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等离子体辅助反应式脉冲激光熔蚀制备AlN薄膜的低温生长 总被引:1,自引:0,他引:1
使用等离子体辅助反应式脉冲激光溅射沉积薄膜的方法在Si(111)和Si(100)基片上已经成功地低温制备出AlN多晶膜。实验表明,当脉冲能量密度DE=1.0J·cm-2,脉冲频率f=5Hz,氮气气压PN2=1.33×104Pa,基底温度tsub=200℃,放电电压V=650V,基靶距离dS-T=4cm时薄膜的生长速度等于6nm/min。AlN薄膜的折射率为2.05,和基底的取向关系分别为:AlN(110)∥Si(111)和AlN(100)∥Si(100)。 相似文献
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本文报导了非故意掺杂InGaAsSb本底浓度的降低和掺Ten型GaSb和InGaAsSb的MBE生长与特性的研究结果。结果表明,通过生长工艺的优化,GaSb和InGaAsSb的背景空穴浓度可分别降至1.1×10~(16)cm~(-3)和4×10~(16)cm~(-3),室温空穴迁移率分别为940cm2/v.s和260cm~2/v.s。用Te作n型掺杂剂,可获得载流子浓度在10~(16)~10~(18)cm~(-3)的优质GaSb和InGaAsSb外延层,所研制的材料已成功地制备出D_λ~*=4×10~(10)cmHz~(1/2)/W的室温InGaAsSb红外探测器和室温脉冲AlGaAsSb/InGaAsSb双异质结激光器。 相似文献
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为了研究真空系统中烘烤时对出气率与抽速关系的影响,在室温条件下未经烘烤和在室温条件下经过温度为100℃和250℃烘烤的情况下,对出气率与抽速的关系进行了测量。测量所得出气率q(Torr,l/s,cm^2)遵循指数规律:q=(Cs/A)^m,其中,c和m(0〈m〈1)为常数:S/A为抽气参数,其定义为抽速S(l/s)与真空容器表面积A(cm^2)之比,S/A的变化范围从2.46×10^-5到1.26 相似文献
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二价离子替代的Nasicon及其应用研究 总被引:2,自引:0,他引:2
含二价阳离子的Nasicon,M ̄(2+)Nasicon(M=Mg、Ca、Sr、Zn)可由母体Na_3Zr_2Si_2PO_(12)(Nasicon)为起始原料与相应的二价离子的盐浓液或熔盐进行离子交换而制得。X射线衍射分析结果表明离子交换后的产物M ̄(2+)-Nasicon大多保持原母体的C_(2/c)结构。交流阻抗技术测定的电导率数据显示含不同的二价替代离子的Nasicon的电导率相差甚大。其中最好的是Mg ̄(2+)-Nasicon,其电导率在400℃时可达到1.48×10 ̄(-2)S/cm。Mg ̄(2+)-Nasicon用作微功率固态电池Mg/CuCl的电解质,该电池的开路电压为2.07V,短路电流为1mA。平均放电电压为1.6V,电池的放电容量是3.4mAH。 相似文献
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立方A^4+M^5+2O7型化合物与新型负热膨胀材料 总被引:1,自引:0,他引:1
概述了立方A^4+M^5+2O7型化合物的结构特点,讨论了AV2-xPxO7型(A=Zr或Hf;x=0.1~1.2)及其部分取代的A^4+1-yB^4+yV2-xPxO7型(B=Ti,Ce,Th,U,Mo,Pt,Pb,Sn,Ge或Si;y=0.1~0.4)和A^4+1-yC^1+yD^3+yV2-xPxO7型(C为碱金属元素,D为稀土金属元素)材料的负热膨胀性能。 相似文献
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Ag-BaO薄膜是一种新型光电发射薄膜材料。制备出ITO/Ag-BaO/AU三明治电极结构,在红外超短激光脉冲(hv=1.17eV)作用下,借助内场辅助方法,使得Ag-BaO薄膜的光电发射量子效率提高了一个数量级,由钠场时的10^-7量级提高到内场偏压为10V时遥2.2×10^-6量级;样品的阈值光强由60KW/cm^2降为40KW/cm^2,约降低了30%。这些结果表明:内场辅助方法确实是降低A 相似文献
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Nasicon型快离子导体Na1+xZr2-yM0.8ySixP3-xO12系统采用高温固相合成,春合成温度在1373K左右完成,该的合成温度在x不变的情况下,随着y的增大而降低,大多烽合成物为单斜晶系;空间群为C3/c。当y不变,x增大地基地率的变化是先增大,后减小。最佳导一的起始组成为x=1.5、y=0.1,其电导率在室温时为3.20×10^-4S/cm,在673K时为6.88×10^-2S/ 相似文献
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一种用于宽带温度稳定光隔离器的新型磁光材料 总被引:1,自引:0,他引:1
以Bi2O3/B2O3为主要助熔剂,用改进的高温助熔剂法生长出一种新型掺铋 事稀土铁石榴石(HoYbBi)3Fe5O12单晶,研究了磁光性能,法拉第旋转温度和波长特性在10-110℃,单昌的法拉第旋转温度系数S=θF^-1(dθF/dT)在λ=1.55μm时为4.6×10^-4K^-1,比YIG单晶的法拉第旋转温度系数小,在λ=1.55μm时,(HoYbBi)3Fe5O12单晶的法拉第旋转波长系数 相似文献
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以LiTi2(PO4)3为基以天然高岭石为起始原料,经高温固相反应(950~1150℃)制得了 一系列锂快离子导体材料Li1+2x+yAlxYbyTi2-x-ySixP3-xO12(以下简称Al-Yb-Lisicon).系统 的合成温度随x和y值的增大而降低.应用交流阻抗技术测定的电导率数据结果表明y=0.3, x=0.1的合成物的电导率最好,400℃时电导率达2.45×10-2S/cm, 200~400℃内的电导激 活能为38.3kJ/mol.XRD分析结果表明在y=0.3,x≤04及y=0.5,x≤0.3的组成范围内 均能得到空间群为R3c的合成物. 相似文献
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采用MetalVaporVacuumArc(MEVVA)离子源的离子束合成法,往Si衬底注入剂量为3.0×10^17~1.6×10^18cm^-2的C^+制成SiC埋层,C^+离子束的引出能量为50keV,光电子能谱和红外吸收谱表明SiC埋层的结构特征明显地依赖于剂量,采用MEVVA离子源可以平均衬底温度低于400℃时得到含有立方结构的SiC埋层。 相似文献
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使用多体项展式分析势能函数,研究了O+HO2反应碰撞的经典轨迹,指出存在二个反应通道,即(1)O+HO2→OH+O2和(2)O+HO2→HO2+O。在室温下,求得反应(1)的近似速度常数为(4.1±0.06)×10^-11cm^3·molccule^-1·S^-1,与实验值(5.4±0.9)×10^11符合甚好;反应(2)的速度常数为5.4×10^-13。对反应(1),总能量的72.5%分配于产物 相似文献
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等离子体气相沉积非晶SiO2薄膜的特性研究 总被引:6,自引:0,他引:6
用傅立叶红外吸收光谱,电子自旋共振,表面台阶仪等研究了等离子体增强气相沉积法制备的非晶SiO2薄膜的特性与膜厚的关系。当膜厚从0.1μm递增到1.1μm时,1060cm^-1附近的Si-O-Si伸缩振协吸峰从1050cm^-1漂移到1075cm^-1,但是800display status 相似文献
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应用差热分析、X射线粉末衍射及电测量技术对Na2Mo0.1S0.9O4(α)-Pr2(SO4)3体系进行了研究,结果表明,在Na2Mo0.1S0.9O4相中加入少量的Pr2(SO4)3就可以形成完全固熔体,且无任何相变存在,当Pr2(SO4)3含量达到4mol%时,电导率较纯Na2Mo0.1S0.9O4提高两个数量级(553K时,σ=1.09×10^-3Scm^-1),同时还证明了该类导体的导电机 相似文献
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本文用GSMBE技术生长纯度GaAs和δ-掺杂GaAs/Al_xGa_(1-x)As结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度GaAs的GSMBE生长和研究,在低掺Si时,载流子浓度为2×10~(14)cm~(-3),77K时的迁移率可达84,000cm~2/V.s。对于用GSMBE技术生长的δ-掺杂GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气材料,在优化了材料结构和生长工艺后,得到了液氮温度和6K迁移率分别为173,583cm~2/V.5和7.67×10~5cm~2/V.s的高质量GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气材料。 相似文献
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应用氧离子束辅助准分子脉冲激光沉积薄膜技术,先在NiCr合金(Hastelloy c-275)基底上在室温下淀积具有平面织构的钇稳锆(YSZ) 缓冲层薄膜,再在 YSZ/NiCr基底上在 750℃下制备具有平面织构和高临界电流密度的 YBa2Cu3O7-X(YBCO)薄膜、 YSZ和 YBCO薄膜都为 c-轴取向和平面织构的, YSZ(202)和 YBCO(103)的 X射线扫描衍射峰的全宽半峰值分别为 18'和 11'.YBCO薄膜的临界温度和临界电流密度分别为 90K(R=0)和 7.9x105A/cm2(77K,零磁场). 相似文献