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相似文献
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1.
光电倍增管引导弱光探测   总被引:1,自引:0,他引:1  
光子探测通常是需要最高灵敏度光测量的精选方法。从医疗诊断到高能物理领域 ,光学方法最常用于探测极少量抗体或罕见的现象 ,因为在接近皮秒的时间分辨率下易于探测单个光子。如果光子达到高频或者信号持续时间有限 ,就需要具备高带宽、高放大倍数和高灵敏度的光学探测器。只有一种探测器能满足这些需求 ,那就是光电倍增管。它能实现很大面积的检测并仍有潜力。管中的新型阴性亲合力阴极板能具有可见光光谱近 40 %的量子效率 ,使起始光电转换非常灵敏 (图 1)。图 1 新型封装技术使光电倍增管更易使用。管里的新型半导体阴极板具有很好量子…  相似文献   

2.
耐振动抗冲击光电倍增管   总被引:1,自引:0,他引:1  
严增濯 《光电技术》1996,37(3):24-32
耐振动冲击光电倍增管有金属-玻璃与金属-陶瓷两类器件,后者提供了最优越的耐振动抗冲击性能,本文介绍了这类管子的一些性能,特别是索恩EMI公司的金属-陶瓷器件。  相似文献   

3.
徐厚瑾 《光电技术》1995,36(1):40-43
本文对GDB-159型光电倍增管的结构特点,主要工艺以及性能参数与测试方法进行了较详细的叙述,同时对其机理作了一些理论分析,最后,对进一步提高该管的质量水平提出一些设想。  相似文献   

4.
介绍了两类耐振动抗冲击光电倍增管,最优越的耐振动抗冲击光电倍增管是由金属-陶瓷或金属-玻璃器件组成,另一个是使用两块陶瓷板固定所有金属电极来实现耐振动抗冲击的目的.  相似文献   

5.
光电倍增管原理、特性与应用   总被引:15,自引:0,他引:15  
光电倍增管是一种能将微弱的光信号转换成呆测电信号的光民转换器件。文中以北京滨松光子技术有限公司生产的R/CR系列产品为代表,介绍光电倍增管的一般原理、使用特性及其应用。并特别给出了在各咱应用领域所适用的光电倍增管的型号。  相似文献   

6.
黄敏  赵文锦 《光电子技术》1995,15(4):311-315
介绍GDB-601型微通道板光电倍增管的结构、参数及其应用。  相似文献   

7.
光电倍增管展望   总被引:5,自引:0,他引:5  
介绍了用于各领域的光电倍增管的技术特点和发展概况,评述了光电倍增管研制中所取得的新进展。并讨论了光电倍增管的发展方向和需要解决的关键技术问题。  相似文献   

8.
大电流、高增益门控光电倍增管的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
朱镜屏 《光电子技术》2001,21(4):272-280
介绍了一个目前国内外公开文献报导中输出电流最大、电流增益最高且具有门控选通功能的微通道板光电倍增管,该管采用了大直径输入窗、多碱光电阴极、三块微通道作倍增极的近贴聚焦结构。  相似文献   

9.
本文主要从光电倍增管的结构、性能及应用出发,简述当前光电倍增管的技术水平、技术动向及其新进展。  相似文献   

10.
日盲微通道板光电倍增管的单光子计数   总被引:1,自引:1,他引:0  
黄敏  丁辉敏 《光电子技术》1994,14(2):127-131
  相似文献   

11.
简单介绍了快速MCP型光电倍增管的结构,着重分析了该管型暗电流的来源,最后提出了减小暗电流可采取的一些必要措施。  相似文献   

12.
光电倍增管的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
徐厚瑾 《光电技术》1994,35(4):34-38
  相似文献   

13.
光电倍增管,在单光子探测应用中,有独特优势,其有效面积大,暗电流低,且倍增系数大。基于三代负电子亲和势阴极技术研究了InGaAs光电倍增管,利用GaAs衬底外延InGaAs,将三代光电阴极截止波长从920nm拓展至1100nm,阴极积分灵敏度340uA/lm,光谱峰值830nm,1000nm辐射灵敏度6.2mA/W,InGaAs性能达到日本滨松公司V8071U-76产品水平。在内置2块微通道板后,整管电子倍增系数大于105。  相似文献   

14.
光子计数用光电倍增管的外围工作电路   总被引:2,自引:1,他引:2  
光电倍增管是光子计数系统经常采用的一种典型探测器,是整+~-t-计数系统的基础。光子计数系统中光电倍增管的外围工作电路设计得是否舍理,对光子计数系统的性能有很大影响。文中介绍了光电倍增管常采用的一些工作电路,分析了这些工作电路的特点,并给出了适合光子计数用光电倍增管的外围工作电路。  相似文献   

15.
测井用的光电倍增管   总被引:1,自引:0,他引:1  
章荷英 《光电技术》1994,35(3):21-25
  相似文献   

16.
17.
18.
简述了5英寸半球形微通道板光电倍增管(简称:5”半球形MCP-PMT)的电子光学系统设计和优化试验;整管结构设计、工艺路径设计和光电参数设计.介绍了研制过程中,为确保MCP的增益特性和增益的稳定性,针对暗发射、真空性能等所采取的技术措施和相关工艺;分析产生暗电流(Id)和Id稳定性差(跳动)的各种因素,进行多次试验验证,解决了降低Id并使之趋于稳定的关键技术,优化了相关结构,在正常工作条件下,可达到Id≤30nA.为使器件更适用于进行单光子探测,本文还提出了研制量子效率更高、时间特性更好的全球形MCP-PMT的发展方向.  相似文献   

19.
本文介绍了GDB-328型光电倍增管的原理和结构设计,研究了该管的电子光学输入系统、倍增系统、阳极输出系统、铜铍合金倍增极的敏化、高温双碱锑钾钠(NaKSb)光电阴极制作工艺等关键技术。  相似文献   

20.
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