BS-701]达到商品化程度,并进一步试制采用相同CCD     

柔性ZnS∶Cu电致发光器件制备和性能研究

采用喷墨印制工艺在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜表面制备纳米银线(AgNWs)柔性透明导电膜。以纳米银线柔性透明导电膜分别作为顶电极和底电极，ZnS∶Cu为发光层，聚二甲基硅氧烷(PDMS)为介质层和包装层，采用旋涂工艺制备AgNWs/ZnS∶Cu&PDMS/AgNWs结构的柔性电致发光器件，并研究了电极的光电性能、介质层性能以及施加电压对器件性能的影响。研究表明，良好光电性的电极和高介电常数的介质层有利于提升器件发光强度。当以方阻20Ω/和透光度(550 nm)63.9%的薄膜作为电极，BaTiO₃和PDMS混合作为介质层时，施加200 V电压时器件的发光强度可达2.61 cd·m^-2,施加300 V电压时器件的发光强度可达6.41 cd·m^-2。器件弯曲180°后仍具有良好的电致发光特性。采用喷墨印制工艺制备4 cm×4 cm花朵图案的纳米银线柔性透明导电膜分别作为顶电极和底电极，ZnS∶Cu为发光层，BaTiO₃和PDMS作为介质层和包装层，制备电致发光器件，在200 V(50 Hz...     

新型CMOS图像传感器件——OV5116

<正> OV5116是美国Ommivision公司(以下简称OV公司)于2000年5月最新推出的高性能廉价黑白摄像机芯片。它克服了第一代CMOS黑白摄像器件OV5016的缺陷,大大改变了CMOS摄像器件在摄像应用领域的地位。 OV5016黑白摄像器件是OV公司第一代单芯片摄像器件。它以低廉的价格和极其简单的制造方法在CCD摄像器件领域引起震动,表明CMOS单片摄像器件已开始成功地进入商用领域。虽然OV5016具有功耗低、体积小、价格廉、可靠性高等四个优势,但它毕竟是CMOS摄像器件的初期产品,功能还不够完善,图像不够清晰,灵敏度较差,强光下易饱和,在大批量应用时方能体现其价格优势,比起CCD黑白摄像器件仍是     

改进电极提高CCD的灵敏度

伊斯特曼·柯达公司已发展一种提高其蓝绿光光谱区域电荷耦合器件 (CCD)图像传感器灵敏度的技术。该公司在其现有技术中加进一种透明电极 ,已使效率大为改善 ,并在一系列应用 (如显微术、星球成像和 X射线诊断 )方面缩短了曝光时间。公司产品工程师 B.D.Jardin说 ,“缺点是蓝光中始终缺少灵敏度 ,并已推进到绿光 ,此种技术实际上解决了这样的问题”。在 40 0 nm波长处 ,透明电极材料已使柯达标准CCD图像传感器的量子效率提高 2 % ,而达到30 %。在 550～ 70 0 nm波长处 ,效率从 40 %提高到65%。 CCD的波长范围也从 40 0～ 1 0 0 0 nm扩…     

动态范围超过1000倍的对数转换CCD线性传感器

以往的CCD固体摄像器件，由于亮度与传感器回路内的电子数成正比，故不能一次获得最佳的对比度，即使是动态范围高到3个量级，甚至是4个量级，与肉眼相比，仍存在着动态范围较窄的问题。为了扩大CCD固体摄像器件的动态范围，日本美能达照相机公司开发出对数转换CCD线性传感器。     

超大动态范围的摄像器件研制成功

日本米诺尔塔公司和罗姆公司共同研制成功超大动态亮度范围的摄像器件。该器件具有普通的 CCD摄像器件约 10 0 0倍时 10 5 以上的动态范围。如果头灯光进入画面内 ,即使有极不同的明亮部分也不会发生“白光耀眼”和“一片黑暗”,而可进行摄影。光学尺寸为 1/2英寸 ,具有 32 0× 32 0个象素。这种摄像器件不是 CCD,而是采用 MOS型晶体管 ,被称为 CMOS图像传感器的一种。CMOS型可采用普通的 LSI生产线 ,廉价生产 ,在一个芯片上 ,可混载其他电子线路 ( A/D转换电路和信号处理电路等 )。新研制的摄像器件的秘密是在每个象素上安装了对…     

图像传感器在医学诊断领域中的应用

图像传感器(CCD、CMOS)是多功能、高性能的摄像器件.主要介绍了CCD和CMOS图像传感器在医学诊断领域中的应用.     

三菱电机公司制成100万象素的红外摄象器件

日本三菱电机公司已制成1040×1040(约100万)像素的红外摄像器件(波长为3～5μm)。在光电转换部分采用 PtSi 势垒二极管,并用 CCD 传输电荷。目前,日本电气等公司已制成40万像素的器件,红外摄像器件(获取被摄体发出的红外线传感器),用于监视摄像机和温度计。可检出器件的温差为0.1K(被摄体的环境温度为300K,器件冷却到80K)。每1cm~2的暗电流为7.9nA(环境温度为77K),耗散功率为300mW。CCD 传输时钟频     

电荷耦合器件电极短路自动测试仪

前言电荷耦合器件(CCD)是七十年代才开始发展起来的一种新型半导体器件,它已广泛地用于各有关领域。在我国,CCD的研究工作正加紧进行,但测试手段尚不完善,由于我所科研的需要,我们研制了“电荷耦合器件电极短路自动测试仪”。我们知道,CCD管芯上各相邻电极之间间距很小,一般在几微米左右。由于工艺方面的原因,很容易造成各电极之间、电极和衬底之间的短路现象。器件一旦出现上述的     

电荷耦合摄像器件

本文列举了当前国内外常见的几种CCD摄像器件,并对其结构,性能的优缺点进行了比较。叙述了改进CCD摄像器件性能的工艺和器件像素数的突出水平。介绍了CCD彩色摄像管的几种结构。     

简讯

J904062 商品化的0.85cm 27万像素CCD 摄像器件日本松下电子工业公司最近研制成功0.85cm27万像素的 MN3715型 CCD 摄像器件,实验表明该器件灵敏度高,电子快门连续可变,从1990年2月起开始批量生产。最近,对固体摄像器件提出了超小型、高性能化的要求,并迫切要求开发缩小包括透镜光学尺寸的CCD,上述器件符     

采用ZnSe-Zn_(1-x)Cd_xTe薄膜异质结传感器的高灵敏度固体摄像器件

日本三菱电气公司中心研究所研制出一种高灵敏度固体摄像器件。该器件采用了ZnSe-Zn_(1-x)Cd_xTe异质结薄膜光导层。以具有大电荷处理能力(约90×10~5电子/象素)和简单的栅结构的BBD移位寄存器作摄像区的垂直扫描器。水平扫描电路则采用隐埋CCD移位奇存器。器件象素为506(V)×413(H)。水平象素中的有效象素为384,余下的29象素为光学黑。单元尺寸为36(V)×32(H)μm~2,异质结上的金属电极尺寸为32(V)×18(H)μm~2,即单元面积的73%为有效光学传感器,比没有光导体时的Sipn光电二极管大3倍。摄像区面积约10.4(V)×13.5(H)mm~2,相当于1时的光导摄像管。芯片     

以陶瓷厚膜为绝缘层的绿色薄膜电致发光器件

首次报道了采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ＺｎＳ∶Ｅｒ作发光层的绿色薄膜电致发光器件（ＣＴＦＥＬ）。器件结构为陶瓷基片／内电极／陶瓷厚膜／发光层（ＺｎＳ∶Ｅｒ）／透明电极（ＺｎＯ∶Ａｌ）。发光层是用电子束蒸发制备的,透明电极是采用溅射法制备的。器件在市电频率驱动下发出明亮的绿光,研究了器件的亮度－电压和效率－电压等特性。     

银纳米线复合透明电极在太阳能电池中的应用

正近年来,银纳米线透明电极技术引起了广泛关注,它有希望替代通用的铟锡氧化物(ITO)透明电极,广泛地应用于光电技术相关领域。介绍一种基于银纳米线和金属氧化物复合结构的透明电极技术,并将其成功地应用在有机聚合物光伏器件和无机CIGS薄膜光伏器件中,所实现的器件性能可以与基于ITO透明电极的器件性能相媲美。     

硅新型摄像器集锦

由于微细加工技术和CMOS技术的发展，信息工程的需要，促使摄像器件在近几年获得飞跃发展。这里收集的硅固体摄像器件的新成果从1996、1997年英、日原刊中摘编而来。（1）软X射线CCD摄像器件软X射线CCD摄像器，是一种先进的宇宙和天文物理仅用摄像器。它比以前的气体闪烁计数器、固态检测器有更多的优点，它噪声小、面积大、强度高、寿命长。这种软X射线天文仪，可长期在宇宙中工作。该摄像器是一种帧转移CCD摄像器，像素尺寸为24μm×24μm，每个像素的储存器尺寸为13．5μm×21μm，储存区分左、右二部分，有4个输出端，帧频较高，…     

GZ313型单片式3～5μm64位红外电荷耦合摄像器件

(一)简要工作原理该红外电荷耦合摄像器件是把64个肖特基势垒二极管列阵构成的多元红外探测器与电荷耦合多路传输器集成在一起的单片式红外摄像器件。其工作过程是64位红外探测器把视场空间的热像转换成时序电信号,并由CCD 完成自扫描。当积分栅施加积分脉冲