非晶太阳电池发展现状

概况自1970年世界上第一个非晶硅(以下写为a-Si)太阳电池试制成功以来,1982年首次由RCA实验室宣布a-Si电池的光电转换效率达到10％。这是非晶硅电池研究成果第一个里程碑。到1986年至少有18个研究单位的单结a-Si电池效率超过10％。在1989年3月以前,日本同时有四个部门的单结a-Si电池效率达到12％,     

创转换效率记录的非晶太阳电池

美国能源转换装置公司报导,一种利用获得专利的非晶体材料合金制成的太阳电池,其能源转换效率已达12.2～12.7%,这是以前从未有过的记录.这样高的转换效率,是在一个由氟化材料制造的三层极薄子单元纵向重叠而成的太阳电池上取得的,其面积为1Cm~2;每层子     

基于BZO衬底的高效非晶硅及非晶/微晶硅叠层太阳电池

通过研究氢稀释对硼掺杂的硅氧材料特性的影响,制备出具有高纵向电导率(1.1×10~(-5)S/cm)、低横向电导率4.2×10~(-5)S/cm和宽带隙(2.52 eV)的p型纳米硅氧(p-nc-SiO_x:H)材料,将其作为非晶硅电池(a-Si:H)的窗口层,使短波响应得到明显提升。但由于宽带隙p-nc-SiO_x:H层的引入,使p/i界面能带失配,恶化了电池性能。因此研究p/i界面缓冲层带隙对电池性能的影响,发现提高缓冲层带隙,使电池的内建电场得到明显提升,从而提高电池的转换效率。将获得的具有高开路电压的a-Si:H电池作为顶电池应用到非晶/微晶硅叠层电池中,得到效率达12.99%的高效非晶/微晶硅叠层太阳电池。     

非晶硅太阳电池

太阳电池能把光能直接转变成电能,而电能又易于输送和利用,所以各国对太阳电池的研制极为重视。七十年代中期,非晶硅太阳电池问世,它具有工艺简单、原料省、耗能少、成本低以及能制成大面积等优点,为大规模应用太阳电池展现了美好的前景,很有希望成为新一代太阳电池产品。非晶硅在结构、光学性质及电学性质方面与单晶硅不同。非晶硅中硅原子的排列不象单晶硅中那样有规律,但却象单晶硅中的原子伸有四只“手”(键)。然而,非晶硅中原     

太阳电池 玻璃幕墙

太阳电池玻璃幕墙崔海宁０引言近来，许多国家对太阳电池的研究给予极大的支持，在光电转换器件、光伏发电系统和实际应用方面都取得了很大的进展。光伏发电已经开始由偏元无电地区扩展到大城市的太阳能建筑物上应用，英国太阳电池玻璃幕墙就是一个典型的应用实例。该幕墙...     

电化学太阳电池

电化学太阳电池也叫液体结太阳电池,简称为ESC。这是在概念上有别于常规太阳电池,在开发利用太阳能上更具灵活性、多用性的一类光电化学器件。图1是用n型半导体做光阳极的ESC能级图。在液体结太阳电池中,半导体电极和电解质溶液形成“结”,当n型半导体电极吸收了能量大干它的禁带宽度的光子后,被激发产生电子-空穴对。这些电子-     

多晶硅太阳电池

本文介绍了多晶硅锭和用丝网印刷制作上、下电极的多晶硅太阳电池的制备,并报道了用自制层压封装机采用国产材料封装的电池组件的制备。讨论了多晶材料工艺和晶体质量的关系,印刷工艺和封装对电池转换效率的影响。     

低成本太阳电池

最近,瑞士联邦技术研究所发明了一种新的光伏电池,它仿效叶绿素的结构,但据说性能优于叶绿素,可以将太阳能转化成电能。该太阳电池的效率为12％,同最好的非晶硅电池差不多,但比单晶硅电池的效率低。这项发明的创新之处是使用了一种具有V形结构的染料(由结合金属钌的碳环组成)。     

太阳电池阵

多个带盖片的单体太阳电池按供电要求以串、并联方式组成太阳电池阵方阵。太阳电池的铺设方式主要有叠瓦式和平铺式两种。叠瓦式的单体电池交叠连接，方阵面积利用率高，但难以维修。平铺式连接应用较普遍，在两单体电池间留有间隙，用于安置互连条。     

超薄型太阳电池

美SERA太阳能公司已研制出了一种超薄高效硅太阳电池。它的厚度仅为50μm,而普通太阳电池的厚度至少300μm。由于这种太阳电池特别薄,在电池表面收集电荷     

ZnSe太阳电池

通过掺少量Te提高ZnSe受主杂质浓度，从而制成ZnSe p—n结太阳电池。单结ZnSe光电池在AM1条件下光谱响应半宽度范围365-450nm，波长为400nm时量子效率最大。ZnSe是一种好的叠层多结光电池的顶层材料，可以提供较高的开路电压，并且是底层电池的窗口；在单结ZnSe光电池的基区指数掺杂，95％的区域内能产生大于10^4V／cm的附加电场，在400—475nm波长范围内，该电场可以使其外量子效率增加1～1．5倍。     

多晶硅太阳电池

多晶硅太阳电池制备工艺简单,成本低,并适于大规模生产(与单晶硅太阳电池相比),已日益引起人们的重视。不少国家投入了大量的人力和资金对多晶硅太阳电池进行研究,并取得了可喜的进展。美国研制成的多晶硅太阳电池(面积30—60平方厘米)的效率已达9.85％,预计近期可达11％,批量生产时,每峰瓦可降到0.7美元以     

低成本太阳电池

1992年12月底,日本佳能公司宣布开发出了高速生产非晶硅太阳电池的先进技术,可将电池的生产成本降低至传统方法的三分之一,即每瓦成本仅为300至400日元。根据日本的阳光计划,至2000年每瓦太阳电池的     

硅太阳电池

制作硅太阳电池的基本材料是单晶硅,为了降低价格,目前正在研究用多晶硅、浇注硅、合金硅来制造。单晶硅太阳电池制造过程如图所示。基底材料采用p型(掺硼)硅单晶,把单晶棒切成薄片,厚度一般为0.3—0.5毫米,经过抛光清洗,获得一个平整、光亮的无损伤表面。再采用高温扩散的方法,在表面内不到0.5微米处,     

聚光太阳电池

美国新墨西哥州桑地亚国家实验室的研究人员最近设计出一种聚光太阳电池,面积约40000m~2的这种电池,所发电力足够供一座300户居民的城镇在照明和无线电用电方面的需要,但并不增加电费开支。科学家认为,这种聚光电池组件朝光电技术商业化迈出     

红外光太阳电池

据日本《工业材料》1989年第8期报道,日本京都大学佐佐木、竹田研究小组,最近研究成功一种新型红外光太阳电池。这种电池在0.87微米以上的红外光区域中,转换效率可达6.1％众所周知,目前转换效率最高的GaAs太阳电池也没有利用过这种长波长的光。它的长波长光界限为0.87微米。所以,如果它与GaAs太阳电池组合使用,     

超级太阳电池

瑞士联邦技术学院物理化学研究所的M.Gratzel等人去年年底在《自然杂志》上报道了他们的最新研究成果,用类似光合作用系统集光天线那样的络合分子吸附在大比表面的透明半导体电极上,这样的人工系     

多晶硅太阳电池

多晶硅太阳电池由于其材料成本低于单晶硅太阳电池 ,且易于制备成方型 ,组件封装成本较低 ,目前在生产的晶体硅太阳电池中 ,其所占比例正逐渐增加。一多晶硅太阳电池的制造（１）浇铸多晶硅的制造目前应用最广的多晶硅制造方法是浇铸法 ,亦称铸造法。浇铸多晶硅在原理上有两种方式 :在一个坩埚内将多晶硅熔化 ,然后倒入另一个坩埚冷却 ;另一种是在一个坩埚内将多晶硅熔化 ,然后通过坩埚底部热交换 ,使晶体冷却。目前第一种方式已很少使用 ,普遍采用第二种方式 ,即热交换法 ,国际上著名的多晶硅生产厂商如日本的京陶、德国的拜耳、法国的伏特…     

小球太阳电池

冶金级硅一直被认为是制造太阳电池的良好材料,因为它在自然界中很丰富,可以廉价获得。但是,它的纯度只有99％,而且到现在为止,还没有一种较经济的方法能提高它的纯度等级。本文介绍的方法,除经济之外,还有其他的优点。这就是在没有硅带的累积应力特性和铝箔的结合基质的条件下,能迅速固化,从而可做出柔软的电池和组件。