无机电致发光的新进展及机理分析

主要介绍了分层优化结构、蓝源成彩技术（color—by—blue）及无机薄膜电致发光中的一些物理问题。在分层优化结构中采用了极性材料SiO2作为电子加速层，可以将过热电子的最大能量提到10eV左右，增加了可以激发发光中心的过热电子数目，是提高无机薄膜电致发光效率的唯一的方法。蓝源成彩技术（color—by—blue）是两种激发方式的混合——电致发光和光致发光，利用BaAl2S4：Eu材料中获得的高亮度（900cd／m^2）的蓝色电致发光激发绿色及红色光致发光材料，获得了色纯度非常高的三基色发光，实现了无机彩色电致发光。目前以蓝源成彩技术为基础的17英寸彩色电视机样机已经问世，这种电视机的最大亮度可以到600cd／cm^2，对比度达到1000：1．     

厚膜电致发光电视的机遇与挑战

TDEL是薄膜电致发光的变种,继承了TFEL的全部优点,在器件结构的设计、工艺技术和材料技术上进行了大胆的创新和改进,取得了介质材料、发光材料、器件结构和驱动电路等关键技术的突破,解决了亮度、颜色、对比度、寿命和制造工艺等方面存在的问题,使无机固体电致发光进入了数字化平板电视的主战场,因为是无机的、固体的、平板的、自发光的、全彩色并且数字化的,因此可能成为最具竞争力而后来居上的平板电视技术。     

分层优化电致发光器件加速层的研究

在本文的工作，对于加速层我们研究了ＳｉＯ２和ＺｎＳ两种材料的加速八月主采用这两种材料作为加速层的器件的传导电荷情况。实验结果表明ＺｎＳ作加速层的电荷注入能力优于ＳｉＯ２作加速层；但是后者对热电子的加速作用明显优于前者，而且在同等条件下，以ＳＩＯ２作加层的器件亮度明显高天ＺｎＳ的作加速层的器件。     

有机-无机异质结电致发光器件发光机理的研究

制备了3种有机-无机异质结电致发光器件。由于电场强度或界面势垒的不同．这3种器件的发光性能和发光机理有很大的差别：器件A的发光主要是来自无机层的蓝光．器件B中有机层和无机层都有发光．而器件C只有来自有机层的发光。对所制备的3种结构器件的EL进行了比较,研究了结构对发光起因的影响,揭示通过调节有机层和无机层厚度以及界面势垒高度可以实现对发光区域的控制。     

无机电致发光平板显示器的老化工艺

主要阐述了一种无机电致发光显示器的老化技术方法。该老化方法将显示器件放置在氧气或者含氧气氛中,如果是以硫化物为发光层则还需要消除气氛中的水汽,预先老化足够长的时间,等器件中绝大部分的打火都结束,再将器件封装在保护气氛中后续老化。由于在含氧气氛中,电极在打火时自身被氧化,形成绝缘层,抑制了扩展型打火的产生,使断线产生的可能性降到最低。本文所提供的老化方法大幅度提高显示器的可靠性,提高器件生产的成品率和生产效率,降低了制备薄膜所需的环境和设备要求,降低了成本,适用于大批量生产。     

无机电致发光显示器的目标是取代阴极射线管

自20世纪40年代以来，电致发光显示器的发展一直未尽人意，因而仅获得有限的商业成功。随着电致发光技术的进步，一种新型显示器一薄膜发光材料、厚膜电介质的电致发光显示器使人们看到了电致发光技术的未来。在不远的将来，该技术将会成为平板显示器(FPD)的主流技术，成为挂壁式电视的基础。     

有机电致发光薄膜的电流输运机理的分析

用TPD作空穴传输层、8－羟基喹啉锌作发光层,制备了有机薄膜器件,测量了其电致发光特性。分析了该器件的电流输运机理,认为该有机薄膜器件在电致发光时流过器件的电流受热电子注入效应、空间电荷限制效应、隧穿效及器件电阻效应的影响。     

无机电致发光器件——冷光片测试电源的研制

无机电致发光是一项新兴的显示技术,由它所代表的冷光技术具有发光面积大,发光柔和均匀、重量轻、耗电量少、厚度薄且具有弯曲弹性等优点,因此应用非常广泛,但无机电致发光的微观世界难以直接观测.在此设计一款测试电源,通过测试冷光片的驱动电压、电流等参数指标,为分析发光机理提供一定的依据.方法是利用单片机控制和功率变换技术,设计出电压、频率、占空比均可调的测试电源.通过测量两种型号的发光片,证实该电源工作稳定,性能可靠,能够应用于无机电致发光材料的研究性测试和应用型测量.     

硅基多孔U-SiC薄膜的电致发光及其机理分析

单晶硅中注入高剂量的Ｃ＋离子,注入能量为５０ｋｅＶ,经高温退火后形成β－ＳｉＣ沉淀,再经电化学腐蚀形成多孔β－ＳｉＣ,样品表面蒸上一层半透明的金膜,在正向偏压高于２５Ｖ时,可以获得波长约为４４７ｎｍ的蓝光发射,而且该蓝光发射随着电压的升高而增强．文中还将多孔β－ＳｉＣ薄膜的电致发光和其光致发光进行了比较,并讨论了其发光机理     

无机电致发光光柱显示器

无机电致发光是在发光层以及介质层均为无机材料的电致激励发光现象，虽然其发光原理至今仍有争论，但由于其功耗小，才质柔软可弯曲，故在显示领域中已有大量应用。本文在简单介绍了无机电致发光光柱的结构及生产工艺的基础上，对其静态驱动显示技术进行了详细的讨论。介绍了构成静态驱动电路结构的各器件的功能、电源电路的实现形式及电压、频率测量的软件流程，并在电路结构上与动态驱动显示技术做了简单的比较。     

GLONASS的最新进展及可用性分析

介绍了GLONASS星座现状及最新发展规划,计算了该系统现有可用性.在分析GLONASS缺陷的基础上,从我国用户的需求出发,提出GLONASS/"双星"组合导航方案,阐明了其必要性和可行性.从星座可见性和几何构型两方面对系统可用性进行了仿真评估,比较了组合系统与纯GLONASS系统可用性的变化情况.仿真分析表明,组合系统大幅提高了系统可用性,理论可用性提高至93%以上,实际可用性提高至70%以上.     

新型有机光伏及电致发光器件研究

用物理气相沉积(PVD)的方法制备了结构为ITO／m-MTDATA／Bphen／LiF／Al有机异质结光估器件。在能量为4mW／cm^2的365nm波长的紫外光从ITO电极方向照射下,器件的开路电压、短路电流和填充因子分别为1．3V、0．089mA／cm^2和0．22,对应的能量转换效率为0．64％;在直流电压驱动下,器件表现电致发光(EL)特性,发黄色光,其阈值电压为4V,14V时达到最大亮度为1350cd／m^2,研究证明它来自于有机界面的激基复合物发射。     

GaN HFET沟道热电子隧穿电流崩塌模型

研究了GaN HFET中沟道热电子隧穿到表面态及表面态电子跃迁到表面导带两种跃迁过程及其激活能.从沟道热电子隧穿过程出发,提出了新的电流崩塌微观模型.用该微观模型解释了光离化谱、DLTS、瞬态电流及电流崩塌等各类实验现象.研究了各种异质结构的不同电流崩塌特性,在此基础上讨论了无电流崩塌器件的优化设计.     

Intraband Cooling in All‐Inorganic and Hybrid Organic–Inorganic Perovskite Nanocrystals

Intraband relaxation in all‐inorganic cesium lead tribromide (CsPbBr₃) and hybrid organic–inorganic formamidinium lead tribromide (FAPbBr₃) nanocrystals is experimentally investigated for a range of particle sizes, excitation energies, sample temperatures, and excitation fluences. Hot carriers in CsPbBr₃ nanocrystals consistently exhibit slower cooling than FAPbBr₃ nanocrystals in the single electron–hole pair per nanocrystal regime. In both compositions, long‐lived hot carriers (>3 ps) are only observed at excitation densities corresponding to production of multiple electron–hole pairs per nanocrystal—and concomitant Auger recombination. These presented results are distinct from previous reports in bulk hybrid perovskite materials that convey persistent hot carriers at low excitation fluences. Time‐resolved photoluminescence confirms the rapid cooling of carriers in the low‐fluence (single electron–hole pair per nanocrystal) regime. Intraband relaxation processes, as a function of excitation energy, size, and temperature are broadly consistent with other nanocrystalline semiconductor materials.     

国外敌我识别技术的现状及发展趋势

敌我识别技术在现代战争中的地位极为重要,世界各国均在进行深入的研究。本文在简明论述了敌我识别系统的原理和分类的基础上,结合目前世界上一些具有代表性的先进敌我识别系统,详细分析了敌我识别诉发展状况和各类识别系统的优缺点。本文还对未来敌我识别技术的发展趋势和关键技术作了讨论。     

AlGaN/GaN HEMT高场应力退化及紫外光辐照的研究

采用不同的应力偏压发现器件特性的下降程度随应力偏置电压的增大而增大.经过3×104s 40V高场应力后,蓝宝石衬底 AlGaN/GaN HEMT饱和漏电流下降5.2%,跨导下降7.6%.从器件直流参数的下降分析了应力后的特性退化现象并与连续直流扫描电流崩塌现象进行了对比,同时观察了紫外光照对应力后器件特性退化的恢复作用.直流扫描电流崩塌现象在紫外光照下迅速消除,但是紫外光照不能恢复高场应力造成的特性退化.     

AlGaN/GaN HEMT高场应力退化及紫外光辐照的研究

采用不同的应力偏压发现器件特性的下降程度随应力偏置电压的增大而增大.经过3×104s 40V高场应力后,蓝宝石衬底 AlGaN/GaN HEMT饱和漏电流下降5.2%,跨导下降7.6%.从器件直流参数的下降分析了应力后的特性退化现象并与连续直流扫描电流崩塌现象进行了对比,同时观察了紫外光照对应力后器件特性退化的恢复作用.直流扫描电流崩塌现象在紫外光照下迅速消除,但是紫外光照不能恢复高场应力造成的特性退化.     

固态微波毫米波、太赫兹器件与电路的新进展

固态微波毫米波、太赫兹器件与电路是微电子、纳电子领域的战略制高点之一,SiCMOS技术进入纳米加工时代,GaAs,InP材料的"能带工程"(超晶格、异质结),GaN材料的宽禁带和界面特性以及石墨烯纳米级新材料的创新发展都深刻影响着固态微波毫米波、太赫兹器件与电路的进展。描述了固态微波、毫米波和太赫兹器件与电路当前发展的新亮点,包括纳米加工技术、石墨烯新材料、GaN MMIC功率合成突破3 mm频段百瓦级、三端器件进入太赫兹和两端器件倍频链突破2.7 THz微瓦功率。并重点就当前发展的RF CMOS,SiGe HBT,LDMOS,GaAsPHEMT,GaAs MHEMT,InP HEMT,InP HBT,GaN HEMT,GFET和THz倍频链等10个领域的发展特点、2011年最新发展以及未来发展趋势进行介绍。