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二价离子替代的Nasicon及其应用研究 总被引:2,自引:0,他引:2
含二价阳离子的Nasicon,M ̄(2+)Nasicon(M=Mg、Ca、Sr、Zn)可由母体Na_3Zr_2Si_2PO_(12)(Nasicon)为起始原料与相应的二价离子的盐浓液或熔盐进行离子交换而制得。X射线衍射分析结果表明离子交换后的产物M ̄(2+)-Nasicon大多保持原母体的C_(2/c)结构。交流阻抗技术测定的电导率数据显示含不同的二价替代离子的Nasicon的电导率相差甚大。其中最好的是Mg ̄(2+)-Nasicon,其电导率在400℃时可达到1.48×10 ̄(-2)S/cm。Mg ̄(2+)-Nasicon用作微功率固态电池Mg/CuCl的电解质,该电池的开路电压为2.07V,短路电流为1mA。平均放电电压为1.6V,电池的放电容量是3.4mAH。 相似文献
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Zr1—xTix(Ni0.6Mn0.3V0.1Cr0.05)2(x=0~0.5)Laves相储氢合 … 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究Zr1-xTix(Ni0.6Mn0.3V0.1Cr0.05)2(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)系Laves相储氢电极合金的气态P-C-T性能、晶体结构及电化学性能。XRD分析表明,Ti合金化使Zr基储氢合金主相从C15相转变为C14相。当x〉0.2时,第二相Zr7Ni10相消失,并出现TiNi相。Ti合金化使Zr基储氢合金中C15相和C14相的晶格常数线性递减。气态P-C 相似文献
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用双离子束辅助沉积(IonBeamAsistedDeposition,IBAD)方法在Ni-Cr合金上合成了具有(00l)择优取向,平面双轴排列的YSZ膜(Y2O3-ZrO2)作为YBCO超导膜缓冲层。辅助轰击离子束方向与衬底法线的夹角540左右时可获得最佳的(00l)择优效果。8000C高温退火后其结构有较大的改善。在其上用MOCVD方法生长的YBCO膜的Tc=88K,Jc=10×104A/cm2(0T,77K),并且从Φ扫描的结果说明了YSZ缓冲层上YBCO膜的生长机制。 相似文献
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应用氧离子束辅助准分子脉冲激光沉积薄膜技术,先在NiCr合金(Hastelloy c-275)基底上在室温下淀积具有平面织构的钇稳锆(YSZ) 缓冲层薄膜,再在 YSZ/NiCr基底上在 750℃下制备具有平面织构和高临界电流密度的 YBa2Cu3O7-X(YBCO)薄膜、 YSZ和 YBCO薄膜都为 c-轴取向和平面织构的, YSZ(202)和 YBCO(103)的 X射线扫描衍射峰的全宽半峰值分别为 18'和 11'.YBCO薄膜的临界温度和临界电流密度分别为 90K(R=0)和 7.9x105A/cm2(77K,零磁场). 相似文献
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超微粉石墨层间化合物CuCl2—NiCl2—GICs合成及电学性能 总被引:4,自引:0,他引:4
常规的GICs合成原料均采用合成石墨或者粒度较粗的天然石墨,这里采用超微粉石墨作原料,进行受主金属氯化物CuCl2-NiCl2-GIC的合成研究。使用山东南墅石墨(3000目)、Cu-Cl2和NiCl2(5n:0.5:0.5摩尔比),在528℃,真空度10.3Pa条件下,得到超微粉的CuCl2-NiCl2-GICs,STEM单原子能谱扫描结果显示出铜离子和镍离子分布基本均匀,合成的1,2,3和4阶 相似文献