一种含钇的一次烧结SrTiO3 Gbbl电容器材料

本工作研究了一种含钇的、在较低温一次烧结的ＳｒＴｉＯ３ ＧＢＢＬ电容器材料，该材料具有制备工艺简单、有效介电常数频散较小、耗损较低等优点。     

Fe—Mn—Si形状记忆合金中元素对材料耐蚀性的影响

研究了Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ形状记忆合金中元素对材料耐腐蚀性能及形状记忆性能的影响。结果表明：在Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ合金中，随着Ｍｎ，Ｓｉ含量的增加，其耐腐蚀性能略有提高，但Ｍｎ含量过高会导致合金形状记忆性能下降。而在Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ合金中加入适量的Ｃｒ，可明显提高该合金的耐腐蚀性能，并使之具有良好的形状记忆性能。     

添加剂对Ag-ZnO电触头材料组织与性能的影响

采用合金粉末预氧化法制备含微量添加剂Bi2O3、CuO、La2O3的Ag-ZnO复合粉末,用压制—烧结—热锻的工艺制备出Ag-ZnO触头材料,利用XRD、OM和SEM等手段分析Ag-ZnO材料物相组成及显微组织结构,对比分析了微量添加剂Bi2O3、CuO、La2O3对Ag-ZnO组织和性能的影响.结果表明,不含添加剂的Ag-ZnO材料组织中ZnO团聚严重,主要分布在晶界上;微量添加剂Bi2O3和CuO有利于改善Ag-ZnO的烧结性能, Bi2O3能显著提高材料的致密度,细化ZnO颗粒,使其均匀弥散地分布于银基体中;同时添加剂能提高Ag-ZnO材料综合性能,其中添加Bi2O3的导电性最好,其电导率为72.5 IACS%,与不含添加剂的Ag-ZnO材料相比增加了25%;添加La2O3的硬度最大(100.3Hv).     

单胺添加剂对聚酰亚胺取向材料性能的影响

通过引入单胺添加剂，合成了三类、八种聚酰亚胺取向材料，采用热重分析对它们的热稳定性进行了研究。结果表明，单胺的加入使聚合物的分子量降低，粘度和热稳定性下降。对于不含强极性基团的聚酰亚胺取向材料，适当地加入单胺可增大预倾角；对于含有强极性基团的聚酰亚胺取向材料，单胺的加入对预倾角的影响很小。     

一次烧成制度对SrTiO3基电容—压敏复合功能陶瓷材料的影响

研究了一次烧成制度对ＳｒＴｉＯ３基电容－压敏复合功能陶瓷材料性能的影响。结果表明：适宜的烧成温度有利于促进ＳｒＴｉＯ３的致密化,并获得理想显微结构。中温氧化温度及保温时间对材料的晶界层厚度和晶界势垒高度影响显著。氧化温度低,可使材料具有大的介电常数ε和低压敏电压Ｖ１ｍＡ,但同时介电损耗ｔｇδ上升,非线性系数α减小;保温时间越长,材料中的α值越低,ｔｇδ降低,但ε值减小,Ｖ１ｍＡ增大。通过对比空气中     

添加剂对1，3，3-三硝基氮杂环丁烷性能的影响?

通过扫描电镜(SEM)和液体静力称量法,研究了1,3,3-三硝基氮杂环丁烷(TNAZ)的微观结构及乙酸丁酸纤维素(CAB)、N-甲基-对-硝基苯胺(MNA)、2,4-二硝基苯胺(DNA)、聚四氟乙烯(PTFE)4种添加剂对TNAZ微观结构和装药密度的影响,并进一步研究了MNA、DNA对TNAZ摩擦感度、撞击感度以及爆速的影响。结果表明,TNAZ熔融结晶后的密度下降了9.3%;CAB、PTFE的加入降低了TNAZ的装药密度;而MNA、DNA的加入不仅提高了TNAZ的装药密度,还降低了TNAZ的摩擦感度和撞击感度;且适量加入MNA和DNA,能够提高TNAZ/HMX基炸药的装药密度,从而提高其爆速。     

新型细水雾添加剂成分对灭火性能影响研究

为研究自制细水雾添加剂中主要成分对灭火性能的影响,在开放空间,进行了不同工作压力、不同浓度、不同燃料条件下含添加剂细水雾的灭火研究,实验获取了灭火时间、火焰形态、火焰温度等灭火参数。通过对柴油和汽油两种不同燃料的灭火实验发现,使用含添加剂的细水雾对低沸点、高蒸发速率的汽油灭火效果同样较好。根据加入不同浓度的氟表面活性剂的实验结果比照发现,氟表面活性剂是自制添加剂中起到主要提升灭火性能作用的物质,它通过改变细水雾物理性质使加入自制添加剂的细水雾的灭火性能显著提高。对比调整自制添加剂各物质含量的实验数据,进一步确定添加剂各成分最佳灭火性能浓度。     

低温一次烧结高介电常数晶界层电容器材料

报道了一种在较低温度一次烧结制备的具有高介电常数、较低损耗和良好显微结构的晶界层电容器材料(简称ＧＢＢＬＣ)．材料的有效介电常数高达３７×１０４,损耗可控制在４%,晶粒５μｍ左右,ΔＣ/Ｃ＜±３%(２０~１５０℃),频率色散较小,且制备工艺简单．     

低温烧结SrTiO_3晶界势垒高度的研究

本文利用双Ｓｃｈｏｔｔｋｙ势垒模型依据ＳｒＴｉＯ３晶界层电容器材料的Ｒ～Ｔ特性和室温下的Ｉ～Ｖ特性获得了晶界势垒高度随温度变化的关系．结果表明，势垒高度随温度的升高而增加．这一结果与用各不同温度下的Ｉ～Ｖ特性拟合所得到的势垒值基本相符．     

一种含钇的一次烧结SrTiO3 GBBL电容器材料

本工作研究了一种含钇的、在较低温一次烧结的SrTiO₃ GBBL电容器材料，该材料具有制备工艺简单、有效介电常数频散较小、损耗较低等优点．     

SrTiO_3/CaCu_3Ti_4O_(12)复合陶瓷材料的介电性能

本文采用固相反应法制备了xSrTiO_3/(1-x)CaCu_3Ti_4O_(12)(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1)复合陶瓷,研究了复合材料的物相、微观结构和宽温度宽频率范围内的介电性能。结果表明:在1348~1600K的温度范围内烧结能够得到致密性良好的xSrTiO_3/(1-x)CaCu_3Ti_4O_(12)(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1)复合陶瓷。频率为100kHz时,样品的室温介电常数随SrTiO_3含量的增加而减少,从71358(x=0)单调减少至270(x=1),其变化规律遵循Lichtenecker法则。介电损耗随SrTiO_3含量的增加先增大后减少。当x=0.2时,样品与CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的介电性能相似,存在低温的介电弛豫和巨介电常数平台。随着SrTiO_3含量的增加,复合陶瓷的低温介电弛豫激活能增大,介电响应被抑制,而高温介电响应由于高温电导的影响而增强,使得CaCu_3Ti_4O_(12)特有的巨介电常数平台随着SrTiO_3的增加逐渐消失,xSrTiO_3/(1-x)CaCu_3Ti_4O_(12)复合材料的温度依赖性增强。     

低温烧结SrTiO3晶界层电容器材料的体深能级的研究

本文用导纳谱法测得低温一次烧结SrTiO3晶界层电容器材料的体深能级位于导带底下0.21eV处．提出了SrTiO3顺电行为和体深能级综合效应对材料介电性质的作用，解释了材料ε～T曲线上的异常“凸起”和显著的介电频散现象．根据给出的合体深能级的等效电路模型，计算机拟合结果与实验数据基本相符．     

分散剂在钛酸锶陶瓷浆料中的作用研究

介绍了分散剂在陶瓷浆料中的分散作用及分散机理.通过沉降试验,将单一的分散剂分散效果和2种分散剂混合使用的分散效果进行对比,实验得出,本实验所使用的混合型分散剂的分散效果比单一分散剂分散效果有明显的提高.     

MgO/Eu2O3共掺杂对Al2O3陶瓷微波介电性能的影响

利用湿化学法制备了MgO/Eu₂O₃共掺Al₂O₃陶瓷, 研究了不同的MgO/Eu₂O₃掺杂量对Al₂O₃陶瓷物相组成、显微结构和微波介电性能的影响。结果表明: 适量的MgO/Eu₂O₃共掺有助于Al₂O₃的致密化和晶粒生长。在介电性能方面, MgO/Eu₂O₃共掺对Al₂O₃陶瓷的介电常数没有明显的影响, 但对介电损耗的影响显著。随着Eu₂O₃含量的增加, Al₂O₃陶瓷的Q×f值会呈现先增加后下降的变化趋势。0.05wt% MgO/0.10wt% Eu₂O₃共掺的样品在1590℃下保温4 h获得的微波介电性能最佳, ε_r~9.82, Q×f ~225, 225 GHz。Q×f值的这种变化可能与样品微观结构的变化相关。先是随着MgO/Eu₂O₃共掺量的增加, 晶粒尺寸不断增加, 晶界不断减少, 这有利于Q×f值的提高; 接着, 当MgO/Eu₂O₃共掺量进一步增加时, 晶粒尺寸不断下降, 晶界增多, 这会导致样品Q×f值的降低。另外, 应力和第二相也可能对Q×f值的变化产生影响。     

SrTiO3双功能陶瓷表面层效应的研究

SrTiO3压敏陶瓷存在表面氧化层,厚约60μm.能谱分析表明氧由表至里存在浓度梯度.氧化热处理阶段对表面氧化层的形成有重要影响,在该阶段氧以三种形式进行扩散.化学吸附氧使界面态密度增加,是晶界势垒形成的主要因素.     

掺SrLi1／4Nb3／4O3的SrTiO3缺陷化学研究

利用Ｈ２／Ｈ２Ｏ体系获得不同的氧分压,上电极法 掺杂ＳｒＬｉ１／４Ｎｂ３／４Ｏ３的ＳｒＴｉＯ３瓷体在８００－１２００℃,Ｐｏ２＝１０＾１７－１０＾５Ｐａ的电导率。通过ｌｏｇＰｏ２－ｌｏｇσ图,计算出半导化活化焓约为２８７．７ｋＪ／ｍｏｌ,讨论了ＳｒＬｉ１／４Ｎｂ３／４Ｏ３掺杂的ＳｒＴｉＯ３在不同氧分压区域的主ｎ型半导体化向ｐ型半导化转变的特点。