聚苯胺薄膜的制备及其C—V特性研究

报导了采用PECVD技术制备聚苯胺薄膜及沉积条件对薄膜沉积速率的影响,红外吸收光谱和电容－电压法表征了薄膜的组成及介电特性。     

真空蒸发沉积聚苯胺晶态薄膜的研究

利用傅里叶变换红外光谱、透射电子显微镜、高分辨扫描电子显微镜和扫描隧道显微镜等多种分析技术，对用真空蒸发沉积技术制备的不同聚苯胺薄膜试样进行了综合表征。研究发现，ＰＡＮＩ薄膜是无定形态的绝缘膜；经ＨＣｌ掺杂的ＰＡＮＩ薄膜尽管其电导率有很大提高，但仍是非晶态的薄膜；而ＰＡＮＩ－ＴＣＮＱ薄膜确是多晶薄膜，且薄膜的电导率较ＰＡＮＩ薄膜提高几个数量级。研究发现ＰＡＮＩ－ＴＣＮＱ薄膜中的ＰＡＮＩ聚合链与ＴＣ     

ECR-PECVD制备氮化硅薄膜的键态结构

用红外光谱和拉曼光谱分析了用低温电子回旋共振等离子体CVD技术制备的Si3N4薄膜的键态结构。结果表明Si3N4薄膜主要由Si-N键结构组成，还含有Si-H和Si-O-Si键结构。随着沉积温度的提高，Si3N4薄膜中的Si-H键减少，氢含量降低。可利用提高沉积温度来减少Si3N4薄膜中的氢含量。在沉积温度为420℃时Si3N4薄膜的Raman光谱在短波方向出现一新的展宽的拉曼散射峰。     

ECR—PECVD制备Si3N4硬质陶瓷薄膜的研究

采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ）技术制备了Ｓｉ３Ｎ４薄膜。利用显微硬度计测定了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的表面微硬度。由摩擦测试机对ＳｉＮ４薄膜的摩擦性能进行了测试分析。结果表明，Ｓｉ３Ｎ４薄膜的摩擦系数和单位时间的磨损量较小，该膜具有良好的耐磨性和耐划伤能力。     

聚苯胺薄膜的制备及导电性

采用真空蒸发沉积法,以盐酸掺杂态和本征态聚苯胺粉末为原料,分别在Si(100)和载玻片上沉积了聚苯胺膜。利用傅立叶红外光谱仪(FT-IR)和扫描电镜(SEM)对薄膜进行了表征,并研究了原料颗粒尺寸对成膜质量的影响。电导率测试结果表明,采用该方法沉积的薄膜电导率在10-6S/cm量级,达到了防静电材料电导率的要求。     

SiNxOy薄膜的制备和紫外光,蓝光发射

研究了用等离子体增强化学气相沉积方法,经过后处理制备出ＳｉＮｘＯｙ薄膜,测量了其光致发光特性,观测到强度大约为多孔硅薄光发射１０倍的蓝光和紫外光的发射。此外,测量了其Ｘ射线衍射,对其成分和结构做了一定的分析和研究。     

rf—dc PECVD制备的a—C：H（N）薄膜的结构分析

采用射频－直流等离子增强化学气相沉积技术用Ｃ２Ｈ２和Ｎ２气的混合气体制备出ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜,用ＴＥＭ、红外谱、ＸＰＳ等多种分析测试手段研究了薄膜的结构。结果表明ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜中Ｎ与Ｃ原子可形成Ｎ－Ｃ、Ｃ＝Ｎ和Ｎ≡Ｃ键,而碳氢原子主要以ＣＨ２基的形式存在。且薄膜中存在具有理想化学配比的Ｃ３Ｎ４相,薄膜的结构是由Ｃ３Ｎ４相镶嵌在非晶态ＣＮｘ基体中组成。     

交替沉积自组装法制备聚苯胺复合薄膜的研究

采用交替沉积自组装法制备了聚苯胺复合薄膜,用紫外-可见光谱、傅立叶红外光谱、热重法、循环伏安法对薄膜的结构、性能进行了表征和分析.     

真空蒸发沉积聚苯胺—TCNQ复合薄膜的STM研究

利用扫描隧道显微镜对真空蒸发沉积的聚苯胺－ＴＣＮＱ（ＰＡＮＩ－ＴＣＮＱ）复合薄膜、纯聚苯胺薄膜及纯ＴＣＮＱ薄膜试样进行了对比分析。研究发现,纯ＰＡＮＩ薄膜和纯ＴＣＮＱ薄膜都是绝缘膜,而用ＴＣＮＱ挽杂获得具有较高导电特性的ＰＡＮＩ－ＴＣＮＱ复合薄膜。而且与表面粗糙不连续的ＰＡＮＩ薄膜和ＴＣＮＱ薄膜相比,ＰＡＮＩ－ＴＣＮＱ复合薄膜易形成较大面积的表面结构完善的连续膜。傅里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）分析     

用微波等离子体CVD制备C3N4薄膜

采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）,使用高纯Ｎ２（９９．９９９％）和ＣＨ４（９９．９％）作反应气体,在多晶Ｐｔ（９９．９９％）基片上沉积Ｃ３Ｎ４薄膜。Ｘ射线能谱（ＥＤＸ）分析结果表明Ｎ／Ｃ原子比为１．０～１．４,接近Ｃ３Ｎ４的化学比;Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ）说明薄膜主要由β－和α－Ｃ３Ｎ４组成;Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）、傅立叶变换红外谱（ＦＴ－ＩＲ）和喇曼（Ｒａｍａｎ）谱说明在Ｃ３Ｎ４薄膜     

五氧化二钽薄膜的制备及其I—U特性

本文利用脉冲直流反应磁控溅射的方法制备了五氧化二钽(Ta205)薄膜，俄歇电子能谱仪测试了薄膜的成分含量，椭偏仪测试了Ta205薄膜的厚度和折射率，XRD分析了薄膜的晶体结构，并且分别研究了氧气含量、基底温度等成膜工艺对薄膜的影响。研究结果表明薄膜的成分主要是由氧气含量决定的。利用金属—绝缘体(介质膜)—金属(MIM)结构初步对Ta2O5薄膜进行了电学性能的测试：皮安电流电压源测试了薄膜的I—U特性，制备出的薄膜折射率在2．1-2．2，MIM的I—U特性曲线显示了较好的对称性和低的漏电流密度。     

单壁碳纳米管/聚苯胺自组装薄膜的制备及性能研究

依靠化学键组装法在导电玻璃ITO表面制备了单壁碳纳米管/聚苯胺薄膜.通过VV-vis光谱证实了导电聚苯胺和单壁碳纳米管之间存在着电子相互作用,循环伏安测试表明,经过聚苯胺的化学共价修饰后,单壁碳纳米管薄膜的电化学稳定性得到了显著提升.     

提拉法制备聚苯胺/碳纳米管复合薄膜及性能研究

采用原位聚合法制备了聚苯胺/碳纳米管复合材料,用提拉法使分散于N,N-二甲基甲酰胺(DMF)中的复合材料在玻璃基底上成膜.通过SEM研究了薄膜的表面与截面形貌,其中复合管的直径为70～80nm,聚苯胺包覆层的厚度在30～40nm之间,薄膜厚度在1μm左右,复合材料分布比较均匀;经Raman光谱、UV-Vis吸收光谱分析表明聚苯胺与碳纳米管之间存在相互作用.使用繁用表和自制的接触装置对光照前后薄膜的电导率进行了测试,结果显示无光照时随着碳纳米管含量的增加复合薄膜的电导率从1.6×10<'-2>s/cm增加到了120×10<'-2> s/cm;光照前后的电导率测试表明,复合薄膜在光照条件下发生了光诱导电荷分离现象,光照使复合薄膜的电导率略有提高.     

等离子体气相沉积非晶SiO2薄膜的特性研究

用傅立叶红外吸收光谱，电子自旋共振，表面台阶仪等研究了等离子体增强气相沉积法制备的非晶ＳｉＯ２薄膜的特性与膜厚的关系。当膜厚从０．１μｍ递增到１．１μｍ时，１０６０ｃｍ＾－１附近的Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ伸缩振协吸峰从１０５０ｃｍ＾－１漂移到１０７５ｃｍ＾－１，但是８００display status     

真空蒸发沉积聚苯胺晶态薄膜的研究

利用傅里叶变换红外光谱、透射电子显微镜、高分辨扫描电子显微镜和扫描隧道显微镜等多种分析技术 ,对用真空蒸发沉积技术制备的不同聚苯胺 (PANI)薄膜试样进行了综合表征。研究发现 ,PANI薄膜是无定形态的绝缘膜 ;经HCl掺杂的PANI薄膜尽管其电导率有很大提高 ,但仍是非晶态的薄膜 ;而PANI TCNQ薄膜确是多晶薄膜 ,且薄膜的电导率较PANI薄膜提高几个数量级。研究发现PANI TCNQ薄膜中的PANI聚合链与TCNQ分子之间存在着电荷转移。与PANI薄膜和TCNQ薄膜相比 ,PANI TCNQ复合薄膜的结构更加完善 ,表面更加平整     

非晶态Ti—B—N薄膜的制备及晶化研究

采用双靶轮流溅射技术，以Ｔｉ和六方氮化硼反应合成了Ｔｉ－Ｂ－Ｎ薄膜，并采用ＸＲＤ，ＴＥＭ和显微硬度计研究薄膜的微结构及其力学性能。结果表明，镀态Ｔｉ－Ｂ－Ｎ薄膜为非晶体Ｔｉ（Ｎ，Ｂ）化合物，其硬度达到ＨＫ２４７０；薄膜经过热处理晶化形成ＴｉＮ结构类型的Ｔｉ（Ｎ，Ｂ）晶体，硬度略有降低。     

反应温度对聚苯胺薄膜生长的影响

在不同反应温度条件下采用原位聚合法在石英基片上制备了聚苯胺薄膜．对薄膜样品进行了紫外光谱、SEM、电性能表征。实验结果表明，过高的合成温度会加速聚合反应过程，抑制膜厚的增长，引起薄膜的热降解，进而对样品的导电性产生不良影响。根据生长速率与合成温度的依赖关系，估算了聚合反应的活化能Ea=34.4kJ/mol。     

溶胶—凝胶法制备TiO2—CeO2薄膜

本文报道了用溶胶－凝胶法制备TiO2-CeO2薄膜的工艺过程及所制备薄膜的性能，研究了在不同Ce/Ti比及催化条件下浸涂液的成膜能力，胶凝过程以及薄膜的物相和光学性能。结果表明，在浸涂液中加入水或碱会使浸涂液迅速凝胶，而加无机盐会促进老化过程。浸涂液的水解－凝胶过程对薄膜的透过率、表面形貌有显著影响，随Ce/Ti比增大，浸涂液的成膜能力变坏，而薄膜的紫外吸收增大。